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sigrity DDR仿真的 rise time

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发表于 2015-6-12 11:02 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DDR 仿真中 analysis options 中 rise time 需要自己设吗?设了这个好像没有用
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发表于 2015-6-14 10:55 | 只看该作者
嗜血大能猫 发表于 2015-6-14 10:08
$ A6 e9 T% o, C1 I回版主,损耗小是整体损耗小,所以觉得是自己没设置好。在提取S参数之前只设置了叠层,电源和port(负极选 ...

" E# ^8 g# Q$ @. m/ D: L5 z楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢?按理说同一块板子,如果长度一样,其损耗不应该有via的会比没有via的整体偏小。是不是会有很多谐振点呢?能否把spd文件发出来看看。值得怀疑这个结果。

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版主大大,https://www.eda365.com/thread-109884-1-1.html这个问题也帮忙回个呗。  详情 回复 发表于 2015-6-14 15:51
好的。请版主帮忙看下DQ7的损耗明显比dq12和DQ14小。按理说DQ7应该跟DQ4的损耗差不多的。他们都是2个过孔,等长也相差不大。  详情 回复 发表于 2015-6-14 15:50

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 楼主| 发表于 2015-6-14 15:50 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-14 10:55
9 p7 G7 w. [/ l/ H楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢? ...
2 b8 B2 x! f* C# Z1 O! F! a7 T* A
好的。请版主帮忙看下DQ7的损耗明显比dq12和DQ14小。按理说DQ7应该跟DQ4的损耗差不多的。他们都是2个过孔,等长也相差不大。
0 v* D* A/ h+ ?: d

S参数.png (152.02 KB, 下载次数: 0)

S参数.png

DQ4DQ7DQ12DQ14.rar

1.23 MB, 下载次数: 27, 下载积分: 威望 -5

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d4,d7 d12 d14  详情 回复 发表于 2015-7-15 14:29

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发表于 2015-6-14 10:51 | 只看该作者
ann_wz 发表于 2015-6-13 11:16& i( J6 p# |$ Q
敢问菩提老祖,过孔在powersi里面怎么设置模型,我如果提取pcb的s参数,是否需要设置,怎么样设置呢,,' R/ Y% e; S0 u, D* O# a
...

, @0 h$ W; B8 d8 Z/ }% d$ Kvia主要是由PCB转化的时候得到的参数,在PowerSI中主要是设置您的plating。具体设置在上面的帖子中已经有,可以参考。

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发表于 2015-6-12 15:38 | 只看该作者
这个需要自己设置,自己算出DDR的Rise time

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ddr的rise time 也是 10-90时钟周期 T 吗,,还是会更小一点,应该怎么样算呢,,,菩提老祖,,  详情 回复 发表于 2015-6-13 11:17

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 楼主| 发表于 2015-6-12 16:26 | 只看该作者
好的。谢谢版主。我把rise time 设成300ps后再仿真为什么波形rise time没有改变?还有我同样抽取了2根数据线,1根有2个过孔,1根没有过孔,反而是有过孔的线S21 DB更小(在800HZ时有过孔的-0.16DB,没有过孔的-0.34DB),是不是还要设置过孔的模型?
0 \! D6 K* l9 V5 j2 n
5 _7 L0 l: f% o. v, Y

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via model 也是要设置的。至于损耗小,是整段小,还是800MHz的频点小呢?  详情 回复 发表于 2015-6-12 21:47

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发表于 2015-6-12 19:08 | 只看该作者
是用speed2000?
5 K! [# T0 Z; F3 N7 P

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发表于 2015-6-12 21:47 | 只看该作者
嗜血大能猫 发表于 2015-6-12 16:26
% D  A! D& j- x# u# z8 O好的。谢谢版主。我把rise time 设成300ps后再仿真为什么波形rise time没有改变?还有我同样抽取了2根数据 ...

1 |0 {0 A4 o) K8 w! r% bvia model 也是要设置的。至于损耗小,是整段小,还是800MHz的频点小呢?

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敢问菩提老祖,过孔在powersi里面怎么设置模型,我如果提取pcb的s参数,是否需要设置,怎么样设置呢,,  详情 回复 发表于 2015-6-13 11:16

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发表于 2015-6-13 11:16 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-12 21:47
/ F3 y6 N4 C* }/ L& H! wvia model 也是要设置的。至于损耗小,是整段小,还是800MHz的频点小呢?

5 a& J7 h+ z. V+ j; q8 z/ v' A* e敢问菩提老祖,过孔在powersi里面怎么设置模型,我如果提取pcb的s参数,是否需要设置,怎么样设置呢,,
2 Q0 L/ k( v0 A5 Z: F* T

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via主要是由PCB转化的时候得到的参数,在PowerSI中主要是设置您的plating。具体设置在上面的帖子中已经有,可以参考。  详情 回复 发表于 2015-6-14 10:51

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发表于 2015-6-13 11:17 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-12 15:386 x! t4 _# U( I4 z
这个需要自己设置,自己算出DDR的Rise time
" u, w  l( u  Y
ddr的rise time 也是 10-90时钟周期 T 吗,,还是会更小一点,应该怎么样算呢,,,菩提老祖,,/ a" |5 m7 [( K, p0 \* b+ d7 S

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 楼主| 发表于 2015-6-14 10:08 | 只看该作者
回版主,损耗小是整体损耗小,所以觉得是自己没设置好。在提取S参数之前只设置了叠层,电源和port(负极选了离正极最近的GNDpin如图),至于过孔模型如图只设置了outer coating material 种类 。

无标题.png (153.69 KB, 下载次数: 2)

无标题.png

无标题2.png (148.06 KB, 下载次数: 1)

无标题2.png

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楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢?按理说同一块板子,如果长度一样,其损耗不应该有via的会比没有via的整体偏小。是不是会有很多谐振点呢?能否  详情 回复 发表于 2015-6-14 10:55

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 楼主| 发表于 2015-6-14 10:22 | 只看该作者
仿真波形的rise time 多少是由IBIS模型决定的吧?仿出的波形上升沿比较抖,请问软件中可以调节吗?

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不仅由IBIS决定,还取决于你的仿真速率和trace长短,via数量等等。  详情 回复 发表于 2015-6-14 10:52

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发表于 2015-6-14 10:52 | 只看该作者
嗜血大能猫 发表于 2015-6-14 10:22. |7 |1 a& g5 @+ [: O' P. J5 @3 z
仿真波形的rise time 多少是由IBIS模型决定的吧?仿出的波形上升沿比较抖,请问软件中可以调节吗?
, y2 d8 H7 h) Q" ~
不仅由IBIS决定,还取决于你的仿真速率和trace长短,via数量等等。

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 楼主| 发表于 2015-6-14 15:51 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-14 10:55
# r% g* _2 X2 z! G& w楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢? ...

0 Q& M7 j6 v3 G$ `) ~6 l& _8 P版主大大,https://www.eda365.com/thread-109884-1-1.html这个问题也帮忙回个呗。
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 楼主| 发表于 2015-6-15 16:05 | 只看该作者
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