EDA365欢迎您！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样
s3 t+ A5 g( }6 l; I4 B它们的共同点：
: T3 U w8 J* d; r1，统一排地址：但地址不一样
2 W# N1 z/ Z/ E( Z2，编程方法和的函数一样
9 `; q: E9 z8 Q6 }7 ^1，先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
4 m7 r, t5 R& i. @! S2，Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32)；写- n i5 G) e. O
其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32)；
8 M N3 @# [5 c, d. C7 I% F3，HAL_FLASH_Lock();锁住写3 a% R! E2 i# i: y6 b" C7 _; ?
3，擦出方法和函数一样
% \) f. V% a) g- E; V% RHAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)) k/ t) B( u& z; J2 x) r: d
4，读方法和函数一样+ N V1 O( M) U" D: \
Read_eeprom_int32(uint16_t addr)9 ]0 H6 _& z6 f4 ?' i; v
不同点：
+ u8 S k4 T u5 E" Y地址不一样：
# O, J$ i0 r6 @, X% ^0 S$ sEEPROM：0x08080000开始的2K字节
Y. k) r9 l3 V- S( M: OFLASH： 0x08000000开始的空间（大小型号决定）， 其中你想用的FLASH空间。 | 
/1 
发表于 2018-6-17 18:22
QQ好友和群
QQ空间
腾讯微博
腾讯朋友
微信
收藏
支持！
反对！