Multisim仿真为何跟实际电路不同

tdjfnwxf

如图所示这个是按实际电路连结的，实际MOS管用的是SI 2307，Multisim库中没有SI2307就用这个ZVP3306F代替，MOS管是P沟道的，理论上只要G PIN是底电平MOS管就是完全导通，现在仿真出来的好像没有导通，万用表测试出来的是3.551V，另外把J1开关合上使MOS管的G变为高电平，MOS管也不能截止，请问为何跟实际的电路不同。

无涯

源极漏极接反了。

tdjfnwxf

没有接错，实际电路也是这样接的

bluskly

我不知道你用这个电路干什么？反正觉得没必要这么复杂，而且如楼上所说，你漏源的两个脚是不是画得有些问题，你设计的思想是啥？

kevin890505

  你把MOS接反了测个毛线  MOS肯定一直是导通的 相当于一个二极管   SD 对调一下就OK了

tdjfnwxf

楼上的同学你有没有做过具体的仿真试过，反正接法我都做过仿真就是跟实际线路不同，大虾能说一下为什么吗？

cytao

楼上的同学你确实接反了，4.2-0.6V=3.6V的样子，刚好的！要反向一下才好！

shingwb

MOS管内部的二极管直接导通了，点亮了LED。所以万用表上会测到3.5V的电压

jerryzhu

LZ 仿真没有错，LZ还得好好学习下基础知识

LZ这样的接法，导通和戒指结果都一样的！

tdjfnwxf

你们都说电路接法有问题，我把实际电路贴出来，DC5V处是接充电器，PB5是4.2V电池，电路原理是当有DC5V（充电器）进来时，Q16截止，用充电器供电，此电路已量产很多，我也做过测试，当没有充电器时，Q16的2脚和3脚电压一样。请你们说说这是为什么呢。

shingwb

充电器的输入PMOS就是反着用的，你早说是充电用的不就清楚了吗

kevin890505

建议你看看模电书或者其他资料关于MOS原理的介绍。
简单说：单独的MOSFET由于工艺问题，必然存在寄生二极管，如图.其中第一个为正向接入，第二个为反向接入。
只有第一种情况下才有低电平导通，高电平截至的效果。第二种反向接法，由于寄生的体二极管，可以看出，有这个二极管，从前到后就是直接导通的，此时MOS不受控制的。这是电池充电电路的基本原理。

tdjfnwxf

kevin890505 发表于 2013-2-19 23:11
" |$ R1 o# C/ K- Y3 r' f建议你看看模电书或者其他资料关于MOS原理的介绍。
8 E9 N2 Y( d2 m" S简单说：单独的MOSFET由于工艺问题，必然存在寄生二极管 ...

只所以发这个贴子，在前期设计这个电路的时候没有加R93这个电阻，所以当接充电器的时间充电电流很大，没有经过充电IC ，充电电流直接经过MOS管到电池上。我的那个电路跟你第二个图接法一样，按你这种说我不加班R93的时候充电也会经过充电IC，而不会直接从MOS管到电池上，还有按这种接法MOS管存在寄生二极管会有一个压降，但我在实际电路上也做过具体测试，电池过经MOS管几乎没有压降，这一点又怎么解释呢，

kevin890505

tdjfnwxf 发表于 2013-2-20 11:14
只所以发这个贴子，在前期设计这个电路的时候没有加R93这个电阻，所以当接充电器的时间充电电流很大，没有 ...

你对比下第二个情况下，有Vgs和没有Vgs不难明白了。
0 {# Y2 O& ~; x/ ~( ^2 R* _4 E第二个情况在没有Vgs或者Vgs达不到开启电压的时候，体二极管就导通了，自然会有0.4左右的压降。
但是如果Vgs是低电平的话，MOS完全导通了，自然就没有体二极管了，此时的压降是由MOS得Rds决定的，压降=Rds*I，由于NMOS的导通电阻一般都是40m欧左右，所以这个压降基本是没有的。
所以，正接和反接区别在于没有导通的时候。如果Vgs达到门限了，D,S是没有区别的，电流从那边流向那边是取决于电压的高低。

tdjfnwxf

明白了，感谢，一直对MOS管原理不太了解，在学校基本没有学过，呵呵