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欢迎讨论：SIWAVE与HFSS微带线仿真对比！
; Y+ ? X% k- l4 k f/ V- X a, @6 N! s) Y
仅仅作为仿真，结构并不一定非常合理6 Y5 O7 C& _6 j3 S1 P8 j4 H3 k4 j* z
- s8 \6 Y& _' [" @/ [( [
微带线宽10mil
# f3 R* M$ R6 k. A/ Y, e, \' I( _微带线厚2mil
: {* e E# D0 z( j& y. u+ u微带长度5010mil8 }/ J2 _3 O) R9 `5 w
中间介质厚10mil，介电常数4.4（按仿真工具里面默认的FR4选择）
- x0 M2 A1 W* l参考面厚2mil
+ l% P- ^$ A* f. }, H6 @
. a0 {8 m3 {% s5 a
. A- h# F/ y5 VTDR仿真设置：+ r w6 Z/ v+ t( A
rise time：100ps；della time：10ps
4 O& h. m' y. g3 U# g( G/ r3 f2 z! W0 p3 x
在SIWAVE中画一根5010mil的走线；有一个完整的参考平面
+ L, [7 Z7 X: S( A) i7 r, e: O然后得出的S参数与TDR仿真结果如下$ j) a; G2 q: v: ?2 D1 R
9 [/ E; {8 t" M* S* h
7 t& s+ ^7 Q2 V# I: n
-------------------------------- X0 c0 \) ?, e5 I. t
6 I! Z1 D; A6 T; a: ?! t+ I/ B在HFSS中，画一个参数化结构，PCB长宽100mil X 100mi，端口使用内嵌deembed功能（-4190mil）
% u, z( D: f. G2 q6 d$ {6 [* C使用终端驱动摸索，waveport端口处的的设置：
" M* l" \3 B1 X" c0 P% ^3 `sheet宽是走线的5倍关系，长是微带线与介质厚度的11倍关系
# y: R# ?: K6 p然后得出的S参数与TDR仿真结果如下
& v W4 u1 N4 `
) M& g/ S& O% n7 e9 a8 z) s9 `1 h6 ^& M
% H5 H0 T! N F9 i7 Z1 Z( K p1 j6 Z
' a' A% k. t0 {! U
: Y% l) c# \1 U( ]9 Y
0 w% D0 H& w5 j问题：, A ], _6 b2 t
（1）siwave仿真的结果跟使用polar的仿真结果基本接近；hfss怎差了好几欧；这样的结果是否是正确的
) h H& q7 L$ h3d与2d的适应范围与精度是如何进行评估呢？
% a! r+ l% v: E' A9 o+ t; V4 _( a' ~* F }- h I
（2）因为目前没使用仪器测试过TDR，希望有经验的朋友能提供一些仿真与实测的数据对比结果# W: c3 Y8 J9 X: b# J! ]
9 b% ]; l/ w5 O8 Q' m（3）从史密斯园可以看出那些情况？转的圈数是不是就是谐振点数？也就是这跟走线上经过的波的数量？如何能快速了解这跟走线到底走了多少波长？- W8 g' Y+ ^7 G* k0 I2 T6 [; p$ {
# u- ]2 v' d* @7 o
（4）如果在hfss按照微带5010mil长度建模，好像仿真得出的结果差异非常大，不知道这个结果是不是跟模型走线过长，存在严重的辐射边界反射导致的？在正确使用waveport的时候应该注意那些问题？下图是这个的仿真结果，看着比较诡异
+ i! c8 _! {+ g0 R. I0 y( a ^3 ]2 p: G5 o; s
% H. l* b" `' h" }
5 Z. U3 i# W ^. Z; H/ a. _2 }+ G, ^
; L& F, N' l+ G5 S6 B5 B
, `( z# ?- F9 |$ u( v
# M0 E! ^9 h) f+ \
. \2 \9 N6 {, ^7 P/ K8 l |
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发表于 2012-4-16 22:12
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