|
EDA365欢迎您!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
原理图说明:9 R5 J$ i& I$ S# y
* U1 y) C0 A' T" P7 z* a0 |7 g
8 n/ Q7 T- n0 L上图DDR_I电路中需要注意到信号线有CLK+/-,DQS0/1等.
$ ` S" l c. O5 W
7 q" n7 q" j* n# t
: x: m( n/ V$ b7 k/ \ Q& k b% SPCB图说明:4 ?. j' [ W" p6 I- z& d
: s, ]7 W; m3 \0 A) X+ h/ j1: 13位地址线与16位数据线的宽度走6MIL就可以,每根线的间距为9MIL.
5 `0 r1 c# G- B# A' k2:时钟走线宽度12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔.时钟线一定不要有过孔.( _1 k! { G7 Q+ R, P
3 QS0/1线的线宽12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔一定不要打过孔.
3 k* v# ~, j. H# s' `4 DR芯片的高频电容要靠近相应的供电脚放置,连线宽度>=12MIL.其供电线宽度>=30MIL.单元供电LDO靠近DDR芯片放置.9 K- o& V; U3 M( [" i) f
5:REF电路需要靠近芯片的引脚放置,线宽>=12MIL.1 M0 X2 G8 c1 L+ F! M: x
6:整个DDR单元电路与外界需要用地线隔离.# F8 n+ H+ m) A( ]4 g
. f7 ?' G$ C# m! T' D' C
/ g$ \& Y, n; e |
|