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DDR3中,DQ,DQS,DM信号串接15欧电阻

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发表于 2013-8-17 17:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如题,串接15欧电阻,起什么作用
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发表于 2013-8-18 09:42 | 只看该作者
减少信号发射

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 楼主| 发表于 2013-8-18 10:29 | 只看该作者
part99 发表于 2013-8-18 09:42
  |& W2 F$ [$ {+ g减少信号发射

$ e# I; q. h0 h5 G4 Q从主板到连接器到内存条,阻抗都是匹配的,请问哪来反射?还请不吝赐教

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发表于 2013-8-18 14:29 | 只看该作者
反射无处不在,即使是embedded,阻抗也不是100%连续,PCB板厂最多也只能宣称10%的误差,何况你还有连接器?你查一查连接器S参数对阻抗的影响就知道了。

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发表于 2013-8-18 14:33 | 只看该作者
我个人的经验看,对DDR3-1600,10欧姆的匹配比较理想,位置放中间或靠内存一侧为好。(以上数据来自TI的内存控制器+美光内存)

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 楼主| 发表于 2013-8-18 15:08 | 只看该作者
part99 发表于 2013-8-18 14:33 $ a5 ^% Q* m' _+ z5 {4 J# K/ W
我个人的经验看,对DDR3-1600,10欧姆的匹配比较理想,位置放中间或靠内存一侧为好。(以上数据来自TI的内存 ...

1 ]' f* [7 Q8 j+ G4 w( k2 P& h8 t大哥,如果是板载内存呢,这个电阻值是不是可以再小些

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发表于 2013-8-18 16:02 | 只看该作者
sz_cheny 发表于 2013-8-18 02:08 $ r) A* q) |: i0 ~- D
大哥,如果是板载内存呢,这个电阻值是不是可以再小些

  s7 U& B. w3 i我说的10欧姆就是板载内存。

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"學會了" 就簡單了.

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发表于 2013-8-18 17:42 | 只看该作者
依照 Super Go 的習慣, 叫一份狗糧來品嘗一下。

scba012a.pdf

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有背後被捅刀的感覺!@_@  发表于 2013-8-19 09:03
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发表于 2013-8-19 09:01 | 只看该作者
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发表于 2013-12-13 23:15 | 只看该作者
DQ,DQS,DM做串阻,没见过,最多是在控制端加上拉,ADDR源端加串阻匹配,阻值大小根据阻抗方程求得,末端加上拉。防止信号反射。

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发表于 2014-8-23 15:39 | 只看该作者
DDR2中 DQS DM 信号线是做什么用的啊

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发表于 2014-8-23 16:14 | 只看该作者
ChineM 发表于 2014-8-23 15:394 `: V+ w# S. s- s. z  v
DDR2中 DQS DM 信号线是做什么用的啊
1 }6 N' w: ^. Y1 k% l: ]! r* ]
掩码信号!
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