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NRF51822 ADC检测,关机后耗电大,请做过的朋友建议

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发表于 2018-3-6 10:51 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 21:51 编辑 9 W+ O* N) z" a9 \: d" @

& l, q9 h1 ^' C' b8 m4 hNRF51822  ADC检测电池,原本用100K/200K分压。嵌入式觉得电压检测不准,直接改成10K/20K,那么带来了新问题,就是关机功耗大。2 }- ]5 ^) T) Z4 n9 f6 b
3.7V/30K=123ua,51822内部也分流,导致实际关机功耗200ua+,大大超出计划,请问做过的朋友有何见解?
3 h9 e& E5 X0 _' E/ s& H" [  b1 v/ R3 k( U7 Z4 Z
  G0 X: h9 P$ e
/ V% X# f  U; x: {8 b' m' x, Y

& j) _: v" M% S$ i: Y0 z

nRF51822_PS_v3.1.pdf

7.02 MB, 下载次数: 7, 下载积分: 威望 -5

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发表于 2018-3-8 20:35 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-8 22:53 编辑 , u! X4 z6 Y  [& L: C- D  b
hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58
' i3 b! ^3 Y0 }+ p2 ?: ^2 B; F# `7 Q请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?

( W2 X4 A" S1 x7 I& R2 TMOSFET 電晶體閘極電阻Gate Resistance的功用. w# o9 c, w4 ?5 u( E
MOSFET 電晶體會在閘極Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻GateResistor通常被標記為 Rg rg

0 Z4 h$ w" X  L8 O  o
( o+ i8 A9 |) T1 U1 W( n7 z閘極電阻GateResistor的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴Ringing)現象,閘極Gate)本身有寄生電容Parasitic Capacitance),若閘極Gate)的控制走線帶有過大的電感,LC 會產生振盪。

; b2 [( [" F! I. Z9 f% M, a4 {3 ^$ M% @+ g2 H- m6 g. |% X
振鈴Ringing)現象會讓 MOSFET 電晶體,處於要開不開、要關不關的異常狀態,電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙,嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻GateResistor有點類似數字電路中的阻尼電阻DampingResistor能衰減振鈴Ringing)的強度而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET IGBT 電晶體的控制電路。

% q9 ^& k' ^0 p2 F+ O3 c
- y5 o$ p/ l/ r" }3 f3 Q7 A
9 |: Q: V% I# h5 q% s& B# ~

  {4 P2 s& o) L* P2 y" ~+ |1 n3 t

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Gate Resitance.jpg

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 楼主| 发表于 2018-3-8 15:35 | 只看该作者
超級狗 发表于 2018-3-7 11:31
* w6 h# @. i) D* n' a; l! R系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。
6 U9 g( t% M. N
我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?
9 {; ^- B( ], g# O# M! m$ k7 I5 c* D+ N* }0 T/ [' X: x

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发表于 2018-3-6 15:17 | 只看该作者
不要将电压检测直接加在电源端,通过一个N管加一个P管和一个IO口来控制,当输入高电平才检测电压值,这样就不会一直耗电

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发表于 2018-3-6 15:42 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 15:45 编辑
8 S: e; @% H5 j1 K8 Y. H
& V: U  e& L3 p- m. _3 f如果關機時只把電源芯片關掉,電池電壓還是會從沒電的 NRF51822 ADC 管腳灌入,漏電也有可能造成開機後 ADC 功能異常。0 L- }/ V; a! q
- H7 J' z3 Q% n# ]2 a
網路上有人說,他用 NRF51822 搭配兩個外接 470M 分壓電阻偵測電池電壓沒問題,但他的架構是用一個開關,關機時就把電池切掉。+ u$ k! X5 i6 }' ^
, N7 e% i, S& ^7 x
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发表于 2018-3-6 17:02 | 只看该作者
我是用MOS管开关,定时测一下,待机的时候直接关断 MOS用开漏引脚控制

电压检测.png (13.26 KB, 下载次数: 1)

电压检测.png

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如果關機後 VCC_Batt 還在,電壓還是會透過 R21 往 PMOS 控制管腳灌。最好還是透過 OD 門或 OC 門控制。^_^  发表于 2018-3-6 20:48

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发表于 2018-3-6 17:10 | 只看该作者
电池电测,分压一般用M级的吧。

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发表于 2018-3-6 17:14 | 只看该作者
一般用的M级的。

1.jpg (905.04 KB, 下载次数: 0)

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小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。  详情 回复 发表于 2018-3-6 17:15

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yidanshuxuexi 发表于 2018-3-6 17:14  Y9 a. g" ]6 |1 x" R$ v9 `
一般用的M级的。

3 L: ?  N% l1 w; ?小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。

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请问 小电容是如何做电流补偿的??能不能详细解释一下,谢谢; 我感觉是不是因为电阻太大了,产生的白噪声有点大,才加了个小电容降噪?  详情 回复 发表于 2018-3-9 08:40

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发表于 2018-3-6 20:39 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 20:41 编辑 $ N' X- D0 b0 B- [/ R, A; {; g
4 e+ S* ~# [% k' x3 V) U" C+ A
有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。
) H+ P" u; S. C5 U
, |6 r- H8 M3 d4 c, p

6837_1.png (40.34 KB, 下载次数: 0)

6837_1.png

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版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?  详情 回复 发表于 2018-3-7 09:45
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发表于 2018-3-6 21:03 | 只看该作者
系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!, ?+ ?2 d0 v1 V2 Z$ H, v, e

3 G+ T4 r% `3 q
3 a5 ]% k: N" T! p7 f* i8 k

VBAT Switch.jpg (17.26 KB, 下载次数: 0)

VBAT Switch.jpg

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请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?  详情 回复 发表于 2018-3-8 09:58

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 楼主| 发表于 2018-3-7 09:45 | 只看该作者
超級狗 发表于 2018-3-6 20:396 d1 ^5 t9 W8 s$ ~! c2 f! K$ Y$ C
有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。
! j4 }& Y+ P* ~
版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?

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系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。  详情 回复 发表于 2018-3-7 11:31

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meng110928 发表于 2018-3-7 09:45" j9 O) n! g& b, W5 h" U
版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律 ...

: j- `. H% F- A0 U% _1 u7 I系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。* z1 h8 z; v/ |( W' b( _

. A; q* q8 h# |+ B* s" ~5 d1 w" t/ t9 B: A

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我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?  详情 回复 发表于 2018-3-8 15:35
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超級狗 发表于 2018-3-6 21:03
1 E; K* x, Y6 N9 G- ~! c系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!

. v8 m2 E0 Q1 g请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?1 M" {/ P1 c, i7 C

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 楼主| 发表于 2018-3-8 15:31 | 只看该作者
hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58
' {1 W, Y& D& [7 x; W% i请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?

% _6 P: D, S5 d9 A这是MOS,电压控制。
/ s) M! q* ~# b3 ^" J4 |# u6 n

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发表于 2018-3-8 16:32 | 只看该作者
meng110928 发表于 2018-3-8 15:35
# ^0 S1 ^4 ]% |; L: }8 w. G7 \我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电 ...

$ k( |3 L8 U' O  R) e不必太過認真,洋人給的是示意圖,不是原理圖。
! p; b4 ^4 B. [( Z3 }" v
: F/ H0 @1 a( U再則他也只說功能沒問題,有沒有做過詳細測試未知。( ~( {3 E" }( |$ j. `% @8 }
/ q( S6 p6 G/ c( [

: m! ]- p. g. Z& R3 u
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