IMX258的IBIS模型中的三个驱动模式的疑问

wcn312318697 · 发表于 2011-9-8 17:14

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在做IMX258的仿真时，对于sdram有三个驱动模式可供选择，如下：
ds0_mddr          DDR, 1.8V, mobileDDR mode, Nominal Drive
ds1_mddr          DDR, 1.8V, mobileDDR mode, High Drive
ds2_mddr          DDR, 1.8V, mobileDDR mode, Max Drive
ddr2             DDR, 1.8V, DDR2 mode
ds0_sdr          DDR, 3.3V, SDRAM mode, Nominal Drive
ds1_sdr          DDR, 3.3V, SDRAM mode, High Drive
ds2_sdr          DDR, 3.3V, SDRAM mode, Max Drive

这是在IBIS中对三种驱动模式的描述，可以看出，除了分别对应nominal,high,max三种名称不同外，看不出其他区别，那么仿真的时候，选不同的方式，它们的不同在于哪里？驱动力不同是一点，但是这个驱动力的差距是怎样的也不知道，而且对应实际情况，又该如何选择不同的驱动模式来仿真呢？？？

wcn312318697 · 发表于 2011-9-11 10:31

honejing 发表于 2011-9-10 21:23
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可以啊! 沒有端接可以運作是可能的，你也可以調配線寬或疊構，讓你 ...

{:soso_e113:}
大哥，谢谢你的耐心回复哈！祝你假日快乐！

honejing · 发表于 2011-9-10 21:23

" 133MHZ的SDRAM好像很少用到匹配的。"
可以啊! 沒有端接可以運作是可能的，你也可以調配線寬或疊構，讓你的特性阻抗與Driver 的輸出阻抗接近一點，這樣過衝就不會太大，過衝的寬度也與線長有關，若走現不長，不串端接電阻，應該也是OK的。
至於過衝超過IC絕對容許的最高電壓時，這樣的設計就有潛在風險，有時會有問題，大部分不見得會有事，
我認為這是最糟糕的情況。鐵定會死的問題好解，要死不死的問題最棘手。
最差情況考慮，是你的系統穩定性設計優於別人的地方，因為你可以容忍芯片運作在最差情況，就像電阻 +/- 10% 誤差，你的設計能讓系統穩定運作，這就是好的設計，芯片+/- 5% 的電源飄動，你的系統也穩定運作，是好的設計。

wcn312318697 · 发表于 2011-9-10 11:36

honejing 发表于 2011-9-9 20:15 + K0 p) G3 R! x5 J/ b
＂对于不同的驱动模式，不同的仿真模式，我们是不是都得以最坏的情况来仿真？＂9 ?' I' y2 x* ~# X" V
=:: 通常會先以典型 ( typ ...

谢谢你的耐心回答哈！
“通常會先以典型 ( typical )情況先做設計，然後再考慮最差(最大及最小)情況是否違反規格。
若典型值得過衝及串擾都很好，最大或最小難免會稍差一點，就看是否違反規格。”
对于这点仍有些疑问，最坏情况的时候效果是差了点，对于违反了规格的话，是不是对于任何信号都一定需要去匹配，只要它在最坏的情况下违反了规格？
我现在碰到的问题是，如果以最坏情况来考虑的话，对于工作在133MHz的SDRAM几乎所有的信号都会引起过冲，而那样的话，岂不是所有的信号都需要匹配。
但是在网上看到一些经验之谈，133MHZ的SDRAM好像很少用到匹配的。而且在我见到的一块正常运行的成板上面，只有时钟信号进行了匹配，其他的都没有，当然，也是由于布板空间有限的一方面因素。甚至连我用典型情况下仿真也会出现过冲的地址信号都未进行匹配，但是这样的设计一样运用到实际情况中了。
所以不禁对这个仿真结果，或者是仿真结果的处理方式：’最坏情况下仿真，只要违反规则如出现过冲，就必须进行匹配‘的说法产生了怀疑。是不是有什么我忽略掉的问题，或者实际得从其他角度进行考虑呢？
初学，可能问题会天真幼稚些哈，希望前辈不吝指教！！

