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DDR_I布线

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发表于 2011-8-12 16:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
原理图说明:9 R5 J$ i& I$ S# y

* U1 y) C0 A' T" P7 z* a0 |7 g
8 n/ Q7 T- n0 L上图DDR_I电路中需要注意到信号线有CLK+/-,DQS0/1等.
$ `  S" l  c. O5 W 7 q" n7 q" j* n# t

: x: m( n/ V$ b7 k/ \  Q& k  b% SPCB图说明:4 ?. j' [  W" p6 I- z& d

: s, ]7 W; m3 \0 A) X+ h/ j1: 13位地址线与16位数据线的宽度走6MIL就可以,每根线的间距为9MIL.
5 `0 r1 c# G- B# A' k2:时钟走线宽度12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔.时钟线一定不要有过孔.( _1 k! {  G7 Q+ R, P
3QS0/1线的线宽12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔一定不要打过孔.
3 k* v# ~, j. H# s' `4DR芯片的高频电容要靠近相应的供电脚放置,连线宽度>=12MIL.其供电线宽度>=30MIL.单元供电LDO靠近DDR芯片放置.9 K- o& V; U3 M( [" i) f
5:REF电路需要靠近芯片的引脚放置,线宽>=12MIL.1 M0 X2 G8 c1 L+ F! M: x
6:整个DDR单元电路与外界需要用地线隔离.# F8 n+ H+ m) A( ]4 g
. f7 ?' G$ C# m! T' D' C

/ g$ \& Y, n; e
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发表于 2011-8-12 17:00 | 只看该作者
回复 yufangh 的帖子1 Y  Y$ v5 T9 ?; V: Y
+ c9 X; ]& J+ g
甘渣:别来无样呀!

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 楼主| 发表于 2011-8-12 17:15 | 只看该作者
回复 CFG 的帖子
' ^5 v& ^1 l2 s0 m# h, |+ u8 n
& v1 M, J0 k% `2 O& O1 c/ d陈总,你这错别字。。。。

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发表于 2011-8-12 17:45 | 只看该作者
还是可以的

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发表于 2011-8-15 08:12 | 只看该作者
和DDR_2的有什么实质性的区别呢?只是没看到你做等长而已。请教了

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 楼主| 发表于 2011-8-15 08:23 | 只看该作者
回复 huangzj 的帖子
; t7 ^4 Y6 }) T1 n0 M
# e- q( ?, X! s  g" ^! `1 f8 B- c5 L等长看芯片规格书了,这颗不需要等长,原则上等长是最好的。
# @5 D: n( q  d9 V, u4 {# I% L

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发表于 2011-8-16 09:40 | 只看该作者
呵呵,谢啦

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发表于 2011-8-16 13:11 | 只看该作者
干嘛不弄个PDF文档,把教程整理成一份就好了,方便我们学习啊

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发表于 2011-8-16 15:56 | 只看该作者
学习啊,都是画高速的高手呀.
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