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SIwave仿真有没有将过孔的影响考虑进去?

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发表于 2011-1-14 14:14 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电容模型或者是仿真的过程中是否考虑了过孔的影响,Eric.Bogatin大师曾经曰过,过孔对引进的寄生电感在零点几nH的数量级,那这个不容忽视的偏差在电容厂商建立S参数模型或者SIwave软件是否将其考虑进去了呢?
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