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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 ) ?* _$ n. [3 R/ |; t, {& I
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ...
' M0 C- C% `, t0 M
1 Z- L3 y) } {
线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch 4 O9 ~- N( j" n* x; l
算出来特征阻抗67.93ohm* y9 |9 ]8 d: S3 D, ?- A
* R/ @3 G7 [- J& B- r
端口归一化 阶跃响应 TDR
% Q3 a# U7 ?3 I6 K可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远
6 m6 _) I/ ^6 j
9 {/ N! ?4 L8 P! e/ {. \- S
取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下3 I/ @9 @+ Y6 x5 z! H9 N7 Y5 x
4 m t/ I7 }* o5 i
端口归一化后的 冲击响应TDR
, b5 ~: w+ ^# `1 M Z ?阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化" ]: S# e) b/ `
% l4 z$ D5 ?% o% T9 o端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。' S! w, h9 a0 P5 N% b
" v5 U& H3 r. \! j% r5 I
- g/ r3 O/ i# d" ~! y
归一化后的s11
$ F6 r+ l, ~% \* a5 e1 I1 w
" r6 j; T" F% J# q5 `% ^, {6 {
未做归一化的s11
" e1 O/ U- o# w: d7 X
" m8 k/ x6 _0 z. I+ V首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?
& f+ `1 `3 g3 L+ Y+ v端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?
8 X4 @, m: A& T为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?
& ~7 n' _8 i, l此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的6 O1 J- o( Z/ C8 P4 z1 M
跳变时间不同?$ b) f) I! a, F- H; Y) r
, v$ D/ w2 {, h( H B, W% X- b
以下为具体设置和工程文件
' K; W) Z+ n4 l7 Q
+ `! {; z, K# m* }& `& M
7 J- X* ^0 d/ E9 ]
. @: g4 D! e$ ^0 |4 R: G
1 n: x% _& T$ ?. O5 @; I; u9 b0 ~
4 j* | r( u; K; l' Y: Q
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9 R; z& [7 Y- V& e1 P& E
8 _" @( X; K9 a) Q" H L9 B
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7 R8 b# ]5 o5 h- X" Z3 K
( Q/ }& V& W3 `: N2 p
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6 j" @' Z+ m( `/ ~5 P
! b- ~, {' C5 n5 `9 g( E" \6 h
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. m8 H- y/ O, N2 Y+ u- C
' p3 S: A; S$ Z3 i' T* _% @ |
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