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[仿真讨论] 硅谷动态

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发表于 2012-5-9 13:06 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 stupid 于 2012-5-9 13:12 编辑 # x0 s: C! r1 U% {4 `: n

* E- U7 x/ {' a6 r' U: Z混合信号电路设计进入28nm“分界区”
+ G1 S$ i/ }5 q  W# ]
% Z" W1 f  S  o. K# i, V2 w  Berkeley设计自动化(BDA)公司CEO Ravi Subramanian(见图1)在主题演讲中阐述了混合信号电路特征在纳米技术时代的挑战。他指出,混合信号电路设计进入了28nm“分界区(Twilight Zone)”,7点理由如下: % H  C4 B# H4 o: a$ R. z
! f9 H* n2 U- e  f
4 v6 D8 j, s; m8 L6 z! O' \
图1 Berkeley设计自动化公司CEO Ravi Subramanian
  Y, ~' M5 v6 R8 X" }  C% V, a, w6 S) `+ A2 S
  1.随着工艺节点的发展,器件建模愈加复杂。90年代初的BSIM3(加州大学伯克利分校仿真晶体管模型)只有一些基本模型,后来的BSIM4增加了RF模型(包括基板阻抗和热噪声)、广泛的与布局布线相关的寄生参数模型、栅致漏极漏电(GIDL,gate-induced drain leakage)和栅极介电隧道电流等。此外,模型还增加了Verilog-A,及其他无源器件、二极管、受控源器件等基本元件。BSIM4.7模型的出现进一步证明了建模的复杂度。 ; S0 e% }6 s2 i4 o- u) c! \% f

* f" k6 e  g& J; Y0 [, Y  Subramanian解释道,当提高晶体管内部的精度时,等效电路方程会相应增加。例如,若每个MOS管内增加3个节点,等效电路方程增加11倍,这意味着仿真时每个晶体管的计算增加了11倍。可以想见,对于100个晶体管,仿真时间可能从1小时增加到11小时。 9 ?7 @8 S" ]( H( {7 }% K) K
$ x0 J! i  O1 d% X/ p
  2.对于后布局仿真,寄生效应引起的巨大破坏性在增长。其表现为,一项简单的设计中,数据库容量要增加10-20%,甚至高达3-4倍。
* {& ]! U8 g- _" {! n3 M" x
3 d* ^8 }* j7 n  3.在纳米CMOS工艺时代,器件噪声从以前的三阶、甚至四阶效应,已发展成为目前的一阶效应,严重影响了电路性能的提升。为此,要保证电路性能不降低,需在功耗或占位面积方面进行折中设计。 % l# `: N: `7 y) D. c
5 n# U; P+ z* `" m7 X  d: H- l7 L
  4.从最佳器件模型到最差器件模型,及过温和过压状态下,电路性能的变化,即corner spread问题。它会随着芯片工艺尺寸的减小而增加。 ( W2 j7 ^' M8 q. F' {

% c4 x1 G4 u. o% ~' C例如,在通常的锁相环VCO设计中,若晶体管采用65nm制造工艺,从慢corner spread曲线(慢晶体管性能)到快corner spread曲线,某个给定信号的运行变化范围是1.5倍;而对于22nm工艺,从慢corner spread曲线到快corner spread曲线,某个给定信号的变化范围将达2.5倍。因此,设计中需要容纳这样的变化率,以满足设计规范。
+ A7 m0 b2 ?6 J( N4 i# |. ]5 }6 ~" @
  为解决corner spread问题,要通过严格的设计规范进行控制。用低阈值电压器件缓解corner性能的较大变化,但由此带来的最大缺点是漏电流增大。高阈值电压器件可解决漏电流问题,但只适于数字电路。这两点要做到均衡很不容易。90nm到45nm,45nm到28nm的IP重用也很困难。
* G" Z% h7 ?7 J& k6 D2 [: g" W1 X/ f
  5.低压混合信号设计能实现低功耗,需大胆标定芯核电压,I/O供电较为可取。在设计中,对于输出级,稳压器要从NMOS转成PMOS,用附加电路解决输出匹配和电源噪声问题。I/O电路的新发射极架构包括电压模式驱动、混合电压模式和电流模式,但电压模式下,数据率会降低,抖动将增大。
* w) c+ a0 n! I( U; k7 b
; T4 E8 ^  S! }# F$ E* C! @  6.28nm时代的设计规则也更加复杂,就连一向受业界景仰的模拟设计师也不太容易熟练地驾驭。设计布局要认真考虑,器件类型和尺寸都有更严格的限制。
  _6 ~) i: u3 N6 Q1 }
7 l9 [* J. e  L# _. K# j* n  7.目前,复杂的模拟电路和数字电路将同时在新纳米工艺节点上出现。28nm工艺的ASSP大批量生产中,混合信号电路的良率会出现主要瓶颈。要保证高设计良率(DFY),需要知晓制造和可靠性方面的工艺特性。例如,电迁移;HCI(MOS器件的热载流子注入)、PMOS器件的NBTI(负偏压温度不稳定性)效应;NMOS器件的PBTI(正偏压温度不稳定性)效应。 9 [3 b9 ]& D; q: S4 [, x
! e+ d' Q. ^" O+ D7 L* ?* D
  同时,要注意两种失配对设计良率的影响。来自制造变量的器件局部变化所引起的统计失配,及来自布局的系统性失配。前一种失配需要先进的Monte-Carlo仿真,而后者需要新的布局方法。 5 A3 y" e3 u' P/ \$ N1 `0 V6 R
) D7 W  \. ?0 ^* L+ t
  28nm与40nm的特征要求比较,28nm与65nm的DAC SFDR(无寄生动态范围)分别如图2和图3所示。
! H3 J+ S9 J& t6 h0 g) P( \% _% k
9 \# A( i, f, \) ` 5 |2 m/ A) B$ u9 l- ]  w, J
图2 28nm与40nm的特征要求比较(红色字为28nm特征,分别比40nm提高20和10倍)4 ~  |) S2 }) L

