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敷铜连接方式疑和晶体电容位置的疑问

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发表于 2017-8-18 11:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1.敷铜连接方式疑问. 哪种更好些?! L& G2 V4 I( L) U9 u
  十字型连接或者直接相连.如下图所示这两种。
5 e3 \3 ~/ K" Y& P+ V   哪种更好,对于贴片是否有影响?我只知道第二种手工焊接的话GND焊盘很难上锡。; w3 j9 O6 J( H. Y, y% F+ x
  
- \8 D% f. b" ^" ~9 \2.就是上图中晶体的电容放置的位置,是放置在如图所示电容末端,还是放置在电容前端更好? 谢谢指教。3 J7 E1 a& ^5 y$ ^3 M  {
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发表于 2017-8-18 12:18 | 只看该作者
1、电流不大的前提下,还是十字连接好些。不然散热太快,不好焊接
, s# Q% [# F( G! \1 g. R7 S" N2、电容最好放在晶体前端,以防stub

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发表于 2017-8-18 13:11 | 只看该作者
本帖最后由 yihafewu 于 2017-8-18 13:12 编辑 2 U( p# O. F, D+ O$ _: Z" k
7 F0 M" L/ A4 e& B
同意楼上
) O. c: ^" B, o1、手工焊不好焊,回流焊易立碑" k0 K9 F0 V- ^! o' x  M9 t& D
2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割,只在IC地脚相连。晶振底下不要走信号线,我说的是上面那几条。

点评

同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。 [attachimg]130601[/attachimg]  详情 回复 发表于 2017-9-12 14:18

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 楼主| 发表于 2017-8-18 14:38 | 只看该作者
谢谢!$ Z0 K" n" i* S& Z/ [- c; D
1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...; ?5 {) y* {# H. r  J$ q
2.这个是PIC单片机,8MHz. 量产的就是这么设计,我之前看过评审建议电容放前端,因此有疑问,那么下一版如果是我负责就改过来

点评

就是该放前面,而且焊盘必须放在走线上  详情 回复 发表于 2017-8-18 18:41
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发表于 2017-8-18 18:41 来自手机 | 只看该作者
本帖最后由 WattleHua 于 2017-8-18 18:44 编辑
( i5 |5 L# }7 g! ]6 c1 E8 t
lize314 发表于 2017-8-18 14:38- u- T; J! r- ?6 ~; o' m8 y
谢谢!
( G# L0 u$ d- T" j2 ~0 n1 S1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...! z& L: F" Q9 u/ i! C: V
2.这个是PIC单片机,8MHz.  ...

) o. J# z% x( U( G6 O0 r我目前只要没有特殊要求,6层以板子全部都是直接连的,不用十字。
6 t. z; M( V0 S4 I3 v电容应该放在晶振和单片机之间,而且焊盘必须放在走线上。不然你就放背面,和晶振管腿只隔一个阻焊桥。

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发表于 2017-9-12 14:18 | 只看该作者
yihafewu 发表于 2017-8-18 13:11, y/ o* M! p/ J1 N/ V; _
同意楼上$ V7 K/ W: q% s
1、手工焊不好焊,回流焊易立碑
; g  A! A0 r7 m7 H/ s& @% G# w9 N6 ~' f2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割, ...

6 u) N; s% K" V+ s同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。" y* c4 D  X5 l( ]  e- e$ o% E7 U
6 _7 U& q$ W) e9 N

点评

我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没  详情 回复 发表于 2017-9-13 09:41

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发表于 2017-9-13 09:41 | 只看该作者
疾风飘流 发表于 2017-9-12 14:18- X: [! r, {0 J- u4 \
同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。
0 ]7 |' p+ E* \, M+ H
我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没错的,条件允许的情况下越短越好。5 Q+ H. M6 Y0 b
第二个问题是,避免出现stub,对于高速信号来说(即上升沿下降沿很陡的信号),会导致信号反射。第三个问题,各自信号到负载电容的走线要尽量一样,至少误差不能太大。针对这两个问题,将电容放内侧,并使信号线直接走到电容焊盘再到晶振,即避免了stub的出现,又使各自信号到负载电容的走线一样长。
; s5 s# y5 `; e) ]/ Y& Y" |& U
$ X0 |) c$ H! G
" t$ q, ]6 y) d  t0 m7 G2 f( w其实我也是根据厂家推荐的方式来布局晶振,也没有太多的理论知识,因此上述看法仅供参考。
7 j" F. a9 c) t& m7 y6 [
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