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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
   在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。
1 W- q8 p6 e4 Q   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!# `. L3 ?# D7 [: T7 }

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发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 0 h6 G" H" y4 i
6 `% e. q/ I% E) I
ACLR肯定是受输出功率影响啊( l+ z; F+ @. u' ?

' w) h2 x( I8 F
" ?! z1 ]' ?* Y9 k4 X- p; O! b: H  Y8 E* C' n: J! y& U# }! ?

# I+ P" Z  W. u4 t1 Q7 }/ |

/ b% R( g9 E) D3 {/ a* s* k
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
: K- O- P* h8 z( y* H7 V% b7 V7 w) a3 {- z) T1 X

9 e# C3 K5 B( |3 L( [
- b' h8 P) e0 J% G; \
# K* W' _9 E+ o4 p
0 G) i7 ^, Z5 Q1 l
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :. K* p; E( r* U: ^
) s1 o9 i  l$ Z( i: }. G
# O2 e1 E% g( h' p2 w1 T

+ g) _7 \; _4 ]4 c4 z
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨$ T/ J  V, a. `
, g& ^' k3 x% _. S
4 x% ?# X0 R  `  F3 J
7 }7 {* Q; K" B6 V% X/ W
) N( v) v; J( ~  x; Z; J
而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
' K2 B" I/ O2 E9 N) F, d
* o0 p/ u8 t$ z$ n
6 ^! g% I/ K7 z4 U
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
/ V/ t9 X2 F2 N" M9 E$ C, t8 _" @

, R4 |/ t+ O* s# Z4 K; r4 g1 s3 _( V* F8 o9 C% A8 }
# ^* Q- N* L' ~0 ~( P

7 Q' b; x5 Q2 a0 S6 w& o4 D& Z- i
/ m  V( v1 p$ X) q  n. m" g3 M" S; M3 {) M+ _- f* o

3 x5 M( |- ~! c& Z/ p
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
1 J; \2 D- Y, c; n
9 m) B# t8 B! v7 |

9 u: d( p5 i5 K4 f
& y$ @- u  p( b  Z
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
- ~+ J% @! k) L3 Y
' n2 R7 n4 ?7 h
* c. L. E) n7 R/ N
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
2 n- @6 E+ B$ }: e0 a. }+ [7 p( V, K4 h+ z. {0 K

, H% R/ v# C5 r3 ]8 u
) @- _( o# F' N, o/ X* f
而WCDMA的方块图如下

0 v6 ]; U& ]; ~* m" X. [  L; G& T
4 v8 A5 |- ~, O

0 D8 O: p, c5 M; Y! x3 `/ o9 c
PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
统称为PostLoss
如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :
% r7 ?) @: E1 T5 ^5 U6 F& f
2 Q. S: l$ C' w7 U
1 K) {/ r& e+ X( H+ e  M" H
) n& u5 R* M& K% C0 p
: M# J4 M& f8 G) F2 K  G- d* H& l8 U
如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化
& ~1 g6 o% G- |4 K7 d, F" s
' G2 W8 t/ }% J9 F$ V1 Z5 k& l6 }5 U6 }- G

* S6 N- ^# @  q6 }( z
% m  u  I! L* Q2 z4 \$ R5 |& O
& ^9 }$ z3 C8 K7 ~$ `& S  `( h) g3 V

2 p, t/ N1 q$ E8 h1 u* b
: B- O5 b5 ]. k4 @
4.      

1 j; g& j3 B" b

' L4 w( P" }- o
由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
加上PA是最大的非线性贡献者
如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
都要求至少-40 dBc' Z+ Y; @9 I% _

  {4 \& d* q8 f8 b3 y3 M
) D, z$ `. n. ]" [7 b% k

5 w4 B" R6 t- R& n8 S
亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
(由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
再次证明ACLR与输出功率有关)
* V( b* ]2 P) ]; b- _" {
7 v& A) G% }# W9 M0 o

1 D( Z. L/ }5 @1 {# t7 @' ^- G# W' @
5.      
LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
进而使ACLR劣化。

" h& m0 U% T1 S8 z; j) c

. L& @, F# w( ~
所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
可降低其IMD3
进一步改善ACLR。
8 a; Z1 l3 s( d2 X, }9 V2 X
, q2 U2 O9 Y- m8 |
若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。

