【求助】双SDRAM地址数据线分叉以后阻抗要改到60欧么？

922neo

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如题；看到有这个说法：单线阻抗控制在50ohm，对于地址和控制信号，分叉点到两SDRAM（可能的情况下）的阻抗控制在60-65ohm，以确保阻抗的连续。
  c1 r; p, d- O' O7 o$ l
请问这个阻值是如何得出的?

谢谢！

joshuafu

从不同方向看，目的是保持阻抗的连续性，只是理论分析应该这样比较好，实际上很少有人这么做，因为很困难，也似乎没这个必要。

袁荣盛

其实理想的情况是控制到100左右
" m3 U# r" a5 D% C2 Z4 ^  o但100ohm的阻抗工艺上实现可能有点困难
所以就比50ohm稍大些
: f, M; @' W. x! G6 {但的确很少人去这么做，因为只要控制下T点到分支的这段线的长度就可以了