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sigrity DDR仿真的 rise time

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发表于 2015-6-12 11:02 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DDR 仿真中 analysis options 中 rise time 需要自己设吗?设了这个好像没有用
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发表于 2015-6-14 10:55 | 只看该作者
嗜血大能猫 发表于 2015-6-14 10:085 Z" }; b. M2 Z% T8 l8 e4 s* [9 _( [* C
回版主,损耗小是整体损耗小,所以觉得是自己没设置好。在提取S参数之前只设置了叠层,电源和port(负极选 ...

2 N% D8 n& X2 a楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢?按理说同一块板子,如果长度一样,其损耗不应该有via的会比没有via的整体偏小。是不是会有很多谐振点呢?能否把spd文件发出来看看。值得怀疑这个结果。

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版主大大,https://www.eda365.com/thread-109884-1-1.html这个问题也帮忙回个呗。  详情 回复 发表于 2015-6-14 15:51
好的。请版主帮忙看下DQ7的损耗明显比dq12和DQ14小。按理说DQ7应该跟DQ4的损耗差不多的。他们都是2个过孔,等长也相差不大。  详情 回复 发表于 2015-6-14 15:50

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 楼主| 发表于 2015-6-14 15:50 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-14 10:554 v3 [0 k. T. B1 n# L
楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢? ...
  |: h- I. l- v  m9 t
好的。请版主帮忙看下DQ7的损耗明显比dq12和DQ14小。按理说DQ7应该跟DQ4的损耗差不多的。他们都是2个过孔,等长也相差不大。
2 _. s2 n3 O6 v3 Q

S参数.png (152.02 KB, 下载次数: 0)

S参数.png

DQ4DQ7DQ12DQ14.rar

1.23 MB, 下载次数: 27, 下载积分: 威望 -5

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d4,d7 d12 d14  详情 回复 发表于 2015-7-15 14:29

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发表于 2015-6-14 10:51 | 只看该作者
ann_wz 发表于 2015-6-13 11:16# V3 t9 g6 S0 S$ m. ]" e
敢问菩提老祖,过孔在powersi里面怎么设置模型,我如果提取pcb的s参数,是否需要设置,怎么样设置呢,,9 Q6 ~2 h" [$ i8 W/ ~5 u
...

) p$ f8 W$ |+ s( k; Avia主要是由PCB转化的时候得到的参数,在PowerSI中主要是设置您的plating。具体设置在上面的帖子中已经有,可以参考。

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发表于 2015-6-12 15:38 | 只看该作者
这个需要自己设置,自己算出DDR的Rise time

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ddr的rise time 也是 10-90时钟周期 T 吗,,还是会更小一点,应该怎么样算呢,,,菩提老祖,,  详情 回复 发表于 2015-6-13 11:17

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 楼主| 发表于 2015-6-12 16:26 | 只看该作者
好的。谢谢版主。我把rise time 设成300ps后再仿真为什么波形rise time没有改变?还有我同样抽取了2根数据线,1根有2个过孔,1根没有过孔,反而是有过孔的线S21 DB更小(在800HZ时有过孔的-0.16DB,没有过孔的-0.34DB),是不是还要设置过孔的模型?
/ k- T  J3 L% C+ A4 J
# H$ B2 b, ^7 {8 {" |! `

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via model 也是要设置的。至于损耗小,是整段小,还是800MHz的频点小呢?  详情 回复 发表于 2015-6-12 21:47

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发表于 2015-6-12 19:08 | 只看该作者
是用speed2000?7 y) ~# I" ~( T; k; a$ f

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发表于 2015-6-12 21:47 | 只看该作者
嗜血大能猫 发表于 2015-6-12 16:26' v+ g3 Q9 h0 S  J) N* F+ Y
好的。谢谢版主。我把rise time 设成300ps后再仿真为什么波形rise time没有改变?还有我同样抽取了2根数据 ...
" B  C& R/ z  p6 x+ H8 r
via model 也是要设置的。至于损耗小,是整段小,还是800MHz的频点小呢?

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敢问菩提老祖,过孔在powersi里面怎么设置模型,我如果提取pcb的s参数,是否需要设置,怎么样设置呢,,  详情 回复 发表于 2015-6-13 11:16

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发表于 2015-6-13 11:16 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-12 21:470 ?3 K  o# x, |3 U
via model 也是要设置的。至于损耗小,是整段小,还是800MHz的频点小呢?
  ?/ K+ h: U8 @) `
敢问菩提老祖,过孔在powersi里面怎么设置模型,我如果提取pcb的s参数,是否需要设置,怎么样设置呢,,: \- _$ d7 O( {2 _( }6 V  i

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via主要是由PCB转化的时候得到的参数,在PowerSI中主要是设置您的plating。具体设置在上面的帖子中已经有,可以参考。  详情 回复 发表于 2015-6-14 10:51

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发表于 2015-6-13 11:17 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-12 15:38
; V; I) e  j4 i" C这个需要自己设置,自己算出DDR的Rise time
7 H' O! Q- C. _3 ?
ddr的rise time 也是 10-90时钟周期 T 吗,,还是会更小一点,应该怎么样算呢,,,菩提老祖,,
- I5 a2 I# E2 V  l

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 楼主| 发表于 2015-6-14 10:08 | 只看该作者
回版主,损耗小是整体损耗小,所以觉得是自己没设置好。在提取S参数之前只设置了叠层,电源和port(负极选了离正极最近的GNDpin如图),至于过孔模型如图只设置了outer coating material 种类 。

无标题.png (153.69 KB, 下载次数: 2)

无标题.png

无标题2.png (148.06 KB, 下载次数: 1)

无标题2.png

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楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢?按理说同一块板子,如果长度一样,其损耗不应该有via的会比没有via的整体偏小。是不是会有很多谐振点呢?能否  详情 回复 发表于 2015-6-14 10:55

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 楼主| 发表于 2015-6-14 10:22 | 只看该作者
仿真波形的rise time 多少是由IBIS模型决定的吧?仿出的波形上升沿比较抖,请问软件中可以调节吗?

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不仅由IBIS决定,还取决于你的仿真速率和trace长短,via数量等等。  详情 回复 发表于 2015-6-14 10:52

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发表于 2015-6-14 10:52 | 只看该作者
嗜血大能猫 发表于 2015-6-14 10:22; x. R! @1 b+ m4 Q
仿真波形的rise time 多少是由IBIS模型决定的吧?仿出的波形上升沿比较抖,请问软件中可以调节吗?
- ^- @9 c6 T! m' ~
不仅由IBIS决定,还取决于你的仿真速率和trace长短,via数量等等。

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 楼主| 发表于 2015-6-14 15:51 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-14 10:55
4 W! I) t2 h0 P3 |6 H楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢? ...
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版主大大,https://www.eda365.com/thread-109884-1-1.html这个问题也帮忙回个呗。
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 楼主| 发表于 2015-6-15 16:05 | 只看该作者
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