, n4 d! T$ c$ O4 n; M4 v; B: K; O9 X

4 n; _9 l( s; J8 B: j
$ A* h  C7 A, \0 f+ y
而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好

; t9 j9 A8 [9 p# V; d8 ~
' P: E( N% @  I8 R  a- ]4 Z' p' t
6 t7 Q5 O5 D5 c1 ^' e3 T9 |
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
- ?, i5 ~/ E' }+ V& G& F2 [% \& l
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
; x0 k$ ], `$ q) e. w

# f" D/ D2 U( Z. p

7 A  t5 J, Y. {, z; ~
这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,2 c/ L+ j0 s. V6 i. ?
PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
4 Z( b' T+ T! L( o$ H
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
4 ^4 W* l* Z2 }9 U0 E7 `! E. w

$ t# O- k$ i' [1 K/ s& R, K) O: U: s9 f0 K

3 |$ f8 \" e6 ]# v! h. t5 q; n% g; l' K

6 }' R& n8 l5 T5 J
$ D8 A  ^" H$ X! V# Q$ D& a4 j
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
7 C0 q) f' C- Z: N
6 W; o% t2 \" U
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
7 n+ r) |1 C2 J8 |4 u0 ?4 F4 T
" O" w/ ?8 F3 H1 Z7 {& |
若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

$ [; ^# g; E+ W8 g$ a- E4 k
9 F: K) n9 M' f) l$ z- M, F

* T' J" L# z; Q! ?* E: T* e7 H4 A
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
) I6 C2 F" H. P9 `+ P' p! z3 @
1 i& c/ H9 C* W1 d6 V/ j8 E# b- u
# F. e# z2 D# y& u6 t
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
即Cgd, 如下图 :

" _6 b5 ?7 Z  @# l# Y- h' C3 Y

1 Y  c* x: X; v2 a2 @3 @' Y
( P0 d; t4 k$ w# u
. A% h4 T0 v# n/ s' n2 F9 B* m$ I
, B4 z- }, E2 t; {. @( i8 @

. y5 z6 b* r9 N( }3 P
而当电压极低时,其Cgd会变大。

+ W! e- A* V# l+ P3 G
                        
' P$ D1 f- }. G* |; X' ^+ m
上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
0 @0 W/ ?' i, M4 k# r" k. D因此部分输入讯号,
$ h9 S3 S: S2 k会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真3 F" e1 z9 x. _( d! I' r
简单讲  低压会让PA线性度变差
. j, Y# U, o- w2 x" d; i: P' y因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小
8 I3 c6 `0 ?2 C2 ]. y那么ACLR就会差
0 ^$ i( K! \) C7 W当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要4 p& A9 R0 E9 Z) g2 o/ h+ T
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
9 L/ D( \' o' g那PA输出端的ACLR   只会更差
* i) ]6 }- {' |" ]9 S
1 f  w4 \6 v& C
' E3 R6 W2 A- R6 R) j
' R& G% ?( @4 C+ O1 x; \: f% Y
# m7 I* ]$ o- T7 C9 ?. A8 R

# N+ F( ?' s5 E* G5 ]3 w+ ?; p- {% P5 Y5 M: k. b

, i. s2 @* \( A: q. M+ w# \9 O+ Q1 h6 v3 ^/ k
6 ~' _7 ~4 h( f  y# B: Z! ?
* W; g: M" v7 u) `1 x6 n* I1 g* a
& o* g# N" t; w& Q) t* m7 M
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
7 r& t& P, M+ X* {- V/ [) u

. W& M8 w1 \- ?0 p+ r9 c$ u
而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)3 k" s( Y7 @" J& _

  N4 x0 k4 X- X  p

/ Y2 @% o5 p  D2 I; M5 @
1 b6 L: F  F9 z1 r! ^7 G; R
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
  ]2 }9 M- i$ d' S3 A5 q# e) c! n* M/ a! E2 ]8 Z( b* c+ U6 h
4 x, P+ r9 H3 ^7 t

