本帖最后由 criterion 于 2015-12-31 14:20 编辑
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1. Matching组件的决定 请看以下附件 看简体版的较方便 7 F1 z, u+ {: E$ r0 ?0 Y1 X5 v
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+ Q& b4 Y, i* p* R f2. DC Block部分 4 B {! D) F. m! Z6 {
如果你不想让该DC Block影响阻抗 那你放个150pF就好 假设下图Point1是原始阻抗 Point2是串联150pF的阻抗 可以发现 串个150pF 不会影响阻抗 7 i* b% T. M/ P! m4 r# r6 Y. _
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! K/ K$ i" ^! Y [* [+ b而且串电容 基本上只会砍直流 对你433MHz的讯号 几乎无损耗 . Y" E4 J3 V8 _% m1 h$ z
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所以4463-TCE20C460_sch.pdf这份文件 DC Block放的是150 pF
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. m u9 \3 p) Z2 i0 X当然你也可以物尽其用 把DC Block当Matching组件来用 既然是Matching 那值的决定 就同步骤1 反正你只要串个电容 就可以当DC Block 433 MHz的讯号 不会被DC Block衰减 2 X4 U4 ]: q8 T/ f' l* k: g. C
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至于C7跟L5 因为你Rx讯号是差分 再比对4463-TCE20C460_sch.pdf的话 这两颗应该是Matching组件 只不过差分的匹配比较难 你就尽可能让Rx走线走短一点 阻抗控制好 不要走内层 如果Switch离Si4463就是很远 那你要在C6前面 多加一组L型Matching
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然后这个L型Matching跟C6 都要非常靠近Si4463 这样到时候 你Switch到C6的长走线 造成的阻抗偏掉 还可以靠这个L型Matching调回来 同时因为Switch到C6这段 是Single-end的50奥姆 那你就回到步骤1去调Matching就是了 这样的话 只要确保Switch到C6是50奥姆 因为C6离Si4463很近 所以C6到Si4463 阻抗不会偏太多 那L5跟C7 就随便盲调即可 真要放个初始值 那就分别放1pF跟1nH好了 不会影响阻抗 也不会衰减到433 MHz的讯号
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至于L1 那是当RF Choke使用 目的是避免RF讯号 回灌到你的VDD 那你就放个270nH 2 i6 L' I! S4 C) x
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由上图可知 串一个270 nH的电感 对于433MHz 有23.5 dB的衰减 这样对于回灌到VDD的RF讯号 已经有一定衰减量了 同时 270nH电感的自我谐振频率 是586 MHz 换言之 你的433 MHz仍未超过270nH电感的自我谐振频率 所以不会有啥副作用 / b2 ~$ Q# \8 h1 m j
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如果你的电感值过大 其自我谐振频率就低 那么一旦你的433MHz 超过其电感的自我谐振频率 此时对于433MHz而言 这颗电感会呈现电容性 你是在利用他的电容性来砍RF讯号 也就是说 你是把电感当电容使用 或许仍有RFChoke的作用 但这可能会有其他副作用
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发表于 2015-12-31 08:23
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发表于 2015-12-31 14:18
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