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求狗粮!输入、输出电容是用来表征什么的参数?大家说说自己看法

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发表于 2013-7-31 11:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 xiongbindhu 于 2013-7-31 11:12 编辑 9 E% h- ^$ V/ A/ w  E+ V5 a4 g3 `8 W7 K
+ a1 z- S& T) H
CI,对于一个输入管脚,就相当于这管脚并了一个CI大小的电容?信号由低电平到高电平就是相当于把这电容充电?从低电平充到VIH的时间跟驱动电流有关?信号频率一定的情况下,CI越大是不是需要的驱动电流越大?芯片管脚的信号频率越高CI是不是就越小?CO又怎么理解?

cico.jpg (12.22 KB, 下载次数: 0)

CI CO

CI CO
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 楼主| 发表于 2013-7-31 16:44 | 只看该作者
自己顶{:soso_e112:}

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我幫你頂!^_^  发表于 2013-7-31 22:57

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发表于 2013-7-31 22:34 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2013-7-31 22:53 编辑 . v% ^. I7 S: m( Z1 o

+ x8 F1 v$ M+ |2 P0 ]7 B. }& x3 GCMOS Logic Dynamic Power
5 n# k2 T& X7 J# j4 e# xThe device dynamic power requirements can be calculated by the equation:0 P9 v7 c. N6 u$ ]
PD = (CL + CPD) x VCC2 x f
& B2 b. |' L. O* rwhere:
) O) Q- U- t9 g7 l& iPD = Power dissipated in mW
' B2 G4 S5 J' b+ lCL = Total load capacitance present at the output in pF7 `9 Q  k/ u9 T, m- y# ]
CPD = A measure of internal capacitances, called power dissipation capacitance, given in pF( Q- u* b; G$ b. m
VCC = Supply voltage in volts0 e3 Q3 f- d( B+ A' g
f = Frequency in MHz; W, m0 S* D- |- c% \' a" ?7 P

0 R* y. |% L5 d; [! z{:soso_e104:}

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发表于 2013-7-31 22:51 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2013-7-31 22:55 编辑
0 a# y" k+ [2 h, Z; H1 O+ f. U% p  u* D# k1 I' e9 P. U! ]$ X* e
  • CIN : Input Capacitance - The parasitic capacitance associated with a given input pin.
  • COUT : Output Capacitance - The capacitance associated with a three–state output in the high impedance state.
  • CL : Load Capacitance - The capacitor value which loads each output during testing and/or evaluation. This capacitance is assumed to be attached to each output in a system. This includes all wiring and stray capacitance.
    ' O; m: Y  k+ H5 b4 H$ U
- f" q# _' K% [% X3 K/ a
{:soso_e103:}
, G% o/ t7 l) f! H7 l

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来个详细说明。要大大自己的理解  发表于 2013-8-1 11:53
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狗粮太少吃不饱  发表于 2013-8-1 08:36

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发表于 2013-8-1 13:07 | 只看该作者
xiongbindhu︰来个详细说明,要大大自己的理解 。

# V) X- t8 r* }* }. Z' I7 o! n7 K, D! n4 ?) J. Q
一句話............不會!
! ], y& T! I4 _: l
. j% h- W+ B& ], [* t" g6 L{:soso_e127:}

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。。。。。我不是这个地方的人。  发表于 2013-8-2 08:27
大大......貌似有个地方方言的意思是爹的意思,嘿嘿  发表于 2013-8-1 16:25
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大大别这样撒。  发表于 2013-8-1 13:36

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 楼主| 发表于 2013-8-2 11:24 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-8-1 13:07
) X% u1 p0 |8 n9 e, ?# B一句話............不會!

6 V; ^1 E: l1 d1 x/ qUP UP

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說不會也給分!>_<|||  发表于 2013-8-12 20:01

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发表于 2013-8-12 15:55 | 只看该作者
顶一下,别沉了!

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发表于 2013-8-12 20:26 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2013-8-12 23:01 编辑
% G* s6 x* `, T; `" m3 q$ \; s! A/ b; z
好啦!來結案一下,我讀了幾篇文章心得如下,若有錯誤請大家指正。
% {) _& E+ U0 |5 F/ f6 I
; x) A: c5 o+ b( s9 |CINCOUT 是半導體製造時伴隨出現的寄生電容Parasitic Capacitor)。  Z6 f* Z8 o, l3 {) B: U2 f6 F
% ^4 A0 D! S# x
就樓主的認知來說,CINCOUT 越大驅動電流會越大,這是對的,如我在三樓所貼的公式。唯一需要修正的是,影響驅動電流Driving Current)的是負載電容 CLoad,它代表 CIN + COUT + CStrayPCB 雜散電容)電路中各種電容的總和,而不是單獨 CINCOUT 的影響。' K: V" Q9 s/ [3 \; V; B! R
) q4 M6 P* ^6 T: ^. \7 E' w
CINCOUT 的值雖然會會跟著訊號頻率變化,但並非差異很大。所以第二句話個人覺得應該反過來講,如果你需要比較高的工作頻率,IC 需要比較小的 CINCOUT 值。同樣這個影響也是看 CLoad,非 CINCOUT 單獨的影響。+ `% t: O# P& _8 |) z1 q8 ]/ c  d
6 H# F2 ^# r! R" q; x# I
{:soso_e161:}
) ~& O6 E0 n; T: o7 D, C1 ~6 f' W" x+ u! R& y( a