9 p& x& u, E: J图3 28nm与65nm的DAC SFDR(17MHz时,红色字为28nm的SFDR值)
. U4 s7 ?" ?* u, J
, h9 Y. f3 ~5 I! J1 P$ y# d) K对于nm定制化设计,BDA公司提供AFS(模拟FastSPICE)平台,及28nm精确检验(Accuracy Validation)噪声分析工具,其流程见图4。
$ \. A+ ?7 s& D( @
* o0 D6 ~, w/ @) } ; g# F' w" M: x- w& p
图4 BDA公司的28nm精确检验(Accuracy Validation)流程
! l; E( e, ]  l9 \! S
, X" U0 l7 q( o" Q带虚拟外设的仿真平台
( M4 g3 s" P& a
0 J7 v; P6 u/ V/ Z  Mentor Graphics针对SoC设计验证开发出了带VirtualLAB外设的下一代仿真平台Veloce2。最多支持20亿逻辑门的设计,与上一代平台比,在同样的占位面积和功耗下,Veloce2把性能和容量提升了2倍,即生产力提高了4倍。具有快速编译能力,完全可视化调试和存储器建模。 4 B4 d  e9 t' Q8 H: g8 ~/ Z" n

8 B1 q! }- Y) i0 \  “这主要因为Veloce采用了全定制化仿真芯片Crystal2。65nm工艺的Veloce2可与45nm的竞争仿真器媲美。与最接近的竞争产品比,功耗降低了75%,每逻辑门的占位面积减小了2/3,5年内可节省50万美元的成本。”Mentor仿真部门营销总监Jim Kenney(见图5)表示。 3 f/ Z" O9 G8 D( D" }
8 u1 i" p/ b* p- T' S4 `) [

. x0 A* k% s5 z. [7 X0 e  U$ [图5 Mentor仿真部门营销总监Jim Kenney; y' E+ z2 u+ Y- y% I
  与成本高且缺乏灵活性的ICE(电路内仿真)比,VirtualLAB为验证工程师提供了与Veloce平台相联的基于Linux软件的外设,能同时支持多位设计师,而ICE需通过硬件加速适配器与仿真器进行物理外设连接(见图6)。这种虚拟实验室环境可验证高端CPU、网络交换机或路由器、数字机顶盒、平板电脑、智能手机和数字相机等复杂电子系统的嵌入式软件和SoC。
. g  v. p6 b5 I
; z5 a1 u" U0 t& R$ e' Q: p6 I0 B
* J! S: n( H* T图6 Mentor Veloce2的VirtualLAB以太网与ICE仿真的比较(中间黑盒子为Veloce2)
1 B1 e5 j- i& t# R  {$ C) g) G  VirtualLAB以MHz级的仿真速度运行RTL代码的硬件设计。由于集成了USB、以太网、PCIe等主要外设的RTL模型,开发工程师可在任何硬件制造出来之前,在目标环境中检验硬件和嵌入式软件。 4 ?0 M. _5 M+ i7 E& [6 @1 s0 \
, p, s2 H- w. e) Q- d
  此外,VirtualLAB可让仿真器在数据中心环境中工作,与多个项目或不同地区高效地共享资源。其外设适于多媒体音视频、GbE、USB、PCIe、SATA和SAS等多数主流协议。
$ X! y5 U& E& y3 i7 Y$ \8 w" v4 f# [4 K. H7 w
精于功率分析:一招鲜吃遍天
6 a' u* b4 B2 q+ ]8 C
8 U7 U  H, o$ g9 C4 j4 w% xApache(阿帕奇)设计公司在2011年被ANSYS收购后,开始以芯片、封装、板级到整个系统方面的新思维,考虑电源、信号、散热及噪声的影响。当然,会继续保持其功率分析的强项。 ( F: B/ ]' j: H* v( R$ A/ H& u
& v1 @& K6 l- u
  ANSYS副总裁、总经理兼阿帕奇总裁Andrew T. Yang(见图7)指出,移动计算和网络芯片、CPU、GPU等均出现了多核化倾向,而功耗是芯片性能的一项关键指标。降低功耗面临着3个复杂挑战: 5 X! o# M+ U# v: n. ]1 O% s' O

