Hyperlynx使用咨询

anjingcoward

上传一图片！
2 F! H! i' A: j5 N* a" M请问：
7 k  v" R1 o6 h    如果我想仿真使用去耦电容对EM辐射的抑制作用，
    我们知道去耦电容应该加在IC芯片的电源和地引脚之间，并要尽量靠近，
3 S- [3 ~, p0 t4 H   
    那在Hyperlynx中按照我上传图片所加的地方对不对？这种加法是加在电地引脚之间吗？

willyeing

好像不应该加那么大的电容吧一般不会超过30pF的。几个pF应该就可以了。这样加会降低信号沿，也就是降低高频分量也就是那个Fknee频率，应该可以降低EM辐射的。

anjingcoward

willyeing 发表于 2010-12-28 14:30
好像不应该加那么大的电容吧一般不会超过30pF的。几个pF应该就可以了。这样加会降低信号沿，也就是降低高频 ...

恩，我只是随便加个电容试试，呵呵！
主要是我想知道，这样加是不是正确的？
8 V2 I/ Z" f0 T, G) K5 c, v+ P, d你认为是对的吗？

mf3780

应该加在微带线后面

anjingcoward

个人感觉好像不对啊！！
. m! ^8 x$ l9 W* R: c9 O对于IC来说，去耦电容不是应该加在IC的电源和地引脚之间嘛？而按照图上的加法，明显是针对输出信号的啊，这似乎应该属于滤波吧？

anjingcoward

我总觉得，好像linesim中应该修改驱动芯片的IBIS模型中某些部分，这部分可能会对应去耦电容部分，可是也不会改

willyeing

个人认为不对，IBIS模型里是DIE+PACKAGE的寄生电容，它代表封装好后芯片的pin的特性。如果加在里面等于改芯片的封装了。个人理解应该加在你加的地方，电容是pF级，一般情况可用串阻的方法来抑制EMI,还有改变驱动电流以及传输线长等！

forevercgh

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* \  t8 G! C  e) }
  V% i+ I, _( c6 P. T, w7 U+ o参考附图
# u$ g8 ?3 O6 D7 t* T. h

anjingcoward

上传一篇文章，其中有块是作者使用Hyperlynx做的去耦电容抑制EMI，
不过没说怎么做
- ?/ \* t' d" V3 i7 B1 _; p

willyeing

搞电容的目的还是降低信号沿，不管咋样，EMI都是电流发生瞬变产生的，解决EMC就是解决电流的问题！！！

anjingcoward

我在找些资料看看吧

honejing

Linesim 無法把電容掛在 Power rail 上。
" |$ v1 {$ Z& c; ?2 L  ?LZ 的圖示把電容掛在互連線上，並非去藕電容的作用。

anjingcoward

honejing 发表于 2011-1-5 18:39
Linesim 無法把電容掛在 Power rail 上。
7 P; d7 k( R+ {LZ 的圖示把電容掛在互連線上，並非去藕電容的作用。

& G! H8 T; H' K. R" o$ c" p7 P那honejing有什么办法做做这方面的仿真没？
& u+ Y. O  c* V

honejing

曾經嘗試， 但 Hyperlynx LineSim 似乎無解。不過可以用 BoardSim,
自己抽的 Model 含  Power pin, 把電容掛在上面試試，但是它提供的 IBIS model
  Y+ l7 B4 I" v$ o就沒有辦法拉出 Power pin, 無法做 Power 的連接，不確定仿真 EMI 是否會有效果。
# X  T1 Q8 g; F9 O試試，若有結果，麻煩分享。