求助：为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果？

小螺号

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我使用HFSS设置集总端口lumped port 时，把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时，发现两种情况仿真出来的结果（阻抗）有明显的区别，这是为什么呢？这两种情况是：（1）lumped port大小只接触到传输线和参考地边界；（2）lumped port大小覆盖传输线端口面，但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图：图1和2分别为情况一和情况二，图片右边导体为参考地。有哪位知道，帮忙解答一下，先谢谢啦！

1 S8 `( p4 w$ A/ n  R
+ D! z2 l& V- O4 d) h

cousins

yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
) t) t. w0 P& j1 {" S$ h为什么？？？

了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
S11和负载阻抗，传输线特征阻抗，相位 有较大的关系，而这三个因素在实际测试时都有误差，你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合，所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度，相位角度上一定会有偏差。

咚次哒次

1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
0 c0 O6 [1 u/ F4 y2 |& Q* q2.模式驱动求解类型下，集总端口设置的几个tips：
  E  o. G0 m& i2 L- b3 L（1）需要设置端口阻抗，作为在端口处计算S参数时的参考阻抗；
（2）集总端口面宽度与微带线宽度相同即可；
6 J& G" F& a( g% T4 E% E8 S（3）集总端口面上下边缘，分别与微带线和参考地相接即可，不要覆盖或重叠；
（4）积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
" |) d4 l/ b& O4 C! J以上是我知道的，希望可以帮到你。

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-14 17:15
3 ^8 G# Z! o" h6 S覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？ ...

soga~~,懂了，谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型，结果发现，同一个模型，利用两种加端口的方式，得出来的结果，S21基本重合，但S11相差就比较大，其实曲线起伏大概都是一样的，但是具体的值就不一样，也不知道到底是什么问题，所以在寻找答案过程中，，能帮我看看么
6 q3 w+ a0 \  o2 }

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。 ...

; {$ [) q+ o  k1 S: d9 t9 g我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。
; j2 _$ O9 Z6 _  w

cousins

通俗的解释：
- v& z: ^9 w3 C" g4 b+ n+ `你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么？
! x$ u% m( s  d7 }复杂一点的解释：
" d5 d3 d6 c4 _% [+ |端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布，重叠了多余的导体，会使这部分导体中多出不真实的电场矢量，这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上，还怎么满足散射测量一致？

咚次哒次

小螺号 发表于 2016-3-24 22:35
我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不 ...

: f2 L9 ]6 G7 p* V! U( g楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确
3 i# p2 c4 D/ Z" M% Z

小螺号

cousins 发表于 2016-3-26 21:39
) j( s$ T$ M! Q" \1 X' Y通俗的解释：
% z2 ~* K: P7 [' K# B你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...

那如何设置才是正确的呢？
! k8 P: Q3 K- _

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:08
楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确

我再琢磨琢磨，谢谢啦

cousins

小螺号 发表于 2016-3-26 23:57
! x) M% T8 e* U) C4 a/ r- z, t: \: S那如何设置才是正确的呢？

# Q: _8 j" m1 T" ?! L( m  slumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想，我会以这么大的位置引入对应的电场，电磁波传播的方向与这个面垂直，同时磁场与电场正交。
; H4 }1 T9 ~5 v) g% Q

小螺号

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

! U8 @$ d( [0 T) v原来是这样，谢谢！
9 V% N% |" a, ^8 q" q

hanqianq123

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
2 G6 h2 n, p1 w. mlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

2 |3 w  ]; m3 p/ i什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致，高度是一边接触到地，另外一边是接触微带线的下表面（端口不覆盖导体），还是上表面（端口覆盖导体）？求解答~~

cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
, I, P* F  ?5 q  F  ?# g+ `  t什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致， ...

- U2 o4 Z; {) h! \% L5 B; i7 j覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
端口与导体面相切是仅仅一条边。
1 C% U7 x" O6 X0 x8 e8 B3 d这样好理解了么？

cousins

S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

yangjinxing521

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

* g8 k' E5 v3 I  V为什么？？？