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赞同。。。>_<  发表于 2013-8-12 23:07
果然還是要給一些錢,才會有比較好的服務。 >_<!!!  发表于 2013-8-12 20:51

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发表于 2013-8-12 21:22 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-8-12 20:26 ; n0 _' |: s& x/ o; i, y
好啦!來結案一下,我讀了幾篇文章心得如下,若有錯誤請大家指正。; Z: o1 P7 ^0 V" L8 I5 G* x/ _

- j  w% _, ]8 |3 ^  U/ _C 和 C 是半導體製造時伴隨出現的寄生 ...
5 d2 _# U! f6 m% T
电容越大,越差!1 b8 v: q2 E  A" y0 P
影响速度!) T! l9 X9 z8 Y% p. ^8 m3 d( h
这不是L波!电容越大,带的负载越重
- O; E& {& P' K

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发表于 2013-8-12 21:43 | 只看该作者
超級狗回答的很棒,但我補充一下:
/ i  B" u1 T6 I; Y5 U$ u9 S: a: l, A
  F8 p  A& F: g7 s2 k$ d1. CI,对于一个输入管脚,就相当于这管脚并了一个CI大小的电容?: T* \3 t2 G% C! R
=: )  也不好說是管脚并了一个CI大小的电,應該說是输入管脚電路天生及寄生的電容值和。( n9 J- n' a4 y" s

3 K# j% t6 d5 Z2 E' k8 g2. 信号由低电平到高电平就是相当于把这电容充电?
7 S* I6 w; @! ~" R, ~=  是
2 K/ x$ t& F% A% n. ~, y+ O" @  c
3. 从低电平充到VIH的时间跟驱动电流有关?+ U9 V/ L& q3 C' j
=: ) 是,電容的電壓與充電電流成正比。
' A" A! I; J9 p( w( @, s& L6 l8 m# ^/ r! ]
4. 信号频率一定的情况下,CI越大是不是需要的驱动电流越大?* R1 [( f( g9 A6 W" I! Z9 X2 z8 D
= 信号频率一定的情况,你這個頻率不知怎麼理解,對數字電路而言,信號的上升一個 duty 時間內應該要充電到超過 VIH,若不能就會錯失這個 bit,只要 Ci 越大前級的驅動電流就要越大。% _8 I5 [8 c; ?& |" V# L1 g
4 [7 A6 g; K4 K: A! G) c
5. 芯片管脚的信号频率越高CI是不是就越小?7 j, c8 p3 h5 y0 H
= 是的,芯片管脚可接受的信號頻率越高, Ci 越小。3 ?/ F6 r- d8 X" }) R- l4 o

6 T, L) o; H3 p) d6. CO又怎么理解?: |+ S! y" y0 `. I4 X
=:) 就是芯片输出管脚電路天生及寄生的電容值和。
' ^! c! Y% R. I% d/ U. ~

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沒錯!Lead Frame 和 Bonding Wire 也會有寄生電容,這點是我疏忽了,不是這個行業果然是不要逞強的好。>_<  发表于 2013-8-12 23:35
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谢谢你详细的回答!  发表于 2013-8-12 23:00

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超級狗 + 3 沒錯!Lead Frame 和 Bonding Wire 也會有寄.
xiongbindhu + 2 很给力!

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 楼主| 发表于 2013-8-12 23:04 | 只看该作者
honejing 发表于 2013-8-12 21:43
2 Z; P: V5 f& ]# a6 p+ D# P& ]- x超級狗回答的很棒,但我補充一下:
; P4 @; x8 t' f% B8 _0 O3 W
6 U5 q5 e! N) t0 R) \/ u1. CI,对于一个输入管脚,就相当于这管脚并了一个CI大小的电容?
. i- X( v: ]! Q: n6 I, x! L# q
“信号频率一定的情况下,CI越大是不是需要的驱动电流越大?”
8 z( k0 t5 D( H0 L信号有一个setup时间的要求,通常频率越高这个时间就越小,我说的信号频率一定就是指这个setup时间一定。

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发表于 2013-8-13 22:59 | 只看该作者
本帖最后由 honejing 于 2013-8-13 23:19 编辑
! {  T5 n8 }- z2 Z" ^
xiongbindhu 发表于 2013-8-12 23:04 6 `( K2 q1 `- m/ b# |
“信号频率一定的情况下,CI越大是不是需要的驱动电流越大?”
0 B7 q$ }* _$ b) e0 l6 L1 F; M信号有一个setup时间的要求,通常频率越高 ...
' A' U0 x$ r6 w" j5 z$ s) _
/ ]" H9 G* B2 c
Setup 的時間要求與所用的邏輯電路有一些關係,當然運作更高速的芯片,就會用更高速的電路架構或小一些的物理尺寸的電晶體 (三級管),以縮短 Flip-Flop 的 Setup/ Hold time,而 Setup / hold time 的時間要求,通常是取決於 Logic gate 的傳輸延遲,而 Ci的大小通常是受 input buffer 影響, Ci 大小影響信號的斜率,所以也會影響到時序,但就內部電路而言,它並不會改變 Flip-Flop的 Setup / hold time 的大小要求。

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太殘忍了,果真拿磚塊砸。不過小弟地一次閱讀時,的確也想說。^_^  发表于 2013-8-14 07:37

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超級狗 + 3 給錢好辦事!^_^

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