求助：为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果？

小螺号

7 I8 o, {) V6 t* W7 _3 w+ L9 u7 U
4 |. N7 R5 q' [/ J我使用HFSS设置集总端口lumped port 时，把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时，发现两种情况仿真出来的结果（阻抗）有明显的区别，这是为什么呢？这两种情况是：（1）lumped port大小只接触到传输线和参考地边界；（2）lumped port大小覆盖传输线端口面，但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图：图1和2分别为情况一和情况二，图片右边导体为参考地。有哪位知道，帮忙解答一下，先谢谢啦！
& }: [$ W9 G, X
5 _$ u, a6 T. A5 f. H+ X

cousins

yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
为什么？？？

了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
) L& x0 v( l" h4 F3 HS11和负载阻抗，传输线特征阻抗，相位 有较大的关系，而这三个因素在实际测试时都有误差，你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合，所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度，相位角度上一定会有偏差。
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; E5 V9 }) H- J

咚次哒次

1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
5 p8 i2 M" N) K( S& z" A! B2.模式驱动求解类型下，集总端口设置的几个tips：
（1）需要设置端口阻抗，作为在端口处计算S参数时的参考阻抗；
（2）集总端口面宽度与微带线宽度相同即可；
  u5 d0 w4 n0 v* C- W5 l（3）集总端口面上下边缘，分别与微带线和参考地相接即可，不要覆盖或重叠；
（4）积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
+ H* f1 Y9 k  {, {- P" k+ G以上是我知道的，希望可以帮到你。

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-14 17:15
- D- x& Q. ~" y* Z8 [/ p1 j. M覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？ ...

/ W3 E* L# ^7 a: r0 f; }: ^soga~~,懂了，谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型，结果发现，同一个模型，利用两种加端口的方式，得出来的结果，S21基本重合，但S11相差就比较大，其实曲线起伏大概都是一样的，但是具体的值就不一样，也不知道到底是什么问题，所以在寻找答案过程中，，能帮我看看么

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。 ...

0 K5 F& c" w2 b, U/ O我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。

cousins

通俗的解释：
你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么？
/ c& @+ i, D9 i% r/ y复杂一点的解释：
端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布，重叠了多余的导体，会使这部分导体中多出不真实的电场矢量，这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上，还怎么满足散射测量一致？

咚次哒次

小螺号 发表于 2016-3-24 22:35
我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不 ...

楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确

小螺号

cousins 发表于 2016-3-26 21:39
% n6 }& s- b+ U; F7 z8 S通俗的解释：
: v* |& \- r0 W( R; y你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...

那如何设置才是正确的呢？

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:08
楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确

我再琢磨琢磨，谢谢啦
% {+ w/ J) d; ^* A2 t

cousins

小螺号 发表于 2016-3-26 23:57
那如何设置才是正确的呢？

% ^, C8 _4 K' ~: Z% Slumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想，我会以这么大的位置引入对应的电场，电磁波传播的方向与这个面垂直，同时磁场与电场正交。
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' y# G' ?3 Q" j- ~& A1 T" J

小螺号

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
& B3 F# ]+ A& ~lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

8 o5 M- A( {5 G/ x9 e2 V原来是这样，谢谢！
1 i: S- p7 L/ O- |+ b5 ?% V- [

hanqianq123

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
) `* m. z; a/ A& {" l: k( d9 ^8 klumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

/ ~3 L/ F  c. s0 g- w  g, W什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致，高度是一边接触到地，另外一边是接触微带线的下表面（端口不覆盖导体），还是上表面（端口覆盖导体）？求解答~~
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cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
6 Q- g* e# L/ z  L  C) R什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致， ...

. v- F7 k, Q& U$ r" J. V2 O+ o覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
端口与导体面相切是仅仅一条边。
1 T& K! @3 h3 t% N) i/ P. ^这样好理解了么？
( P' m: w" [9 c& {' K: i& Y

cousins

S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。
( [+ j  o* j+ P

yangjinxing521

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

# v& K6 s2 b" A) }9 ]5 J为什么？？？