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[仿真讨论] 硅谷动态

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发表于 2012-5-9 13:06 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 stupid 于 2012-5-9 13:12 编辑
/ p8 k+ Y# f4 t0 X) _, p
% W0 i- P! h6 b" [$ ^' |混合信号电路设计进入28nm“分界区”
: T- b# t# }/ ?* N2 c& G4 ~
" V9 z& m! ~. _; F* h( L  Berkeley设计自动化(BDA)公司CEO Ravi Subramanian(见图1)在主题演讲中阐述了混合信号电路特征在纳米技术时代的挑战。他指出,混合信号电路设计进入了28nm“分界区(Twilight Zone)”,7点理由如下: 5 B1 b4 X+ M1 ^* N* Q( w
5 Q* [  E% _, n, Z0 K' O) q/ }, o: p
, O6 T7 B: _2 x1 O
图1 Berkeley设计自动化公司CEO Ravi Subramanian, Q" D- s) o5 r: o4 F7 D: j
4 o0 S- X* z; U# f1 V! n, w
  1.随着工艺节点的发展,器件建模愈加复杂。90年代初的BSIM3(加州大学伯克利分校仿真晶体管模型)只有一些基本模型,后来的BSIM4增加了RF模型(包括基板阻抗和热噪声)、广泛的与布局布线相关的寄生参数模型、栅致漏极漏电(GIDL,gate-induced drain leakage)和栅极介电隧道电流等。此外,模型还增加了Verilog-A,及其他无源器件、二极管、受控源器件等基本元件。BSIM4.7模型的出现进一步证明了建模的复杂度。
& T1 g& X, }, }, [, g4 j5 _' l: X9 _, ]: O
  Subramanian解释道,当提高晶体管内部的精度时,等效电路方程会相应增加。例如,若每个MOS管内增加3个节点,等效电路方程增加11倍,这意味着仿真时每个晶体管的计算增加了11倍。可以想见,对于100个晶体管,仿真时间可能从1小时增加到11小时。 6 c1 c) N3 m5 A' j
! x* V4 F7 B6 R( P2 L$ R7 A
  2.对于后布局仿真,寄生效应引起的巨大破坏性在增长。其表现为,一项简单的设计中,数据库容量要增加10-20%,甚至高达3-4倍。
1 A/ {3 v2 k) s/ p/ b
& v9 A8 _5 }7 J' I4 ~$ M! X  3.在纳米CMOS工艺时代,器件噪声从以前的三阶、甚至四阶效应,已发展成为目前的一阶效应,严重影响了电路性能的提升。为此,要保证电路性能不降低,需在功耗或占位面积方面进行折中设计。 . B. a( [% ^% d

) Y$ C& ~5 U5 r- X* V* G& U5 m  4.从最佳器件模型到最差器件模型,及过温和过压状态下,电路性能的变化,即corner spread问题。它会随着芯片工艺尺寸的减小而增加。
/ g* n$ O- o9 u4 s4 z  v0 z- f0 z* g! B( }8 R
例如,在通常的锁相环VCO设计中,若晶体管采用65nm制造工艺,从慢corner spread曲线(慢晶体管性能)到快corner spread曲线,某个给定信号的运行变化范围是1.5倍;而对于22nm工艺,从慢corner spread曲线到快corner spread曲线,某个给定信号的变化范围将达2.5倍。因此,设计中需要容纳这样的变化率,以满足设计规范。
& _: h6 U: q+ V& M# ~  A9 X' r: G1 a6 z6 t4 M, U
  为解决corner spread问题,要通过严格的设计规范进行控制。用低阈值电压器件缓解corner性能的较大变化,但由此带来的最大缺点是漏电流增大。高阈值电压器件可解决漏电流问题,但只适于数字电路。这两点要做到均衡很不容易。90nm到45nm,45nm到28nm的IP重用也很困难。 ' z! L% N8 x9 I4 E9 M9 B" F
" x7 ~* @- S2 y; p/ Q) R( P
  5.低压混合信号设计能实现低功耗,需大胆标定芯核电压,I/O供电较为可取。在设计中,对于输出级,稳压器要从NMOS转成PMOS,用附加电路解决输出匹配和电源噪声问题。I/O电路的新发射极架构包括电压模式驱动、混合电压模式和电流模式,但电压模式下,数据率会降低,抖动将增大。
& D2 F1 ~3 l+ v% J: m
8 |( G* M2 n9 O9 w8 ?( Q% F  j  6.28nm时代的设计规则也更加复杂,就连一向受业界景仰的模拟设计师也不太容易熟练地驾驭。设计布局要认真考虑,器件类型和尺寸都有更严格的限制。 + x0 Z: U' I# |$ ^