honejing · 发表于 2011-9-10 08:42

1. ) 比如过冲，超出AC给定的最大值吗？ =:: 是，也可造成更多的高頻雜訊，引發 EMI 問題。
2. ) 还是说过冲导致可能的逻辑判断失误，或者是击穿电容造成器件损坏？
=:: 是，也可能因串擾引發別人逻辑判断錯誤，也可能引發 IC击穿器件损坏現象 (這牽涉到IC的ESD保護如何設計)。

wcn312318697 · 发表于 2011-9-9 22:54

honejing 发表于 2011-9-9 20:15 & E# C$ }. \/ W
＂对于不同的驱动模式，不同的仿真模式，我们是不是都得以最坏的情况来仿真？＂4 `5 e0 O( r" |3 M% D$ H$ L
=:: 通常會先以典型 ( typ ...

谢谢你的回答哈
这个违反规格是指什么呢？比如过冲，超出AC给定的最大值吗？还是说过冲导致可能的逻辑判断失误，或者是击穿电容造成器件损坏？
不能，要先转换为dml的格式来仿真

honejing · 发表于 2011-9-9 20:15

本帖最后由 honejing 于 2011-9-9 20:16 编辑

＂对于不同的驱动模式，不同的仿真模式，我们是不是都得以最坏的情况来仿真？＂
=:: 通常會先以典型 ( typical )情況先做設計，然後再考慮最差(最大及最小)情況是否違反規格。
若典型值得過衝及串擾都很好，最大或最小難免會稍差一點，就看是否違反規格。

**另有一個疑問，Allegro 現在可以直接調用 IBIS model 來仿真了嗎？

wcn312318697 · 发表于 2011-9-9 17:03

有个疑问，对于不同的驱动模式，不同的仿真模式，我们是不是都得以最坏的情况来仿真？
还是只要把关键信号以最坏情况仿真，如时钟信号？
如果所有信号都以最坏情况仿真的话，似乎都得出现过冲，那样都得匹配，那么实际情况布板肯定不允许。。那么只能降低要求，以一般情况来仿真吗？

wcn312318697 · 发表于 2011-9-9 17:01

willyeing 发表于 2011-9-9 11:45
$ V; r* L5 _1 ^6 J- n是啥模型，ibis还是hspice

IBIS的模型啊，用allegro的PCB SI来仿真的。。

wcn312318697 · 发表于 2011-9-9 14:40

一支镜头的距离发表于 2011-9-9 14:28
3 y5 r3 M$ |% y. r9 I5 r8 I5 xhyperlynx仿真的时候ic modeling有三种模式：slow、typical、fast，我认为是对应这三个模式

我用的是allegro的SQ仿真的，里面也是有这三种仿真模式
这个是IBIS选模型的时候有nominal , high ,max三种，应该和这个不太一样吧

一支镜头的距离 · 发表于 2011-9-9 14:28

hyperlynx仿真的时候ic modeling有三种模式：slow、typical、fast，我认为是对应这三个模式

wcn312318697 · 发表于 2011-9-9 12:27

honejing 发表于 2011-9-9 12:02
; B/ x4 f5 X5 J1 J) |" MDDR 的輸出級，通常會有不同的驅動能力 (等效與不同的輸出阻抗)，可用於搭配不同的PCB! w4 D0 r' `* b" h k9 r5 j
傳輸線設計，仿真時 ...

谢谢你的回答
另外个前辈告诉我说，驱动能力的不同是指输出阻抗的不一样，
那么那我仿真的话，过冲和串扰就用阻抗最低的那个驱动模式，时序仿真计算飞行时间时用阻抗最大那个是吧

honejing · 发表于 2011-9-9 12:02

DDR 的輸出級，通常會有不同的驅動能力 (等效與不同的輸出阻抗)，可用於搭配不同的PCB
傳輸線設計，仿真時可設定各種的 Drive strength，以便優化PCB設計。
如要更詳細，請把模型上傳，指出你不懂得地方，再為你說明。

willyeing · 发表于 2011-9-9 11:45

是啥模型，ibis还是hspice

wcn312318697 · 发表于 2011-9-9 10:40

有木有前辈来指点指点啊

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