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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

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发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了8 F# i* v; f% G; I

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发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

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发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

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发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:
% z1 M0 K9 {. _  u133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号
/ d' k% ?7 u' I) i3 D1 Z因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;
  n( U- Q" n7 \% D9 J( j5 w产生原因可能有:
  Z/ c1 k; F" Z6 g( E* q$ l2 k' |% A
) c4 }& W9 Q" M: y) ^5 m% k! j1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个, B5 g4 w! D8 s$ O
和负载大小,走线长度相关;
: `4 {0 b( k3 Q* y  Q! D( j* u' a0 q; \  }9 y1 F
dq_full             Full-Strength IO Driver
, @5 y. I3 X. y' t. ~# x: vdq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
9 A* ?, m5 k( Q6 u* U. H$ B" f. j! w- q2 F( D3 V
2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号0 l8 Y; B" |; B, y; m4 K
如果存在多负载也需要端接;6 P3 S" a6 H3 {2 A

( H; S, w0 N) @' E3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;8 |8 T; U/ Z% J/ b4 G5 w% _5 N! b/ j
2 o$ C2 b1 y7 r
4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;
' P; @& u9 {9 _1 k# O$ C( c
% p/ M; w+ c2 P7 y' l解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

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发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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