请教一下SDRAM的型号怎认。（已解决）

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4 u  c. l( v9 K0 ]" b5 D( a* B/ q 请教一下SDRAM里的64*4，32*8，16*16分别是什么意思，

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Micron内存颗粒

5 c, @, H/ ]: k2 ^! A. rMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

' `( c& d! N) d7 V" n5 \+ y含义：
7 n5 H2 A% p! |9 C
MT——Micron的厂商名称。
+ k+ P* C( V) j9 V& ^, z
: `' p' ]: X( M9 h0 {8 S48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
% d7 e' J. a' o
" Y& N% p1 [  A# I3 z# c5 FLC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

* G2 p8 M5 }' H, O16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
: @; y0 N3 p; x3 f& p/ U8 [' i, @
1 V. w, F3 D6 K+ {" ?8 h9 S8 f3 rA2——内存内核版本号。
2 D9 @6 s$ @, C0 A5 _' X
5 x3 y, M/ g: A$ m2 s: W$ dTG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
' y" `/ Y) f% g  v) H4 F
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。  明白了。原来如此

草莓1989

楼上很强啊！向楼上学习！！

liuli

狂顶楼主，学习了
其他厂商的不知楼主有没统计，发来学习下，多谢多谢

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三星内存颗粒
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
& R# d  Z' T  C, \) T) Y
6 K* D" Y0 i: O: V! }主要含义：

, Z9 g4 l- o" D2 _5 z% v第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。
( J$ s+ \2 }2 R) ~) ~# W) x
  T6 K. Y4 v" m7 V$ Y第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
; @4 u% z- F- a
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
  v- x- _6 n, ~: M& ^0 c
第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

* B5 T" a; q) m  B, H知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
+ T2 U1 y- Z- k* L3 n) r% O# o& \
) y& J5 X+ Y' W; E% [3 ~) [! g注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
2 V- j- G& a3 Y' o* f
9 o* n0 m$ t. h$ m, O1 Y/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
; }8 {. W( H4 Y2 n+ k9 S
Micron内存颗粒

& B# L6 d1 y3 h4 aMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
/ i' A8 |+ N$ ^6 y9 k
含义：

& t, ^! @) S" b. Q* T% }MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
# g* g' Z) k7 z( c
1 m6 L- @+ U* i3 A- K9 hLC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

# q8 G# [/ y. Y: ?, w0 U" Q! z16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
+ ~. O- t& X7 i) {
A2——内存内核版本号。
! F; n1 m# B# B( m7 w
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
# \3 u! i0 h" g% q6 D; Q
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
6 U1 ~8 G7 m$ ]# X; ]0 q
/ i& _' U5 @  W. u8 b其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

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+ F; c+ a+ b9 D. W4 x8 p1 W8 H
3 \7 h' q3 d6 j( j4 b3 ~西门子内存颗粒

$ I2 k# m4 x; x( d2 K0 m+ ]8 A目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

: ]) Z7 M3 U+ PHYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
; {8 m1 e0 n! I# g6 \9 k
  h; v/ S+ p3 z/ x3 lInfineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
$ A! q6 C( u  F/ a' Y# b; x
' q  U5 s1 E+ L8 E& k-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：
4 ^9 k4 _; [+ r- J
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
/ E6 u. @' _5 e
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  o* x" H8 K' K. }  V( |
Kingmax内存颗粒

9 @7 j* s! x% f& j7 A; ^Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：
/ s3 g2 r* w: v/ @3 a' ^; H" H
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
; N/ r& A7 X4 ~1 Q# ?2 }4 v3 z
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
! H/ M0 |4 T9 ]9 j
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
" o" S" F3 i; B4 F& k
8 Z3 J! J% d! _1 c" FKingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
/ I* U8 A4 ?+ |$ C' h0 X+ {( o' P  g& K
-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；
# U: r+ H* Y% V
-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。
2 C  |/ x4 W$ J* T. f1 z2 o& o- o7 b
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
8 Y/ I9 ]* [3 K
6 I- A/ T% e) Z% }& }内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
+ N$ U' r. H- s: w通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量
4 e' f* A$ o! o3 e: O$ j$ z/ E
' I9 v6 _5 d' F8 }/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
/ g7 D6 {$ n3 `: n
. D$ n$ y: m( q6 s) {- T: SHY颗粒编号
7 `  B0 O9 U0 a  l$ ?- h7 ?

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

3 y/ c! H4 i8 n# r1、HY代表是现代的产品

" I& h. V4 s7 ^! c. Q5 ]) e　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
- o" q" Y/ l5 o* z  y5 M7 w4 W' A
, I2 ]# f3 \' H　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　
7 @& K1 j) m; C6 s3 e
　　4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
/ u- ~9 }+ B5 k9 o! h7 G
6 g/ q$ z( A) o% P$ f6 P　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
! w- T# r5 N( T/ Q
( i- @! r# R! N0 b; p. [( ^　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

9 A  n5 G. p6 F$ g　　7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2

　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

' U- e' a! H+ X$ T$ r2 H* e; G4 k　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
: |9 _5 S% Y$ X& i0 U( v9 g
$ i  q! J- O8 n$ F& ]　　10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

　　11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、　K DR266A

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TOSHIBA DDR内存:

: X8 D3 v% D& l" c; h5 iTC XX X XX XX X XX X XX
( j# S) \- Q* O- U- u6 x; x- B
1 2 3 4 5 6 7 8 9

5 y1 J! b4 _6 V3 a* p9 r2 S
　　1、TC代表是东芝的产品
' k3 }$ u2 Q' _0 n4 M
　　2、59代表SDRAM代表是SDRAM

4 `$ O9 S" L$ a/ R1 K. l　　3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM

　　4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
) n6 r# M/ D, v2 o" p4 F) n
　　5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

- `6 n! f% L* a' ~　　6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
( F$ F, _$ B  V  Z; U4 W
　　7、代表封装：FT为TSO II封装

　　8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通

9 E. n5 M, ~' {! x0 o( H. I　　9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
+ w( U- q, |( b  _- O# a
! y/ H3 j7 T, M* Q4 R/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

/ V' {% S& G) `1 Y! ^& E4 X8 ^宇瞻DDR内存:
! l$ a% ]  g% t9 W9 p, l+ Y
W XX XX XX XX
$ t, r( L) d- J) s" [( W
3 a! Q9 c/ R% Y* @$ ?! S1 2 3 4 5

* H( D* {# n( ]; f9 M2 V, Q  o
' C& ?. B1 `6 T3 C5 A+ _　　1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

6 }: B5 e5 O/ f　　2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM　

　　3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

　　5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

bragi19451466

這些datasheet上都會有寫明的呀