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如何把芯片的EMI消灭在源头----从封装入手

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发表于 2015-2-15 16:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-2-16 11:45 编辑
! U  Y3 P* J1 }) f' o1 W/ w& Z' \& Q  j9 Z7 V
下图是一块1994年的pcb,现在看来是很简单了,但是20多年前却是绝对的高大上。% e0 Y# W2 Y+ p. `+ F
它是一个ECU(engin contol unit)模块,是Motorola(摩托罗拉)给Chrysler(克莱斯勒)专门定做的发动机引擎控制单元,地地道道的发动机心脏。
" `- ^0 V7 L" @( v0 N5 O) E(那个时代的巨头们的风采,啧啧...)* O6 t) ?/ n8 J( A

1 E6 ~# p* [$ [2 h2 s! V汽车电子对可靠性的要求,基本和军工是一个等级,所以对EMC的要求也是相当的高。% c% }  G% j  j# P
+ p- p- D1 r& i0 H

$ w; L$ |0 y7 J图中红圈中是PCB上贴装的一个mcm芯片封装(QFP的,BGA技术还没商用),内部封了3个裸芯,三个裸芯具体的功能就不讲了。
7 g/ E5 m  d% |) V0 L) {为什么要把三个芯片做在一起呢?(那时多芯片封装还极少商用,主要是成本高,技术不成熟)
2 ?3 }" C$ ~" p# U) j' D: a8 MPCB上有大把空间,三个芯片单独封装完全可以放的下。, G) C. Y" Q$ Z, @  w
但是由于单独封装,芯片之间的互联路径太长,造成EMI辐射。问题解决不了,不得不尝试新技术mcm。: M8 E9 _$ X: I5 H
mcm将三个裸芯放在一个封装里,互联路径短了,信号辐射就降下来了。! Z0 R$ Q! H2 d1 d$ k$ b( F+ M

# c; y4 L& J$ A3 W( T8 T6 K' [下两图是他们在采用mcm技术前后的emc测试对比。
& e2 n, \/ `3 G6 S
2 x) s# L  T7 B* i1 Y
% @2 \2 @+ t, W- K9 A8 P1 O2 M所以封装的小型化,高集成度不失为解决EMI问题的一个好方法。
% o+ n; v- h& j( R4 d未完待续...( A) x8 v/ N- Y' v( N

, s/ T: \& r, o2 u; N) M3 ~( G5 m继续+ c) v0 H7 w5 J! R0 |+ v7 K5 ?' |! u
芯片封装里的电磁辐射来自哪里,看下图是贴在pcb上的封装好的芯片,我们常用的芯片基本都是这种塑封封装。0 B- E5 ~% F: \9 q9 ]" ~' o
从外观我们看不出什么来,芯片被塑封料完全覆盖。% {! ^: v/ \' H8 d! {
" V) E$ J+ c! X
/ v' I8 E3 D4 g4 y' J
继续看下图封装内部的图片,可以看到封装内部的互联金丝、基板走线、以及芯片上的布线等所有的互联结构。
- T% E; h( T5 J; Q6 m" \& O4 S$ P5 V( B塑封料只能对封装内部起到物理保护和化学保护,风吹雨打没问题。但塑封料对电磁辐射完去没有任何招架能力,所有的电路都是完全暴露在电磁环境下的。(可以想象一下,我们的pcb所有的封装塑封都去除掉后的样子,那是一大堆的光屁股裸奔芯片! W1 C& B0 |0 N, w& h
封装内部的辐射直接到空间,空间的辐射直接到封装内,尤其高频的芯片,更易产生EMI问题。- B7 x, h, M0 E$ N7 E7 z3 i

$ L- Q2 U& G5 w& l' e+ L$ ^
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发表于 2015-2-16 10:11 | 只看该作者
顶礼膜拜。。。。。

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发表于 2015-2-16 10:43 | 只看该作者
20年前绝对是顶尖技术!

