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CN3762充电时烧毁MOS管

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发表于 2017-8-1 16:58 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 c001 于 2017-8-8 16:19 编辑
) z$ |4 c" u3 \/ M1 z, F: g
8 X+ Y( X- T, C1 n( x
8 m2 s& b1 _# a  F如图所示,充电电流250mA左右,在充电过程中,MOS管Q5容易出现被击穿的现象(DS出现短路),请教一下是什么原因导致的?8 S: H- x! |3 Y( i

# E8 K: x" }) @该现象不是必现,有的板子正常,有的板子在运行一两天后就很容易出现# ~- p0 j7 B* D; h) \# v, J

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VIN 接什麼東西?會耗多大電流?^_^  发表于 2017-8-2 22:52
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 楼主| 发表于 2017-8-7 16:04 | 只看该作者
kings9527110 发表于 2017-8-7 11:58+ R$ W+ H, a  q: ^9 \- {! ?
1  拆掉Q5 上电24V测量DRV幅值是否是16~17V
4 a6 Z' {1 [3 z! n0 a  |% s& s8 U: E$ X3 a2  拆掉D16 然后在该处串电流表测电流
. r+ v; }) S% L2 y/ r9 o% `
1. 拆掉后DRV确实是16~17V) q' y$ A, h; Y8 u' ]! |0 `. K  W
2. 不拆掉D16,测RCS两端电压为120mV,说明电流为250mA左右
( `8 v/ a! L: C* I

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数据看起来都是正常的,你这个应该是个buck电路,我记得buck电路没有D16,或者D16可以放在C164之后使用。  详情 回复 发表于 2017-8-7 17:58

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 楼主| 发表于 2017-8-31 13:32 | 只看该作者
本帖最后由 c001 于 2017-8-31 14:54 编辑 4 r( V, @1 M" R  o9 b# g# Q$ R+ P
fyangp 发表于 2017-8-31 10:50
2 e& {; ?5 k  F9 O8 e  z8 ^VDS只有30V,而L26会产生负压,所以可能会损坏Q5,你选择一个VDS更大的测试一下
# G( l; a* O1 s6 Y
谢谢!
2 {5 l# d9 ], I问题找到了,把电阻R170换成0R,并把充电电流降低到原来的一半,就可以了...,主要是以前mos管发热太大了
3 f5 g4 s; _1 d

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发表于 2017-8-7 17:58 | 只看该作者
c001 发表于 2017-8-7 16:04
; T& u/ Q. j5 Q  O! `7 P6 N; {1. 拆掉后DRV确实是16~17V8 g8 a) g  F6 O# P' O9 }
2. 不拆掉D16,测RCS两端电压为120mV,说明电流为250mA左右
4 |. z+ f9 a7 [/ g$ ?% T
数据看起来都是正常的,你这个应该是个buck电路,我记得buck电路没有D16,或者D16可以放在C164之后使用。& j6 ?7 f- C* w5 L. H

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这个电路是按照datasheet画的  详情 回复 发表于 2017-8-7 18:58

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发表于 2017-8-1 19:29 | 只看该作者
表示不懂,但是这份资料或许有些用处,希望能帮到你。

DSC-CN3762.pdf

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发表于 2017-8-1 20:58 | 只看该作者
你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图

safe area.jpg (90.79 KB, 下载次数: 1)

safe area.jpg

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换了FDC658AP,Rds=44mR,同样会烧  详情 回复 发表于 2017-8-2 09:50
看不懂,这个是什么意思?  详情 回复 发表于 2017-8-2 09:46

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 楼主| 发表于 2017-8-2 09:46 | 只看该作者
lfc1203 发表于 2017-8-1 20:58
% P* C4 n1 _( H, U' w4 q" P你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图
) a: V6 T. g' k7 s) N  t8 a
看不懂,这个是什么意思?
! I. @( G, l, R2 f( X% J; F6 ^7 C: L  Y

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 楼主| 发表于 2017-8-2 09:50 | 只看该作者
lfc1203 发表于 2017-8-1 20:58
" {, O4 w) V) Q- D- P8 i; k; F你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图

