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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑
0 b# s# o; H. i$ I/ x1 M! H. t* ]7 m0 ~
7 m2 |6 z. P! R4 s" u1 _% Y本文大纲) e! x/ i% i3 l
本文章分三部分:
- q# m9 n1 Z- `6 v( I(一)wave port与lumped port的理解! a" h0 f8 Z* d9 T
(二)两种port的仿真操作用法4 S! q* l- g7 J. r. Y
(三)S参数归一化的问题" j5 |& D0 k* c+ d9 V2 c, {* W
说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器% W0 K# i$ @4 A4 V2 M
: b) \- X( O; X3 ]2 ]
简单介绍下HFSS:8 r) a; Y6 w) d( d+ |: b4 |
ANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:2 C9 a& v, E( Y
① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题
% E' Q" b1 M f( t3 G3 K② 端口特征阻抗和传输常数3 h# E0 L. ]2 O, s2 W4 q5 b
③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数
5 x; I. {, l% m0 F% V D4 D④ 结构的本征模或谐振解。- J6 s: ]4 s$ k( v8 Z: Z/ g( { ~% m
而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16.
! l, d% N* b7 j$ b& ^ANSYS workbench
8 \! `: \0 X+ G2 k9 N
+ o( E, E2 {; D$ S$ y' o+ k
2两种port的仿真操作用法
* k/ f0 N2 }4 ]: |# y) W1.微带线下wave port) y" d( Y$ s2 G# c
如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。- `2 H+ F. M9 z# ]' x- x; ~
5 B1 l& @; J9 K# O6 ~0 p
图5
3 w5 Q5 w1 y8 p" _6 ^7 [然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。
* d& Q9 p* G: D! O+ I3 ^
' r% y% K2 T( n" R9 X# h! L! q图6' e7 ]5 s6 T% R+ E
2.微带线下lumped port
* N3 j3 s+ D) G. q* D如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错4 b8 a: f' R8 J; Q; [7 i+ S w% @
6 `. C6 L2 Y' u图7' B) M4 g! Y; ]( ]# o
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示
; g$ t# Q) f1 R6 @( i3 x% n
2 ]2 ~ c) L& Q. k3 N$ t# @图8
, k: \; d/ V3 g4 P: p% f2 s( M+ p3.带状线下wave port
6 e7 M; x8 M" l a5 X- B如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。: x2 H% q& |, h. `
" {& ~$ ]* Q( s: i; u图9) J$ m& z/ ]& ]3 ]+ p# E
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。$ p( x9 Y/ T- t; m8 B
6 U& ?' U& O0 e0 X2 i& D# z图10
5 e; w* j$ ]) k- K4 n4.带状线下lumped port! c4 Y7 k$ U3 [# ~, h" A' M* y
带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“Perfect E”设为理想电边界。
* t! h& [* d, g8 \' |
4 E( n O6 A5 r8 E' B
图11
+ u( Q5 W2 E( E# Y接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。
3 y+ [% K* z7 ]0 h
3 R8 a: w# I9 ?9 R1 W3 w2 Q
图12
* P/ y; t) Z2 M c选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13
" X* h( P5 [& l" {, w, j
- v5 M4 N2 P" k& ], Y图134 d& ]7 t4 R5 s _# n& R8 f5 C
未完待续.....) L4 o( b$ Q$ Y% I% y6 F/ U+ f
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