ddr43布局

David_Xie

{:soso_e135:} 请教各位大侠：
6 W1 c+ M9 d3 f) \, _1.  4颗16位DDR3如何布局，请看图纸
2.  DDR1和DDR2....之间addr，cmd，DQ,DQS,CLK长度关系如何？
3，DDR1中addr，cmd，DQ,DQS,CLK长度关系如何？
望大侠们不吝赐教，谢谢！

szxq

谢谢！

rongwinzip

牛B的交换机！

lswei001

好东西啊，楼主

Larry_11844

给你回复到这里了，那里面不能添加附件

天翼

以16bit DDR3为例

, |. Z- |' v- I5 Y6 M. k时钟信号CLK
7 v/ |: P. f2 P时钟信号CLK的长度要求如下：
, A% X- z0 g3 s* w1、 CLK信号走线长度最长不能超过4inch；
" _! M8 J! v* e: o; [4 C2、 CLK差分对信号走线严格走差分，差分对内部走线的长度差推荐小于5mil，即：|LCLKxP-LCLKxN| < 5mil；
3、DDR走线线宽和线间距不能小于4mil。

9 b# M; K% d( D' \5 h数据选通信号线DQS
! A0 V& c  ]& P! D2 V数据选通信号线DQS的长度要求如下：
2 K4 P6 m, }) n& s- q9 s- V1、DQS差分对内部两根信号线严格等长，差分走线长度偏差推荐小于5mil，即：|LDQSxP-LDQSxN| < 5mil；
5 h: y4 r1 t7 Z$ [. k2、DQS以CLK时钟走线长度为参照进行走线，其走线长度相对于CLK的走线长度允许的偏差为±250mil，即：LDQSx = LCLKx +/- 250mil。
# L. M  u8 V* M$ Y3 ]. j* k2 n
+ k/ _. {8 w# U; W4 m" G/ e; i数据信号线DQ[0:31]
数据信号线DQ[31：0]的走线长度以DQS作为参考，偏差50mil，具体如下：
  ?( T! f$ I% T1、DQ[7:0]以DQS0的走线长度为参照进行走线，允许偏差范围为50mi，即：LDQ[7:0] = LDQS0 +/- 50mil；
2、DQ[15:8]以DQS1的走线长度为参照进行走线，允许偏差范围为50mil，即：LDQ[15:8] = LDQS1 +/- 50mil；
3、 DQ[23:16]以DQS2的走线长度为参照进行走线，允许偏差范围为50mil，即：LDQ[23:16] = LDQS2 +/- 50mil；
1 D2 K4 B+ y: m4 V( c4、DQ[31:24]以DQS3的走线长度为参照进行走线，允许偏差范围为50mil，即：LDQ[31:24] = LDQS3 +/- 50mil；
7 y) a7 M- f5 l7 g, P5、数据走线推荐以GND层为参考平面，在无法满足的情况下，要求同组同层走线。
  I- O  l+ s5 z/ K
9 n5 b6 ?" c  s2 U数据掩码信号线DM
数据掩码信号线DM的走线长度以DQS为参考，要求如下：
' b  P( ~' @: k) Q3 {, J. a4 i1、DM0以DQS0的走线长度为参照进行走线，允许偏差范围为50mil。
2、DM1以DQS1的走线长度为参照进行走线，允许偏差范围为50mil。
3、DM2以DQS2的走线长度为参照进行走线，允许偏差范围为50mil。
# R% L; o# O! g2 ?/ v6 n4、DM3以DQS3的走线长度为参照进行走线，允许偏差范围为50mil。
1 H/ N4 V& C: T. h' p0 m+ }
; B5 w& q8 ?5 s! N6 p地址信号线ADDR[0:14
地址信号线ADDR[0:14]的长度要求如下：
' r4 n) ]! X) ]$ X$ e4 A* x, Q1、ADDR[0:14]以CLK时钟走线长度为参照进行走线，允许的差范围为100mil，即：LADDR = LCLK +/- 100mil；
+ V$ M# n2 i8 W! E3 W2、地址线采用T型走线，T点到主芯片端管脚的走线，最长不超过2inch；T点到DDR颗粒端管脚的走线，最长不超过1inch。
$ k$ p; z1 Z6 y  ]8 r6 h
# e0 r* u: l/ E0 n. K控制信号线
, h. Y+ B1 o( @8 C控制信号线BA[0:2]、DM、CKE、CSN、WEN、CASN、RASN、ODT的长度要求如下：
1、控制信号线以CLK时钟走线长度为参照进行走线，允许偏差范围为100mil；
2、为减小信号反射，建议所有DDR3 SDRAM接口信号走线避免穿越电源地分割区域，保持完整的电源地参考平面，单板PCB设计时传输线阻抗控制在50Ω±10%，DDR3时钟差分线阻抗控制在100Ω±10%。

9 g8 i9 }4 A: O* X

yimiyangguang

你可以看看Jimmy的 “ ★★★ 大家一起学PADS（二） ★★★......【有问必答贴】 ”

David_Xie

在线等啊，大侠们！！请指教啊{:soso_e135:}