: _$ l8 z% T2 C9 E) d8 g2 O  1.保持供电与功耗的均衡,否则,功率预算的缺口会很快拉大,大概为每2年增加2倍; - ?$ i+ m9 p5 o4 x1 h  F# Y" Y$ [

' ?+ [, A# u) \( R  2. 一旦功率确定后,由于功率预算的限制,有必要在正确的位置与恰当的时间,提供合适的电量。
, V7 M0 b: E4 X- [* H6 d' e0 v
- ^$ `+ P3 |( L6 Y  M  3.降低系统噪声,包括交调噪声、基板噪声、热噪声、EMI等。
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, @( F) K1 {3 K
7 J. S) K7 o6 J* J0 v, j: V图7 ANSYS副总裁、总经理兼Apache(阿帕奇)总裁Andrew T. Yang
: j6 M$ I  w5 _+ j  他还称,在电路设计的各阶段里,功率分析工具尽早给出功耗的准确数据,设计师就可更好地进行功率管理。否则,功耗问题将浪费宝贵的面积。
0 h4 F$ v+ [" V4 w
9 }5 z% B. b& b  阿帕奇的最新技术成果是20nm以下功率签发(sign-off)的第4代RedHawk-3DX工具,针对3GHz以上工作频率、几十亿逻辑门的高端芯片设计。并以3D IC工艺支持芯片和封装的仿真。
6 A! E6 H. E4 B: ?/ C# q7 x% b& H9 w  O
  RedHawk-3DX通过强化逻辑处理能力,提高了动态功率分析的精度和覆盖范围。基于矢量和无矢量模式的事件与状态传送(event-and-state-propagation)技术利用功能激励(functional stimulus)和统计概率确定设计的开关状态。快速的事件传送引擎使用RTL级功能激励执行周期精确电压暂降仿真。强健的无矢量模式状态传送引擎可在无实际输入激励时,使能时域瞬态分析;还包括排除与传统动态(activity-based)传送方法相关的触发率估计不足的专利技术。RedHawk-3DX还支持灵活的混合激励模式,当电路设计的其余部分使用无矢量方法时,一些功能块可以用RTL或门级矢量。 2 f% R" G' G- L( ~5 v. ]

: N4 X; c% ~* K8 t5 [2 k" G5 c  对功率和信号电迁移(EM)分析的20nm以下设计要求需要更精确可靠的签发方案。RedHawk-3DX通过电流感知、金属拓扑感知和温度感知EM检测,及支持代工厂复杂的20nm工艺 EM规则,推进了EM建模技术的发展。
3 N7 z" P) q( c. X# X3 @( \( ~4 L9 T5 G8 w2 z; @: J1 D
  RedHawk-3DX用分级提取方法和重架构的瞬态仿真引擎,在不影响签发精度的情况下,最多可使速度提高40%。ERV(extraction reuse view)技术优化了设计的绝大部分,同时,可让所选的关键功能块保留全部布局细节,并在充分考虑封装影响时,进行整个芯片的仿真。这对多核设计很有效。
9 J. V& Q8 U0 q( _- G# D
# t0 [" a- e8 _( [* ]  此外,RedHawk-3DX能够创建精准的LDO行为模型,以便整个芯片的静态和动态仿真。其对3D IC的延伸可进行并发的和基于模型的多芯片(multidie)仿真。
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