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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22
& s9 P9 _4 i' u6 T8 |你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ... 7 N5 k. c8 p& ?- M
2 D0 `) [" E6 \ n; Q2 a线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch 5 K6 x6 i, J; G
算出来特征阻抗67.93ohm
( z) ]7 O6 E7 i/ ^9 n
, k6 R5 N$ f+ H+ Z( J0 A& k: n5 K; B
端口归一化 阶跃响应 TDR4 j* b7 k3 k. m7 @
可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远
! d& P. Z6 ^; \' O* T
$ i1 _; @! T8 [' ~. `
取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下# ?( W: C- b* k" L4 A
. {* R- x( W- j/ N" t' \/ A3 J; G
端口归一化后的 冲击响应TDR) O, v! g! G) k i' N# X
阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化
& x7 a$ o7 f1 s/ F
8 }! W2 r& K; P7 @
端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。
4 l" i& K; s. @9 j* h
% ?# h" V [1 E- Q" F9 `5 _
7 d7 X, g( N1 S, T* h# [1 I* { Z- C归一化后的s11
# a! T/ O& I0 ?
# K5 V6 p5 n" f未做归一化的s11& k/ v- r9 q+ v2 X: M# r, |3 n
$ W0 ^( `( d6 Z+ u$ U0 H, x! r首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?4 S( F g# Z t; k
端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?5 @" W4 L8 J. g# U
为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?
( ~1 F- `, A: P此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的, i% d& ^: H! j C
跳变时间不同?+ C' b9 D4 v/ |, i n9 t# r
, w( L. A+ e" l( H
以下为具体设置和工程文件
" C- t1 N0 R* @( Z3 D! `9 P+ k$ |' X
- x' @' a R, ^( E( f) [
6 x5 T- I1 u- r
5 P/ [) [$ u9 h2 S- ?$ X" a3 E' i
! y, E' L: `* U: Q5 t9 k: u2 J3 P
2 E0 L1 `# J& o# w9 l: M" J5 W0 x( _
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# ]: H" m; a _( W1 U$ O
1 n5 }4 O4 q$ h4 V
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$ Y1 Y# r. S" x: a2 x3 B
0 Z- p# C e! s3 J- y4 q* ^- q7 g
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: ~4 k ~5 r/ s/ x2 Y. S2 A
3 y. d. J; X6 G9 e: w9 G6 q
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$ R2 D5 P. I& q& l+ {: k
5 m1 G' u0 X" z, H& }4 R( D |
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