8 d6 p. s9 o7 F* x: C  7.目前,复杂的模拟电路和数字电路将同时在新纳米工艺节点上出现。28nm工艺的ASSP大批量生产中,混合信号电路的良率会出现主要瓶颈。要保证高设计良率(DFY),需要知晓制造和可靠性方面的工艺特性。例如,电迁移;HCI(MOS器件的热载流子注入)、PMOS器件的NBTI(负偏压温度不稳定性)效应;NMOS器件的PBTI(正偏压温度不稳定性)效应。 7 v# ?; F0 s3 B  b, ^8 x& G2 Y7 [) \

2 G, c3 @& h! |  V  同时,要注意两种失配对设计良率的影响。来自制造变量的器件局部变化所引起的统计失配,及来自布局的系统性失配。前一种失配需要先进的Monte-Carlo仿真,而后者需要新的布局方法。
2 d  q% \6 N  _3 o9 w" i1 m0 z
9 J& C$ R& e- ?4 O" f) @  28nm与40nm的特征要求比较,28nm与65nm的DAC SFDR(无寄生动态范围)分别如图2和图3所示。 ( \; i+ V/ a1 S4 n
2 |2 t8 `* L! n  k, L3 `
1 h5 Z5 {1 ~! c- \
图2 28nm与40nm的特征要求比较(红色字为28nm特征,分别比40nm提高20和10倍)
# O! a' P1 e" K! L
6 i+ q3 T. w5 I1 y% h' O图3 28nm与65nm的DAC SFDR(17MHz时,红色字为28nm的SFDR值)
2 Z9 Y8 K4 j/ G6 k. c" [$ K: X# D, e* g% ]  f
对于nm定制化设计,BDA公司提供AFS(模拟FastSPICE)平台,及28nm精确检验(Accuracy Validation)噪声分析工具,其流程见图4。 & b- Y7 _. j) {- J6 q
8 M" T: Z7 E# {0 n) [: s/ L% \

* S6 T" f7 h3 F$ V( }: @图4 BDA公司的28nm精确检验(Accuracy Validation)流程
; L; S9 n: `9 ~. U& ^
/ O8 s( W& n# n% t3 F/ u& `- ~带虚拟外设的仿真平台
' l8 i8 G& ~7 |% d4 p7 j3 A5 u) q0 }$ Y# u- [4 y. ^# i0 a
  Mentor Graphics针对SoC设计验证开发出了带VirtualLAB外设的下一代仿真平台Veloce2。最多支持20亿逻辑门的设计,与上一代平台比,在同样的占位面积和功耗下,Veloce2把性能和容量提升了2倍,即生产力提高了4倍。具有快速编译能力,完全可视化调试和存储器建模。
. r+ X0 N$ x1 x6 ?+ v; v6 e7 S
5 t3 ~% w. M! W# Q" d! `2 X3 o+ e  “这主要因为Veloce采用了全定制化仿真芯片Crystal2。65nm工艺的Veloce2可与45nm的竞争仿真器媲美。与最接近的竞争产品比,功耗降低了75%,每逻辑门的占位面积减小了2/3,5年内可节省50万美元的成本。”Mentor仿真部门营销总监Jim Kenney(见图5)表示。
. X, d/ O- w. `) F$ l) N  X2 g/ u% y; ?1 L" a! t

/ \+ m. @. b0 N' x& \' F图5 Mentor仿真部门营销总监Jim Kenney
0 w3 b1 ^. x, S  与成本高且缺乏灵活性的ICE(电路内仿真)比,VirtualLAB为验证工程师提供了与Veloce平台相联的基于Linux软件的外设,能同时支持多位设计师,而ICE需通过硬件加速适配器与仿真器进行物理外设连接(见图6)。这种虚拟实验室环境可验证高端CPU、网络交换机或路由器、数字机顶盒、平板电脑、智能手机和数字相机等复杂电子系统的嵌入式软件和SoC。 : U. E4 a; H3 P1 z$ b5 `
6 S+ T% j- W: L# U) R
1 [' O8 a/ ~- I$ c& Q1 n* a0 B: ^
图6 Mentor Veloce2的VirtualLAB以太网与ICE仿真的比较(中间黑盒子为Veloce2)& p" m& ^# p  E2 C* i0 i( f+ r) ]
  VirtualLAB以MHz级的仿真速度运行RTL代码的硬件设计。由于集成了USB、以太网、PCIe等主要外设的RTL模型,开发工程师可在任何硬件制造出来之前,在目标环境中检验硬件和嵌入式软件。
" E+ G( O& Y; ]* M: A# ]: D6 R- v8 m# Y
  此外,VirtualLAB可让仿真器在数据中心环境中工作,与多个项目或不同地区高效地共享资源。其外设适于多媒体音视频、GbE、USB、PCIe、SATA和SAS等多数主流协议。 + U& k0 R5 u4 ~- n, }2 f: m9 y. k