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发表于 2015-2-16 13:31 | 只看该作者
第一次看到芯片内部实物图
专业服务(价格面议):
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发表于 2015-2-16 13:58 | 只看该作者
20年前啊,想都不敢想,老外真是先进

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发表于 2015-2-16 15:31 | 只看该作者
见识了,版主

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 楼主| 发表于 2015-2-23 13:22 | 只看该作者
本帖最后由 pjh02032121 于 2015-2-23 13:37 编辑
# }, I. c# b! _/ N& w" _
+ {. y0 b/ |, c5 H/ t) T9 q继续
  T& d9 D$ [) Z0 p/ o小型化只是减小了EMI,并不能完全完全消除,所以sip封装有时候需要进一步的做EMI工作,终极的隔离屏蔽措施。
! F4 e% u( k2 Z( U9 X8 j( z7 l7 `下图分别是屏蔽盖、供形屏蔽、金属封装的。4 Y6 ~8 E% H. l7 G$ R# ~& Y' t$ k- d

# D8 @  @5 C. j# d+ _% f2 N屏蔽盖,有效的解决EMI问题,无论在封装级还是在系统级都是常用的,也是成本最低的措施。* l/ o& I# R# M  Y7 J5 }

3 J5 t6 V, c' f: I
3 v, p0 x" S7 {6 \$ k共形屏蔽,在塑封的表面溅射一层金属,并与IC载板的地层连接在一起,这样所有的元器件都被包裹在屏蔽层内,与外界电磁环境完全隔离。; s$ ?' W" ^+ X

! y) r  O( g3 K8 }# J) u" s) _# e& K6 `9 A' a* s3 @
金属屏蔽,用金属壳体将芯片等完全密封起来,屏蔽效果最佳,成本也高。
. N( Y/ F0 d2 B' q2 T# X  X8 y+ X/ Y. [/ ^8 I% }: q
最近几年最IC载板内埋器件的厂家也越来越多,这也是在封装级解决EMI的一个独到方案。5 ]1 f, [2 j3 e, u
详情参阅:https://www.eda365.com/thread-105112-1-1.html
# B* _$ k" r0 D7 U& R# {, q# S, f
$ n9 H% ~9 ~- h- |- V% _6 L7 j9 ?5 Y  ]0 O7 V
对sip来说,采用屏蔽盖和共形屏蔽层,将封装内部电路与外界电磁环境完全隔离,对去除EMI效果相当好。8 R/ s# d5 {5 K0 a' g9 e
但由于屏蔽层距离芯片太近,处理不当却会适得其反,引起封装内部电路的相互干扰。1 O' E% e: Z3 r! O( a" y( C
如下图分别是共形屏蔽和屏蔽盖挖空处理,即将敏感部分或干扰源部分的屏蔽层挖空(与地平面分割原理类似),防止引起封装内部干扰。
: y/ b% @9 J3 b1 D% f5 N7 {1 G/ M! S    ; |6 I! n) h  W. S/ L( D& q
3 x! {; z* {9 A+ {4 U+ s( \- b
7 K7 d" W' F6 i0 i, g
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发表于 2015-3-10 19:56 | 只看该作者
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发表于 2015-3-11 09:29 | 只看该作者
以后都内埋了,做LAYOUT的还有价值吗?

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发表于 2015-3-11 10:17 | 只看该作者
20年前绝对是顶尖技术!以后都内埋了,做LAYOUT的还有价值吗?

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发表于 2015-3-15 09:06 | 只看该作者
可望而不可即的,都没接触过这方面

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发表于 2015-3-15 11:13 | 只看该作者
厉害
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发表于 2015-3-16 09:55 | 只看该作者
很好很强大的技术啊

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发表于 2016-1-11 11:39 | 只看该作者
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发表于 2016-2-22 16:49 | 只看该作者
太厉害!最近看到新闻《苹果已委托星科金朋和艾克尔负责iPhone 7主要芯片的EMI屏蔽处理》,是不是就是用金属层隔离呢?这种方式能够实现所说的“能更精细地组装电路板,一旦芯片之间的安装空间减小,多出来的空间就能用来安装更大容量的电池”吗?还是采用的内埋的方式?求大神不吝赐教!

点评

内埋成本太高了,iphone7主要还是采用溅射金属--共形屏蔽。  详情 回复 发表于 2016-2-22 20:06
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