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DDR3的这些NC的到底要不要?

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发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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) s  K* ~6 b3 B4 W0 F
如图,参考的资料里面J1,J9,L1,L9,M7有两种不同的接法,问下这两种有什么区别?
) }, Y4 ]5 C$ f' U8 J; i
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发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
" \5 V9 m, u( n9 I3 [# V4 X比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就能用到了

点评

您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需要接这几个脚,2Gb(128MX16)和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb(512MX16)的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
如果没看错是美光的颗粒,资料写的很清楚,不连,你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 0)

nc.jpg

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发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
  • ODT1CS1N 是為了雙顆粒封裝DDP︰Dual Die Package)預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的(多了一根地址線容量變大)。
  • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的,因為 Pin K9 也是 CKE0,推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。
    + y$ n* c7 l  x; X  S& h

) E1 n' p# U( \! J4 Y8 }8 Q7 k. K; b, T- ]6 w8 p; n! W

  b* o; U0 R! |0 `/ o3 D$ R* e

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谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
路过,顺便看下。

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當心被流彈波及,有時候看熱鬧也會出事!^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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 楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:51
2 }" [. V8 x! B6 O* _3 x) S) t兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。$ }) {% D7 B% k$ k7 G
比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就 ...

( L; Z; n/ O9 T9 j: U+ c您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需要接这几个脚,2Gb(128MX16)和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb(512MX16)的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分2 ~  D7 }4 ]# h
, A; x1 b0 Y  _
Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 2) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 1) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 1)
/ b) p5 M# z$ \) f; ?1 p+ ?# t
4 f; F2 {* I& i( S: O" C* q8 ^2 k; d$ O+ U

% ~! W8 r+ Z! c5 j  _' m

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一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝(DDP︰Dual Die Package)預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的(多 ...
  • * t4 x1 Z+ X$ Z1 P0 m# O$ G
    谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧   J' c! N( H" v5 Y

    点评

    多數半導體在初期,大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量,並且要求空間小,雙顆粒封裝(DDP︰Dual Die Package)的做法就會出現。過些時日技術成熟了,單顆粒封裝(SDP︰ Single Die Package)就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

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    发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:16
    ( `9 z. a5 T* Y9 N谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    , v' d$ R& K. d9 n  i3 z3 ^
    多數半導體在初期,大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量,並且要求空間小,雙顆粒封裝DDPDual Die Package)的做法就會出現。過些時日技術成熟了,單顆粒封裝SDP Single Die Package)就會取而代之。
    6 W& J# E: \8 u
    / K" t6 i/ N# t) x4 v; |兩個 4Gb 的顆粒,等於一個 8Gb 顆粒,算法上是沒錯,但要注意封裝的方式。
    ! i# _3 _! m: q' |$ d$ E% o3 v, h6 U1 l- x4 A, j
    • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。(Data Bus 並接)
    • 有的則是共用同一個 CS,讓 Data Bus 增寬一倍。(CS 並接,例如 16 bit -> 32 bit)3 v' u. T1 b4 d- n
    " o: b  e: |$ b0 B$ R
    , a$ U( e' q& B+ M3 O) s, h
    哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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    发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
    版主研究的好细致,学习了。

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    发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11( w" t. \/ K9 Z  ^, s3 V* s1 A6 T
    您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需 ...
    4 @3 P0 N1 R! k6 z) \
    一般是兼容设计预留用& g) Q2 O  q; h  I5 r1 h

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    发表于 2017-4-4 13:41 | 只看该作者
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