5 U; T) ]4 d, j7 p/ h精于功率分析:一招鲜吃遍天 / i6 v8 l* X$ h3 N3 e0 f- j* j  y" Y
9 y* d  n; ~; R6 P8 ?. S
Apache(阿帕奇)设计公司在2011年被ANSYS收购后,开始以芯片、封装、板级到整个系统方面的新思维,考虑电源、信号、散热及噪声的影响。当然,会继续保持其功率分析的强项。 # ~, M- a! J" \( Y, ~2 `: J+ Z

& \# }1 }, K% X3 w" A$ ~+ C  ANSYS副总裁、总经理兼阿帕奇总裁Andrew T. Yang(见图7)指出,移动计算和网络芯片、CPU、GPU等均出现了多核化倾向,而功耗是芯片性能的一项关键指标。降低功耗面临着3个复杂挑战:
( Z/ J/ `2 U. T: ?) `5 ~$ n1 {; R
9 L5 B+ L  v; T9 H3 L( o; ~8 L  1.保持供电与功耗的均衡,否则,功率预算的缺口会很快拉大,大概为每2年增加2倍; 0 E% K$ ~5 C9 d3 O

7 W7 j& U; E: e0 Z( h$ @  2. 一旦功率确定后,由于功率预算的限制,有必要在正确的位置与恰当的时间,提供合适的电量。
" s6 N1 r$ w! e
( B; f* Z* Q2 _  3.降低系统噪声,包括交调噪声、基板噪声、热噪声、EMI等。
1 x: x5 g; n  f* d) F5 y+ P# {/ j) ]* q" g) y6 _

$ c9 M: o/ |" ~3 o1 ?# C图7 ANSYS副总裁、总经理兼Apache(阿帕奇)总裁Andrew T. Yang5 U6 ?9 R; H. U5 w. z  B# X2 I
  他还称,在电路设计的各阶段里,功率分析工具尽早给出功耗的准确数据,设计师就可更好地进行功率管理。否则,功耗问题将浪费宝贵的面积。
! t& V- g3 K5 E7 O: F' g( q, n; I+ \
7 t, v' h$ N% I  b# j  阿帕奇的最新技术成果是20nm以下功率签发(sign-off)的第4代RedHawk-3DX工具,针对3GHz以上工作频率、几十亿逻辑门的高端芯片设计。并以3D IC工艺支持芯片和封装的仿真。
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2 }0 a1 T; L' f$ F  RedHawk-3DX通过强化逻辑处理能力,提高了动态功率分析的精度和覆盖范围。基于矢量和无矢量模式的事件与状态传送(event-and-state-propagation)技术利用功能激励(functional stimulus)和统计概率确定设计的开关状态。快速的事件传送引擎使用RTL级功能激励执行周期精确电压暂降仿真。强健的无矢量模式状态传送引擎可在无实际输入激励时,使能时域瞬态分析;还包括排除与传统动态(activity-based)传送方法相关的触发率估计不足的专利技术。RedHawk-3DX还支持灵活的混合激励模式,当电路设计的其余部分使用无矢量方法时,一些功能块可以用RTL或门级矢量。 . q8 [6 l2 Z! A8 M
; D7 {4 E9 L8 g+ ]& W# F
  对功率和信号电迁移(EM)分析的20nm以下设计要求需要更精确可靠的签发方案。RedHawk-3DX通过电流感知、金属拓扑感知和温度感知EM检测,及支持代工厂复杂的20nm工艺 EM规则,推进了EM建模技术的发展。 6 d; E, L  P4 R) f5 n2 s9 B; R- |: _# @
' ^# g! \7 I% Y- H
  RedHawk-3DX用分级提取方法和重架构的瞬态仿真引擎,在不影响签发精度的情况下,最多可使速度提高40%。ERV(extraction reuse view)技术优化了设计的绝大部分,同时,可让所选的关键功能块保留全部布局细节,并在充分考虑封装影响时,进行整个芯片的仿真。这对多核设计很有效。 ) T& C+ ]1 _+ U$ |( S' o" d

3 t) v- M* A. j) r* H  此外,RedHawk-3DX能够创建精准的LDO行为模型,以便整个芯片的静态和动态仿真。其对3D IC的延伸可进行并发的和基于模型的多芯片(multidie)仿真。
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