; r; D0 O9 E8 {: W( b+ t$ B9 l& Q

3 M) I! I6 r! u7 G6 I7 ^% C& H/ Y% X! L
& U/ b, I1 F2 M  ?
1 }- l' S; e2 J6 n  Q9 V8 r. P0 r; O4 ~6 W) W3 D& s  t* m' i
" ~6 B/ ]4 w3 j& N& j) V. \" r( S
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
6 n' Q6 [" }0 l7 O" Y, {

) G; D6 o' q- R; N# p9 j

$ n( H% R: v# R' M
由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
: B& Z& E  c8 }, i% s8 B  v( |
: T6 @6 e& [  ^# u) v; e
5 ?( G4 t& e7 Y, r4 S
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHz的ACLR
但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR

7 C6 F6 ]/ D* t  {; V
% Q' M6 c" g' z+ {0 e

2 O6 G7 e5 N3 C/ A* T9 Y
因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
如下图 :
. m* K' N, b; u0 {( m

+ ^8 {0 v+ t1 y, q

0 z1 b' ?1 E' r* L4 O+ U
我们作以下6个实验
& @9 M% f" ?# R# G" H- X/ [
9 k* b9 _8 r3 s9 J. a/ c+ s, ^# \$ D3 p
: V# o- f6 z" x. m; R

% y' V. {; G  @+ t4 |0 _
0 A8 [# y: \/ N9 |* C3 `- a
  V7 V5 Q9 |$ m

; L# w& _' i( r2 H, X

" x& }5 C6 S. C: D0 P5 ?. U
就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
其1MHz的InsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大

& ?3 p# C3 ?: ~
( M: R1 n4 O; i# C3 a8 d2 y
$ f7 o5 g, i% T. K

, i) g8 W) T, Y, n5 J: F5 ~+ |1 \5 ]9 f- {. ~# y5 A

9 l( d% l, K! X1 L, a% X; u7 q
% R4 ~3 C$ F. F0 O0 k; ^  v" e4 v0 B/ c: |" s

# e2 H" g. m3 Y3 [) {6 N
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
  i3 e; P9 J9 M: z3 C4 S6 R) e1 U

) E- F6 [$ c9 h6 d8 h
" W, Q2 C6 e8 ]8 B% `, K1 ?
( i) _5 v3 S1 u3 \/ D3 S3 G: g
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化

3 m: O( [, x4 \5 g( N+ Y
) r1 e  K( |1 ^  y7 ^
: T3 G& h: U, T3 l; n
. b" b) R% F+ w% a2 f3 m- \5 x
+ J1 s2 g3 m0 I4 z) e$ t

' c* p* z$ R7 E$ ]4 M1 V8 c& M  Y* \' N" R2 N
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
# h5 I- ~& X5 F1 U9 A% u
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

" O2 w7 M9 {* h4 j; G" c" T; v4 p/ `& _' m( Z" W
) L. v% P% F! E6 Y* d
其他详细原理   可参照  : A3 `- }( Z. H; ~* R: r
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
1 X3 _1 T* H+ }8 B# h( v
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  3 P4 c$ M9 F" ~9 m& [. G' S4 h
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  o2 d# s4 y, }) h3 D# D' n6 g0 g
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析- P, n- T: |; u" p' J8 ?
/ B, G6 f; e& D. ]8 O  o* C
  在此就不赘述
4 R2 i# g. R* ]  w
$ j) L( u3 X& z  c4 f
7 Y6 p% J9 W5 f7 P( q2 P8 f- i

9 _  q6 }  x( o3 W. ^# {. S

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支持!: 5
不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
支持!: 5
虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14

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 楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-3-8 16:32
' `* L' J& w3 p: S* N4 y7 g/ `' i$ hACLR肯定是受输出功率影响啊

0 W. b2 k' ^# a7 ^# n+ _0 r& {谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!
) H9 q1 r3 I8 _

点评

另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08
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本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
1 a7 C+ [1 H$ M/ k. a9 p
[url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]

, |# [- ?* f5 t) [# J6 e
* N' t$ |7 s8 z) h
5 L5 {7 ~  G- H$ \& J6 b  V& }  ~
) F& V+ q" q" X: w* U# A/ A3 u5 b
8 q/ }" N9 e3 g; b8 B2 \8 R+ S- v/ f% `# k$ V1 [3 |( H7 T1 q

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