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敷铜连接方式疑和晶体电容位置的疑问

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发表于 2017-8-18 11:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1.敷铜连接方式疑问. 哪种更好些?
4 t. ^  z0 }1 N9 U  十字型连接或者直接相连.如下图所示这两种。8 q- P, Y6 Q5 ~; R
   哪种更好,对于贴片是否有影响?我只知道第二种手工焊接的话GND焊盘很难上锡。1 o" K8 E- N. d5 @% x
   9 h! }  x3 k3 v5 s. k* i0 p% Y
2.就是上图中晶体的电容放置的位置,是放置在如图所示电容末端,还是放置在电容前端更好? 谢谢指教。7 F" I! J% V; X# d/ P+ o* J
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发表于 2017-8-18 12:18 | 只看该作者
1、电流不大的前提下,还是十字连接好些。不然散热太快,不好焊接
' ]- F$ p4 @- X7 m! _2、电容最好放在晶体前端,以防stub

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发表于 2017-8-18 13:11 | 只看该作者
本帖最后由 yihafewu 于 2017-8-18 13:12 编辑
8 M0 R  J# m3 R; t
/ j# S1 w; w) g  h* l: g5 K8 h! l: ~同意楼上2 M4 ~6 g+ ]+ ?
1、手工焊不好焊,回流焊易立碑
' v" W- G6 j' o2 x6 F* K. p. }2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割,只在IC地脚相连。晶振底下不要走信号线,我说的是上面那几条。

点评

同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。 [attachimg]130601[/attachimg]  详情 回复 发表于 2017-9-12 14:18

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 楼主| 发表于 2017-8-18 14:38 | 只看该作者
谢谢!. z& P  |, l6 e* N$ K& H+ [2 Z  m
1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...
' ~. |: H( W1 c2.这个是PIC单片机,8MHz. 量产的就是这么设计,我之前看过评审建议电容放前端,因此有疑问,那么下一版如果是我负责就改过来

点评

就是该放前面,而且焊盘必须放在走线上  详情 回复 发表于 2017-8-18 18:41
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发表于 2017-8-18 18:41 来自手机 | 只看该作者
本帖最后由 WattleHua 于 2017-8-18 18:44 编辑   \" a& ~( K# {0 H; P5 S
lize314 发表于 2017-8-18 14:38
0 I) S9 c, `- c谢谢!5 M( [6 T; N8 W# d( ]: L' N
1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...! X7 t9 E' Q" Q
2.这个是PIC单片机,8MHz.  ...

/ D( n1 [& W: P7 a2 O- O我目前只要没有特殊要求,6层以板子全部都是直接连的,不用十字。
! x7 w$ ^2 [9 G& \6 S( c% [电容应该放在晶振和单片机之间,而且焊盘必须放在走线上。不然你就放背面,和晶振管腿只隔一个阻焊桥。

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发表于 2017-9-12 14:18 | 只看该作者
yihafewu 发表于 2017-8-18 13:11
/ w& q: S8 O. v/ C& N/ K同意楼上- E! H2 ?. O$ O3 ?. e
1、手工焊不好焊,回流焊易立碑
# g8 i0 T$ J9 E- |$ m. t! Q8 N2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割, ...

" k  j8 M5 o+ p' N同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。* `, v6 c3 ~) P; J& m5 p% ]0 C

) [" [. l2 B; g! u: c/ O

点评

我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没  详情 回复 发表于 2017-9-13 09:41

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发表于 2017-9-13 09:41 | 只看该作者
疾风飘流 发表于 2017-9-12 14:18! q+ u6 {# Z( a+ C) s/ S
同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。
; u) {% q$ c. q4 b- I. i8 G# v; p
我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没错的,条件允许的情况下越短越好。) m- W) w+ m! ^4 x/ p5 J; @$ d
第二个问题是,避免出现stub,对于高速信号来说(即上升沿下降沿很陡的信号),会导致信号反射。第三个问题,各自信号到负载电容的走线要尽量一样,至少误差不能太大。针对这两个问题,将电容放内侧,并使信号线直接走到电容焊盘再到晶振,即避免了stub的出现,又使各自信号到负载电容的走线一样长。, k4 g# m3 O7 U" k9 H' E- U

* U4 K+ L: z; J
# `6 ?! k) @2 ?其实我也是根据厂家推荐的方式来布局晶振,也没有太多的理论知识,因此上述看法仅供参考。
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