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[仿真讨论] 以太网与DDR3差分匹配

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发表于 2013-11-20 14:15 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图所示的2种差分阻抗方式中,关于电容的不同连接方式。请问这2种方式有什么不同吗?请大家给与指点。谢谢了

ehter.jpg (61.63 KB, 下载次数: 4)

这个是以太网的差分信号的匹配

这个是以太网的差分信号的匹配

ddr3.jpg (50.3 KB, 下载次数: 1)

这个是DDR3差分时钟的阻抗匹配

这个是DDR3差分时钟的阻抗匹配
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发表于 2013-11-22 09:15 | 只看该作者
哈哈  谢谢分享

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发表于 2013-11-22 15:17 | 只看该作者
应该第一个是交直流端接,第二个只是交流端接吧!!

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发表于 2013-11-25 08:47 | 只看该作者

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发表于 2013-11-26 16:32 | 只看该作者
第一种电容主要是去电源噪声,第二种电容交流端接,主要是降低直流功耗。
手机充值就来 http://ede8.taobao.com

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发表于 2013-11-26 18:07 来自手机 | 只看该作者
mark

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 楼主| 发表于 2013-11-26 18:40 | 只看该作者
jomvee 发表于 2013-11-26 16:327 u/ H% w8 \3 b0 o; B% K: X* j
第一种电容主要是去电源噪声,第二种电容交流端接,主要是降低直流功耗。

2 e5 l7 H- H3 D  z+ Z8 K8 N谢谢你的回答。请教下,第一种接法,上拉到VDD,如果下拉到GND,这两种效果一样吗?

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发表于 2013-12-5 16:27 | 只看该作者
lcgjiangda 发表于 2013-11-26 18:40( {7 @& r. m8 f# y# T
谢谢你的回答。请教下,第一种接法,上拉到VDD,如果下拉到GND,这两种效果一样吗?
2 S( d% k" s0 n, M, c
对于传输线阻抗匹配效果是一样的,但是直流偏置不一样
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 楼主| 发表于 2014-1-21 09:32 | 只看该作者
jomvee 发表于 2013-12-5 16:274 p& n- h8 q4 U! J
对于传输线阻抗匹配效果是一样的,但是直流偏置不一样
0 z, b; k; p! R8 }5 R* M9 M
非常感谢你的答疑。
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