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求助电路图MOS的作用

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发表于 2015-3-17 12:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 tlyyy1314 于 2015-3-17 13:17 编辑 3 W( n' u5 k) I1 f

+ s4 i/ r' ~6 m( G; J9 p( u9 x1 i 1、电路中的MOS的作用,是如何导通的。2 e+ o, i2 R( H/ i' C1 y
2、电容C387的作用?1 ?& n9 y; n' b# d. X+ l1 q

5 _7 T- M3 k1 @* x3 Q
( A" @% u6 b6 u- u7 E; K" s
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发表于 2015-3-17 20:48 | 只看该作者
本帖最后由 yangcanhui07 于 2015-3-17 20:50 编辑
6 a: X  i" B# f) f% y3 v; y
8 f# c- A0 a/ O9 zC387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:
7 j2 K6 T. r. |" r' ~. [第一种情况是开关后面的负载在启动瞬间会从电源吸收一个大电流(浪涌电流?有些器件如LCD会明确标识出这个参数并附上测试条件,测试原理图和测试结果),由于开关电源的动态响应特性和电流补给是需要一个时间的,这个浪涌电流轻则在电源上产生一个小尖峰(举例如见下图),严重的,浪涌电流如果超过开关管的current Limit会使得开关电源暂时性保护(电压瞬间跌落较多).从这个电源动态特性图基本上可以看出,电流从0增加到3A,只在电源上产生了100mV左右的尖峰,并且在200us以内重新恢复正常.应该说这颗电源芯片的性能还是不错的.如果说在3.3V上产生100mV的尖峰不算多大个事,把这个电压换成1.1VCPU内核供电,可能谁也不敢忽视了.所以,在接通或断开大电流负载时,尽可能让负载电流平滑.个人的经验值是1ms,仅供参考.注意这个时间不宜过长,否则会引起负载时序紊乱或上电异常
  y8 r$ ^: |9 Ec:\电源动态特性.JPG  ~. T7 b( ~7 U
第二种需要缓启动的情况,负载电流并不大,但是开关管后面有个大电容!这个问题相比第一种情况产生的后果更严重.举个例子,假设一个3.3V主开关电源滤波电容是10UF,后面接一个MOS开关,开关后面接一个电容容量也是10UF,那么,当开关打开瞬间,如果你有示波器,你会发现,电压直线下降一半,然后再逐步上升重新回到3.3V.为什么会直接下降一半?因为开关打开的时候,就相当于把一个充了3.3V的10UF电容跟一个没有充电的10UF电容直接并在一起,结果就是两个电容都只有一半电压了....然后,悲剧发生了,系统复位了--不复位那才叫怪呢.6 u* g8 k! x% C3 V. T! y6 B
看起来楼主的图上这两种情况都存在,虽然只是充电电路,而不是内核或主电源,从设计角度来说,减小冲击是对的,因为电源入口产生的尖峰也同样会转移到各路输出端,只是幅度会有所减弱而已.
& y3 {, ]3 s  p: x7 Z& O

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电源动态特性.JPG

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高手!  详情 回复 发表于 2015-3-18 21:21
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发表于 2015-3-17 12:55 | 只看该作者
不就一开关电路么,) x; ~5 x3 R  Y8 L- W3 a" |
另外C462在哪里?

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C387  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:11

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发表于 2015-3-17 12:59 | 只看该作者
PMOS管:OTG-ID置低时,三极管导通;对于mos,此时Vgs小于0V或者说阈值,MOS打开。电容?位号没看到
/ |. W, M9 Q1 B3 Q& x: I( O2 N1 U

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电容标错了 是那个C387  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:11

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 楼主| 发表于 2015-3-17 13:11 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-17 12:59. ^$ U' P1 _. ~' {: B
PMOS管:OTG-ID置低时,三极管导通;对于mos,此时Vgs小于0V或者说阈值,MOS打开。电容?位号没看到
' ~: U9 u( c1 `
电容标错了  是那个C387
0 V( S2 W. E) T$ T* r, o

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 楼主| 发表于 2015-3-17 13:11 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-17 12:55" X3 g0 i! N7 m4 \2 u7 `
不就一开关电路么,4 m' u  l: t* v& D% e  q
另外C462在哪里?

. l5 X! g6 q! [- a$ EC387* Q3 a( {& S* h& q; }- T3 T

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C387就是增大GS的电容,跟GS电容并联目的就是软启动,减缓上升沿,降低器件的应力。  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:53

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发表于 2015-3-17 13:47 | 只看该作者
C387用来延迟Q32的导通与关断,拿个软件仿真一下就知道了

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发表于 2015-3-17 13:53 | 只看该作者
3 p) |( ]  C. t' N7 _3 }
C387就是增大GS的电容,跟GS电容并联目的就是软启动,减缓上升沿,降低器件的应力。
, Q$ n+ Q; Y! b3 ]- o

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发表于 2015-3-17 16:52 | 只看该作者
MOS作用——开关
1 z) ^$ V0 T6 F$ u9 [1 `OTG-ID为高的时候,Q17导通,Q32的G极低于VBUS,Q32开通。
8 c3 n, O# k# L* R8 C: t2 f  I; t8 r( pOTG-ID为高的时候,Q17关闭,Q32的G极等于VBUS,Q32关断。, F; q' ]+ O0 ]5 L" B2 ]! F
为什么能开通,请查阅PMOS的特性。7 f8 f3 t# h/ E7 N) j
不要痴迷于阅读成功人士的传记,从中寻找经验,这些书大部分经过了精致的包装,没有人会随随便便成功。更不要痴迷哥,哥还没成功!

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发表于 2015-3-17 17:46 | 只看该作者
电容作用就是充放电功能,就在VBU0上电是,R42为C378充电,Pmos 就会在充电时导通,

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发表于 2015-3-17 22:00 | 只看该作者
正解,PMOS是开关,OTG_ID控制开关的导通,电容和电阻一起是为了缓冲

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 楼主| 发表于 2015-3-18 19:03 | 只看该作者
感谢各位的回答

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发表于 2015-3-18 21:21 来自手机 | 只看该作者
yangcanhui07 发表于 2015-3-17 20:488 B4 ~5 z( n) y# v/ l- A
C387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:3 {* A" S: g2 [6 O
第一种情况是开关后面的 ...

0 g/ Q; n+ @; a! {高手!

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发表于 2015-3-19 08:50 | 只看该作者
yangcanhui07分析的比较详细,
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