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楼主: lkzuihao
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[仿真讨论] DDR3大牛进

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发表于 2013-11-26 16:40 | 只看该作者
lkzuihao 发表于 2013-11-26 16:32  Z. i! q. L  v4 e# N
要仿换哪个电容,感觉很高端的样子,做不来啊还,学习..

6 R0 W: K* n# U6 w6 O- p/ Q: w' c! J你的叠层P-G隔得远,所以去高频噪声效果不好,另外电容去耦网络阻抗可能偏大,所以跑高频时外加大量数据发送,电源着不住啦,崩溃。换哪个电容?估计得仿真下效果才会好点。
手机充值就来 http://ede8.taobao.com

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 楼主| 发表于 2013-11-27 09:06 | 只看该作者
jomvee 发表于 2013-11-26 16:40' o1 r; e& l  K+ y- h! ], O1 s
你的叠层P-G隔得远,所以去高频噪声效果不好,另外电容去耦网络阻抗可能偏大,所以跑高频时外加大量数据 ...

6 V8 J9 t* r  v4 R5 M/ O$ q7 ~仿真这块一直没有去做过,如果做的话是仿的各个电源出入口某电容值的在某个频率的波动情况么,还是其他一些东西?电容去耦网络阻抗如何确定?

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发表于 2013-11-27 16:50 | 只看该作者
不做仿真,风险很大, DDR3了毕竟。 楼主三思吧。

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发表于 2013-11-29 09:04 | 只看该作者
cpu和DDR3的0.75V参考电源怎么样

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发表于 2013-12-5 17:30 | 只看该作者
DDR3的timing budget fail.) O( A4 C& ^' d, Y7 N
Please using Hyperlynx run DDRx wizard; M. y" W% v$ q1 A2 J0 g% `
從他的report 去tune layout您的問題就可以解決了

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发表于 2013-12-6 21:50 | 只看该作者
lkzuihao 发表于 2013-11-26 16:02
5 P# a7 Z# p- p$ U  M3 ]: z2 y& C, x核心电压的正常工作值是1.0V,挂机后电压没有明显变化。
! P% n6 U  S; }- h2 R: f7 J近期可能会有新的打样,到时候把能想到的都优化 ...
3 a- S# Z8 @# Z
楼主问题解决了没呀?

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发表于 2013-12-10 14:16 | 只看该作者
时序,等长

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发表于 2013-12-13 14:13 | 只看该作者
1: 看看ODT是多少? 一般建议ODT60,或1208 X1 h9 B1 f2 [( m1 `# k
2: 2T模式打开,如果是地址出现时序的问题,2T模式会有帮助
+ B4 M* m+ N) H* f3:自己的芯片,还是别人的芯片。自己的就要看IC内部设计是否有问题了!

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发表于 2013-12-20 16:12 | 只看该作者
问题的表现就是DDR3 ADD信号的时序出现了错误.这个和你的走线拓扑有直接的关系.走T拓扑,ADD信号的反射会很大,信号质量很难调好.像这种单向的信号,基本弃用T拓扑吧.
3 |+ D3 M3 |1 t8 S9 A目前你们也不可能从新走线了.首先加点电容,其次就开2T模式吧.希望能解决你的问题
我做SI有两年了, 刚刚入门呀, 希望和大家多多谈论。

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 楼主| 发表于 2013-12-30 11:18 | 只看该作者
yejialu 发表于 2013-12-20 16:12* q) h# A& A$ V9 _" {
问题的表现就是DDR3 ADD信号的时序出现了错误.这个和你的走线拓扑有直接的关系.走T拓扑,ADD信号的反射会 ...
* G9 d+ s# l" a, p/ e
这位兄台,您是如何让确定的是ADD的信号时序出的错误啊?  指点下
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