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运放的spice模型能否模拟其噪声特性

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发表于 2011-6-15 16:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
如题,预算放大器的spice模型能否模拟它的噪声特性呢,比如max4212厂商提供的spice模型为* MAX4212 FAMILY MACROMODELS
) c& w  q9 u. w% s3 O* -------------------------* l! c; B# y- X  \0 t. j# q
* FEATURES:$ l- R% Q0 ^1 _+ K
* 300MHz -3dB Bandwidth
1 E* g: V2 A$ m  V; c. c* 600V/uS Slew Rate4 S7 V% t; y6 \: b3 U8 E3 y
* 5.5mA Typical Supply Current
! s/ ]9 W; q3 K5 |( ?# p) f' w  h' G* 120mA Typical Output Current3 [+ @, W( ~; R3 ~
* Rail-to-Rail Outputs& i' M. S( ?! H5 m4 I
* Available in 5-Pin SOT23-5 (MAX4212)! r0 e9 T+ o/ N' B' c1 i
*4 J& V, d3 @- g8 {
*: \& w1 t9 J  b) @
* PART NUMBER    DESCRIPTION& O" L) T9 |2 Q2 y
* ___________    _____________________________5 _3 ~# B. |. q- O( q* `4 s
* MAX4212        300MHz, Rail-to-Rail Op Amps  
. b" Q1 c# _. ]4 s9 }& ~. t& `0 ^5 ?*: u. u& a0 ?( H* `
*
9 X7 N8 V3 s( E0 N* I" ]*   ////////////// MAX4212 MACROMODEL //////////////////
- p) W* N7 t' s: u/ G; S3 u*
5 r& J: {  Y3 A# K) w" c; p*   ====>      REFER TO MAX4212 DATA SHEET       <====
2 g( b6 E) b0 s5 D9 N) s*
' B5 S6 h2 n6 b! ~( ~7 O1 L) t* connections:      non-inverting input* m  \+ G8 e7 G+ i" b
*                   |   inverting input$ f- f- g+ u( b; }: q& G4 K2 w  H
*                   |   |   positive power supply
. f. N( k% t+ u. W  O- o' Z) d*                   |   |   |   negative power supply8 E' Z- i  F$ I
*                   |   |   |   |   output( X6 o8 N, X3 \& w7 X2 s5 G
*                   |   |   |   |   |
0 e) m3 j, R% {! Z: J5 s% U, {*                   |   |   |   |   |
- [5 f9 ?2 ^- r( h$ p2 K*                   |   |   |   |   |
  h& V1 h$ G! k$ i5 s* o+ w* OUTPUT CONNECTS:  1   2   99  50  97  J; H3 b3 Y, y: ^
*0 z, d5 Z. f- h# D( i
*
/ i+ R% j' @) E) A3 g  x8 B/ G.SUBCKT MAX4212 1 2 99 50 97
6 n8 B( g# A# s2 }% q, S! f3 Q  G% [****************INPUT STAGE**********************( l8 M/ U* p! l! q8 s
I1 99 4 .5e-3
9 F1 l+ x9 J* m$ [6 b! xIBIASE 1 2 5.5ua
+ A, g5 j0 {9 J2 g* z- h3 qM1   5  2 4 99 MOSFET
6 D+ Q3 v* Q  [2 t+ c& fR3   5 50 2828  L' ^, K7 y; V% C7 |" S/ }8 e
M2   6  7 4 99 MOSFET
" F7 s8 Y) e/ p9 }( C; jR4   6 50 2828
7 S  L/ Z, v- H( h2 KCI1  1  0 2P
2 D7 k/ ?4 p2 }# PCI2  2  0 2P6 |- l5 @: s+ L' m) ?9 v: U
*DP1  1 99 DA1 N$ Y2 s9 X* @1 g
*DP2 50  1 DA
+ p3 Q+ ~3 V% v8 P*DP3  2 99 DB
6 H0 F; r; q' K5 b* l6 u' m*DP4 50  2 DB
6 H; O1 x: V% {5 n************************) y. t! @! B8 {2 L: Z
************ GAIN, 1ST POLE, SLEW STAGE************1 o) r1 Y" S. B$ |# p2 r
EH 99 98 99 50 0.5
  n- `4 [$ t0 H' PG0  98  9 5 6 7.87e-3
5 M- }6 \. W, e. e1 rVB 9 10 0V
9 x8 ~6 k( o& {0 yR0  98  9 127E3& _7 p/ u! h9 C% G; R: ?
