请教一下SDRAM的型号怎认。（已解决）

T45524093

请教一下SDRAM里的64*4，32*8，16*16分别是什么意思，

T45524093

Micron内存颗粒
/ E& s! c8 E0 P. z7 W, T
4 E  v$ I" q8 z& _. g( {; b+ MMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

. [5 W8 j+ D! J0 d, c& i' K, {" A4 U含义：
& o  m6 K, _9 T' I9 {
& K2 Q: L: |* K4 xMT——Micron的厂商名称。
! F' g& t# D& N' B* ?+ I! P
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
/ J) u) {2 E2 ]+ Q3 t
& c( V, Z/ a: h6 UA2——内存内核版本号。
& z4 N4 _6 N9 O8 {/ W
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
+ [7 r# i" K: g& ~* N( s
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
) n# ~) P3 ], i( ^
) `) E4 V5 F# T实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

, G* _: G# t; @# \3 R其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。  明白了。原来如此

草莓1989

楼上很强啊！向楼上学习！！

liuli

狂顶楼主，学习了
其他厂商的不知楼主有没统计，发来学习下，多谢多谢

T45524093

三星内存颗粒
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X

! W, N$ u1 V8 a% O$ X主要含义：
' i) |  Z1 F4 k( X
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
8 h7 j1 _  I4 s- k% G$ o
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
3 Z) w; d7 ~3 k. b& G( y  Y# f* P
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

) W8 J, [; V3 }; `0 T第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
4 @* u$ j& E7 I& x
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
' c) c; ?6 S8 C. z
1 z/ r) O4 g7 ^8 g) C5 F' f) V第11位——连线“-”。
! b/ N0 [9 X8 m& L
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
9 v+ I8 _% _8 J/ H  f& c& Y$ [
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

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( @/ b, x& i, e5 e. ?7 i. T, L
Micron内存颗粒
1 O* [# O4 C, k
% ?4 A/ U% Q4 r$ ]+ d4 uMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
/ M7 V- v+ g! C" x5 W
9 e9 }5 o* V( I; O8 V含义：
8 V1 @$ U; D4 w* _0 K6 [
MT——Micron的厂商名称。
* h6 V/ w! r& W4 z
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

$ w# u- _3 \3 hLC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

; _* ?1 ~; X7 T; J2 b2 W% i16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。
! N. X6 N# x8 b; x+ Z3 o
TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

6 v& ?2 G$ U$ N( I' O9 B实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
/ T2 Q" s$ _7 u2 M2 B( ?
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

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* s" [& @' W2 a% u- E3 Z/ h
西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
7 ~+ k! b) r- M* R- e0 r. s8 T! m
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
4 k) W/ \1 C. U/ T
8 a) Y1 R0 f3 A2 ]  XInfineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
/ A5 X4 R6 \4 S6 F
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

+ y) G1 W8 `  T9 f1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
. R( m; i2 w' {5 W; O3 }
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
) d( [' i" a5 R. B0 s
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, B2 b$ O  l' A2 j
Kingmax内存颗粒

2 @! n, t2 z) L+ F! g5 w4 YKingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
0 F6 O, j, I: R" O8 Q
容量备注：

& o) `/ L& A9 I8 Y, @KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
5 u; d, |4 i" v" y3 S) m2 y$ n
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
5 V& u9 B& V. e% i1 J
; g4 C/ f) L' b+ U% g) i- M! J7 _. GKSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

9 _% i; l7 r9 j' y: m! T2 WKSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
6 k: E3 A& |! [% Z9 q7 v
) B2 a7 [0 U9 c& r' m5 XKSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
' E: p7 o3 S" b7 H
( H5 {" B0 N2 V, k* E/ eKingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
6 r; }- v" m- q1 P. f- [
-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；
. ~5 o2 t, q$ k7 v
-8A——PC100/ CL=2；
% a6 m- F% Y, x( z3 @0 `2 v1 V, Y
-8——PC100 /CL=3。
3 X; X/ A4 P& ~8 V5 u
5 p( m% D6 ~. A) y' \例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
: A2 Q3 T- M! r, A# i1 `. v
- Z; p9 \* W/ q! F8 E内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量
  H1 d! y1 s' u( c$ a
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2 h% t/ z% E: o0 Y1 t( K7 Y! @% W. \: MHY颗粒编号
( Q, z+ n/ k6 O. }& ~

) K( p5 `; Q& ^: RHY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

3 G8 g; v! k' {) S6 k, m1、HY代表是现代的产品
. b$ c: u0 I" D$ ^
　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
" F: `% t4 v7 {3 J. B; P/ a
　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　
& z) q; c+ v' ^' W$ E. P( [0 U
$ P- S8 b1 Y# W4 \9 C1 G6 j　　4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新

　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
! A- p: g% ^- Z* D; f& J  S
　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
4 J) u/ S1 K9 C0 ?0 e: v
" Q# g* m" K, U9 f& r# v) {$ x5 Y　　7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2

: s7 j+ o3 p  x, n5 f　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
$ M1 _% j; {" E+ d$ V! F( ^9 R
7 B8 I" p5 Q, B# }& K7 {/ d" L) c　　10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

) B1 b0 N" `3 w5 E* z　　11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、　K DR266A
  K& I0 G4 r; T% [- v! e6 }# P
% i1 {5 P" Z; |" J/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
( N6 r( \, ~2 h+ J8 _% J% O
TOSHIBA DDR内存:

9 u+ `  a  G5 QTC XX X XX XX X XX X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9

" t1 u" C- m0 z1 v- d
$ z/ h7 {; k+ y( C7 Q　　1、TC代表是东芝的产品

　　2、59代表SDRAM代表是SDRAM

  |5 ^/ y- ~; B; {) t　　3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM

　　4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
, u$ N  }: g  k$ N
! h& G1 d8 D# z- z/ V( e　　5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

　　6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
7 ^' Q% e4 o8 V0 k3 @
　　7、代表封装：FT为TSO II封装

　　8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通

　　9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
8 n" f4 g8 g/ e9 t1 P: q
" Y, `. I8 s7 z" V/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

宇瞻DDR内存:

# d9 {, X' ?0 y7 W! q- VW XX XX XX XX
# L/ {7 @- I1 f) W" Z+ d7 e4 m% T
$ \$ y7 `2 S9 L* j3 X; _' A1 2 3 4 5


  a8 W# y  K- h2 ^　　1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

% z! P' U4 H8 j  I# c　　2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM　
4 i: R2 {0 w) q' x$ b
　　3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
0 N0 n  {' A+ V- \: L8 J7 x
　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

0 w4 A- c0 |. `) c4 ]6 E　　5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

bragi19451466

這些datasheet上都會有寫明的呀