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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑 * @$ r4 _( l. a7 y
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做一个六层板
+ o7 o$ [, v+ z9 q ^主芯片是DM642
$ V, Y$ `9 U% H' d& T5 i) \! s/ w在做SDRAM信号线仿真
: o7 R4 s3 s- E$ f/ n; V, P; E9 \ f9 [$ h" u3 Q% H; C b
看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻: H7 C- R/ ^/ t p) n4 e
; | T' R1 j, j. _我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆
; B5 Z& O$ z" Y" n: H* R匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆6 A8 I( o1 V" X- W
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但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
) d3 a. [+ d4 i' ^1 k. Y. t$ e/ y/ E/ B# }( \
改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善
: V6 c5 E) _% K8 @4 H3 G; `; [" ]9 E p- j$ P
请问我应该用哪一个组织的电阻呢?
& R. j5 h* u8 [8 L3 z用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?
1 V( ]/ v5 L& D3 ^/ Z2 N! c; J% H+ Z7 s# t" s- r' B
还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?
7 _$ _* g9 v! W2 @0 m, u- S请大家不吝赐教,我都快急死了
9 C, _1 T# H- P拜托了! |
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