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本帖最后由 超級狗 于 2018-3-8 22:53 编辑 , u! X4 z6 Y [& L: C- D b
( W2 X4 A" S1 x7 I& R2 TMOSFET 電晶體閘極電阻(Gate Resistance)的功用. w# o9 c, w4 ?5 u( E
MOSFET 電晶體會在閘極(Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻(GateResistor),通常被標記為 Rg 或 rg。
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( o+ i8 A9 |) T1 U1 W( n7 z閘極電阻(GateResistor)的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴(Ringing)現象,閘極(Gate)本身有寄生電容(Parasitic Capacitance),若閘極(Gate)的控制走線帶有過大的電感,LC 會產生振盪。
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振鈴(Ringing)現象會讓 MOSFET 電晶體,處於要開不開、要關不關的異常狀態,電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙,嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻(GateResistor)有點類似數字電路中的阻尼電阻(DampingResistor),能衰減振鈴(Ringing)的強度,而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET 或 IGBT 電晶體的控制電路。
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