|
今晚膜拜了一下各位大大们的作品,在一天之内完成板子的确很牛,我等晚辈佩服之极,不过大赛完了,尘埃落定之后,晚辈在研习各位大大的板子时发现了一些问题,大致列举如下,先声明,晚辈只是看到板子就联想到了自己平时常犯的一些错误,对各位大大膜拜的同时也把一些问题写了写来,跟大家交流一下,同时也确认一下自己的那些认识是不是全部都是正确的,晚辈绝对不敢对各位大大不敬,认识不到位的地方还请大家多多批评我,那样我才能更好的进步。。。7 v( n& x# U$ A6 X! O9 ]+ M( m
一、罗老大的板子+ ^) r# m/ `6 E- N3 V
1.16版本的allegro有模块复用功能,每个DDR颗粒都可以做的一模一样,在DDR颗粒间串联的地址线我们让它尽量保持一致,控到1mil内,我们只在BGA和与BGA相连的第一个DDR颗粒之间绕线好一点呢?* k/ _) I6 L& J9 u& c8 n% [
2.0402的电容不铺铜,用一根12mil的线接是不是会更好一点呢?
" y% o# x) Z2 d6 N- O+ E8 b s: K3.PCb板上有多个地平面时,是否在打孔换层处加地孔好一点呢?0 H8 a; t5 v5 J) U8 s
4.差分对内那样做两根差分线已经不耦合了吧?
8 d) A& S$ K9 Z" x% f5.在实际设计过程中,PCB板上的八角电容,除了放到BGA里面的,为了保证焊接质量,剩下的还改成正常形式的封装是否会更好些呢?& _- ^" l+ Y; g" t* B" V. k
6.PCB板上的同名网络开关没打开,个人觉得那个还是有必要的吧?孔打到同网络的pin上去了都不报错4 Y- H4 @+ W) X) \
7.还有pindelay开关,抛开这个板子,我们通常再设计时,为了保险起见,不管有没有pindelay提前打开它比较好一点吧?万一有pindelay将来等长岂不是白做?5 ^) L% r4 z6 W* a1 l# b
8.罗老大大约在-510.000 3255.000处也就是DM2_DDR0_A13的那根线的拐角只有3.415mil,个人觉得拐角的长度是不是有点小啊?快成直角了* b% U5 ~1 N: g$ u4 H4 {
9.c82、c84、c85也就是DDR附近的那几个大电容的地和PCB表层铺的地铜直接相连了,我觉得那样会不会把板外的干扰引出板内的地平面呢?$ z5 [3 M0 u; C" J8 n# Y ]
10.我觉得整板在板边做一圈不闭合的“法拉第电笼”是不是更好呢?' B; v- X1 A' U+ W) c% H2 Y
11.罗老大的速度好快啊,不光丝印已经调好了,连光绘设置都弄好了,不过有点小瑕疵就是U6、U7的一脚标示上到别的器件上去了& L6 \6 R' G% T
12.罗老大的坐标原点好像不在PCB板边的四个角落上,做标注时只能做绝对的了吧?相对的不太好做诶
* J' j- S( O$ t- M8 H* Z
2 r5 ~( G2 J. K8 V4 p/ x
8 j2 y/ z$ I/ z8 w- @5 \' s二、李工的板子
; p2 [# A% T7 t; i& N( r1.DM2_DDR0_D7、DM2_DDR0_DQM0表层BGA处的线是一段一段的,是用推挤走线造成的吗?个人觉得修一下比较好吧?/ m0 u1 V5 V9 s; Y
2.李工的走线、等长都做的很漂亮,可是个人觉得表层和内层的速率是不一样的,在表层绕线太多是不是不太好呢?9 U9 \: _! c& E$ n! y
3.个人觉得李工的BGA那里的特殊区域做的有点大了吧?正常线宽是5.5,特殊区域里面是3.5,从BGA里出特殊区域时线宽会发生变化,为了保证阻抗连续,我们是不是也应该尽量保证线宽一致呢?6 S$ b( a1 _9 o) J, n: \
4.李工的板子上470.00 1180.00处的那个GND via,铜皮只包住了一半
9 z$ A9 Q1 R1 f! F+ I3 y. i5.李工的板子没做package keepin ,而且李工的route keepin的airgap是20mil,冠军的罗老大的airgap是30mil,同一个公司咋会有两种规范呢?4 j/ \$ m3 `, H3 O$ z( w4 W* J1 [
6.李工的BGA中电源地有好多共孔的,就目前的BGA看我觉得没有必要共孔了吧?
Q+ T J3 y! O7.U2中的R1、R2连接的是clk差分对,底层我觉得尽量走成差分形式比较好吧?3 X1 Q" u0 I( Y0 U) b
8.C155、C156两端的热容量不一致,不知道加工时会不会产生立碑效应
. P0 I) i1 H% W( ] h9.大约在840.00 470.00处两个铜皮是不是离得太近了啊?空气间距只有5mil,而且一个是12V,一个是地应该更不好吧?3 Y/ x$ P1 b7 E1 b3 [
10.李工的几个DDR颗粒布局布线好像做的不太一样诶,用模块复用可以做的一样的
3 P3 J. S* P9 l |8 W11.李工好多0402的电容都是丝印压丝印的,好像不太好吧?
7 t/ d( G! a6 k7 p( U) o! w12李工好多0402的电容都是直接铺铜皮的,若是铺铜的话,在pin左右两侧各挖两个小窗比较好吧?
4 u* X6 L$ O" L& |3 o) P13李工c120、C129的电容1.5V和GND分别只打了一个via,好像太少了吧?3 h G3 b( q" p8 \. `( {1 p4 H
* s3 {( W ]7 H& v6 [
: v/ m+ E; j* w2 N" z$ C# y- Z三、李鹍GG的板子
" d/ r1 n$ B8 G. R* D1.C133、C134、C140、C141,热容量不一致,生产时会产生立碑的吧?+ |- o% z' R: ^2 Q
2.BGA周围至少3mm是禁布同层器件的吧?好多离BGA太近了; e7 y/ u9 X9 |" i% G d* `$ f) j
3DDR的数据线要同组同层的吧?李鹍GG的DM2_DDR0_D17、DM2_DDR0_D19走在了表层,其它的走在内层,而且DQS走在表层,其它在内层,内外层速率都不一样,这样做应该不太好吧?' @" @6 l) Z$ U7 K! o, [0 v
4.李鹍GG的器件禁布没做哦
6 M' u+ |$ r6 S2 w. W1 a9 `2 Z5.J1是通孔器件,最好十字花连吧?: C' f1 P3 S% X" v0 }
6.& p5 W0 H- t2 i7 _) y
就目前的走线情况来看,李鹍GG要是做等长的话,压力会很大啊8 D" n# T. X! @- Y( _5 q- p
7.不知道别的地方什么要求,反正我们老大要求我们clk等关键信号全走内层,要同组同层,李鹍GG的clk全走在表层,好多线走在内层,这个好像时序上不太好;+ L; m% D7 }9 K4 I
8.还有我发现三位老大的板子上都没有光学定位点,PCB板上应该有成“L”形的ID board的吧? |
|