C3 10 98 1.488e-114 |* f# j- p1 l; m) V6 q$ S, Q8 Z. m2 f* L
*C3 10 98 1.166e-11* b/ l! ~5 z  n& s6 v8 `
*** ***********
" r" m% a" L2 u% tD1 9 111 DP
0 n2 T- N7 a# H+ K& SD2 112 9 DP
2 P- t) I3 y" G- H2 B3 m) I$ l$ kV11 99 111 50MV
, T* i2 S) ]8 t) R) B  S/ x3 ~, fV12 112 50 50MV
# `( d! h! a( s9 d2 V************
0 m3 ?& M0 b( kI2 99 50 5.1mA9 u5 a5 h* T/ ?5 H* V3 k
VOS 7 1 0v  m8 u; k$ d5 v/ ]
******** POLE STAGE **********
* W& E" F9 n6 ~) \& cG3 98 15 10 98 1E-3, z0 ?2 ?8 d$ ^4 v: t
R12 98 15 1E3* _+ p4 s; L" w4 M. A  h, `' H  W3 l
***************************
- T8 V" n7 V2 u1 Y/ p, ]! R& K*********** change for second pole
% q& @4 f& N3 c5 P* x) ZC5 98 15 .48p. v! E! q/ i! P- C& W
*  
) C+ `3 a. D6 q/ ~) W3 l*************OUTPUT STAGE****************
4 }9 s1 C% C5 aF5 99 38 VA8 1
1 s; D/ k: C; E& S: OD9 40 38 DX
/ t( I: u9 c+ ]* w, _D10 38 99 DX
! P8 U1 \6 h3 E% n0 ZVA7 99 40 00 ~+ ~( Z- J$ Y+ }, w
G12 98 32 15 98 1E-3
8 E$ Q8 m6 E# q+ c; A# ]- }6 b*          ^ INSERT NODE FROM LAST STAGE HERE
2 ?" [3 Q  k3 g' LR15 98 32 1E3
  q& a; h6 `" Z# q) g6 K7 a- L*D3 32 36 Dx
. b3 w0 i. b8 K*D4 37 32 Dx! k. l5 f/ m* d& b" d( S
*V5 34 37  .3V7 {% k- q& v1 d- ^
*V4 36 34  -.3V
5 z% Y+ o7 p: O*** V5,V4 SET ISC6 i* P( Z% r$ q" s( p& Q+ E
R16 34 97 7.55* H, f* K$ o% I
E1 99 33 99 32 1
' g* S9 A/ X; H/ J+ F" m' l, ?6 H% XVA8 33 34 0V2 {; d: z  G& N0 B& q" z7 W4 p
******************************************
* I! M4 h2 m1 o8 X8 y/ g$ O5 P.MODEL DA D(IS=100E-14 RS=.5K)
% y: Q1 i! j* y1 H+ `.MODEL DB D(IS=100E-14 RS=.5K)# t; b8 _* v5 H: J& Z8 Y
.MODEL DX D(IS=100E-14)2 [$ U( ~% J* e; X! Z% C
.MODEL Dp D(N=0.05)9 c% ]" A* U9 N6 H* Q
.MODEL MOSFET PMOS(VTO=0 KP=1.8E-3). x0 W* f' r7 R8 k8 [
*VTO ESTABLISHES INPUT VOLT. RANGE  , was -1.7* _# G1 b) X& W9 K
**
% e) `5 r( e1 s" Q( M$ T.ENDS
- y  z) A& n/ |* q              6 u% b9 t" K5 @% r9 m0 l
用cadence中提供的ac 分析中的noise分析对含有max4213的电路进行噪声分析时,仿真的噪声曲线包含了该芯片的噪声么
3 c  g3 u3 S5 w: n) u4 I5 j9 w9 F2 V小弟初学模拟电路,请各位大侠指教啊。多谢3 \* a2 A/ m% w% U( R  [8 [& t
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