PCB走线中的3W与20H原则

fairy0212

PCB走线中的3W与20H原则
, V. a9 A$ U4 I1 R; O
- v. Z, S! T& K+ l* s$ H7 v6 u3W原则:
       这里3W是线与线之间的距离保持3倍线宽。你说3H也可以。但是这里H指的是线宽度。不是介质厚度。是为了减少线间串扰，应保证线间距足够大，如果线中心距不少于3倍线宽时，则可保持70%的线间电场不互相干扰，称为3W规则。如要达到98%的电场不互相干扰，可使用10W规则。针对EMI
20H原则：
; c1 y+ N$ C$ f2 f* |       是指电源层相对地层内缩20H的距离，当然也是为抑制边缘辐射效应。在板的边缘会向外辐射电磁干扰。将电源层内缩，使得电场只在接地层的范围内传导。有效的提高了EMC。若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内；内缩100H则可以将98%的电场限制在内。针对EMC
& ~+ G0 _  F6 r, A0 q5 @5 |4 J

James‘

线与线之间的距离保持3倍线宽，这个距离是指中心间距，还是线线的边沿间距呢？  当线与线中心间距大于3倍线宽时，70%线间电场不相互干扰，70%是什么参量，如何得出的？

James‘

20H是指20倍电地层的介质厚度。不知道楼主“若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内；内缩100H则可以将98%的电场限制在内。”中，70%和98%的参量是如何得出来的？是实际测量的出来的，还是仿真，或者计算？

liangkai520

3w就是两条线的间距是线宽的两倍
1 H  h: w# s7 m) f6 f  \6 Z20H是电源层内缩地层
& k4 f% \; T, F& C% kH表示电源层与地层的距离

chensc

James‘ 发表于 2013-7-30 16:52
线与线之间的距离保持3倍线宽，这个距离是指中心间距，还是线线的边沿间距呢？  当线与线中心间距大于3倍线 ...

中心距

西柯一梦

( D" Q& Z) v3 h' l6 F

chensc 发表于 2013-7-31 09:23
9 A' I5 B" S# ^0 E- d中心距

( _4 k- l: x& v7 O5 k6 @
7 x3 U: |& `9 U4 o边到边！啊，姐姐！{:soso_e151:}

迷雾森林

原来如此，学习了。。。。。