& ]3 D; `; v, w9 B3 ?换了FDC658AP,Rds=44mR,同样会烧
7 ^; b/ w2 @! ~! t0 @# l

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你测量一下,Vds正常工作的电压,对应SOA区,在VDS多大电压时同多大电流的时间,如果那个时间短,就会烧坏MOS  详情 回复 发表于 2017-8-2 21:54

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发表于 2017-8-2 15:30 | 只看该作者
VGS的值超过限了

1.png (45.19 KB, 下载次数: 0)

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CN3762手册里说,G极电压会被钳为在VIN-7V左右,所以VGS不会超过20V  详情 回复 发表于 2017-8-2 18:41

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 楼主| 发表于 2017-8-2 18:41 | 只看该作者
alias 发表于 2017-8-2 15:30  W+ ~# [/ k) y- [8 t  a" H
VGS的值超过限了

$ v* O$ y' W( p+ I6 j7 [CN3762手册里说,G极电压会被钳为在VIN-7V左右,所以VGS不会超过20V
9 z1 h+ {; S- w$ h

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发表于 2017-8-2 21:54 | 只看该作者
c001 发表于 2017-8-2 09:508 `) _$ n" E6 ]6 |* K. _+ x
换了FDC658AP,Rds=44mR,同样会烧

* E4 O# Q8 h& N3 w* }9 V你测量一下,Vds正常工作的电压,对应SOA区,在VDS多大电压时同多大电流的时间,如果那个时间短,就会烧坏MOS2 y- `( l8 V' |/ L; N" ?& S" q; C. B

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充电时,Vd=22V,Vs为锯齿波,最大为8V  详情 回复 发表于 2017-8-3 13:36

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 楼主| 发表于 2017-8-3 13:33 | 只看该作者
充电时,由外接电源给负载供电,此时电池只充电,不供电/ r7 r3 s* B" g- _6 y; |& t

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 楼主| 发表于 2017-8-3 13:36 | 只看该作者
lfc1203 发表于 2017-8-2 21:54
" k* }$ y8 ~4 d3 D* }你测量一下,Vds正常工作的电压,对应SOA区,在VDS多大电压时同多大电流的时间,如果那个时间短,就会烧 ...
* v2 l  n( _. I, o! W8 u
充电时,Vd=22V,Vs为锯齿波,最大为8V
4 J( w4 J( {) N, K9 u7 ~- |/ }( F

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本帖最后由 kings9527110 于 2017-8-7 11:13 编辑 - h8 v& k  j" L1 o/ S, M/ E
- @1 d) @+ Q) A' D, ~
你的MOS管G极串的1K电阻是干嘛用的?为什么要串这么大?你把它换成50欧或者短路试试

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换成0欧也一样会烧  详情 回复 发表于 2017-8-7 11:28

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 楼主| 发表于 2017-8-7 11:28 | 只看该作者
kings9527110 发表于 2017-8-7 11:11
. f# p# W2 \7 D3 n' V9 i你的MOS管G极串的1K电阻是干嘛用的?为什么要串这么大?你把它换成50欧或者短路试试

. S5 R; z- z- j4 G+ y1 ]" {换成0欧也一样会烧2 F/ y" L( t, @+ _9 Y

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1 拆掉Q5 上电24V测量DRV幅值是否是16~17V 2 拆掉D16 然后在该处串电流表测电流  详情 回复 发表于 2017-8-7 11:58

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发表于 2017-8-7 11:58 | 只看该作者
c001 发表于 2017-8-7 11:28
( I$ ~' X; h! d, q: }6 y6 C换成0欧也一样会烧
2 f+ y9 ~: |  i& ^$ W0 T, `
1  拆掉Q5 上电24V测量DRV幅值是否是16~17V
$ b3 o7 v2 f, y# O: C0 Z$ m! i2  拆掉D16 然后在该处串电流表测电流$ F& Q2 p. P1 G/ @
$ }$ s% t" f  _2 F7 @- K: [

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1. 拆掉后DRV确实是16~17V 2. 不拆掉D16,测RCS两端电压为120mV,说明电流为250mA左右  详情 回复 发表于 2017-8-7 16:04
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