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HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？; l7 S% e5 ^2 D# I% E) Z' n7 L
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, s- q+ R* L) ~! |因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体
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* M% b% t9 W. j+ J% Z在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小
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请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的1 t( I0 Q: |( p5 Y1 ~. _
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' k. Y( @' b) z) p! {+ a8 x! Z `9 P9 g& a/ p$ _+ Q9 W
因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界( y K8 B' k; I, R: m
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3 z7 X1 v2 P3 P. u) O- D另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面
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它跟辐射边界有什么区别么？
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& z, ^5 ~; L3 y- g* x' F希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑
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发表于 2012-4-11 08:39
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