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其实你可以打开一个ibis模型
$ z+ s& B; m. p3 c查看一个IO buffer的[Ramp]波形: x3 |: B; c5 U: r, ^
你会发现有三个波形，对应这里的Typ、min、max
$ s* w, w& w1 \% u# ^: ~) v) e: t它的dV值是不同的，因为三根曲线的幅值就不同
4 ?1 ^7 T" e9 V) p7 ~$ }( K所以它的20%～80%电压就不同
6 b3 ^6 b. J' R: Q* ?- |! [* ^当然三根曲线的斜率也不同
3 f. `. t7 \7 o8 ^! T, a袁荣盛 发表于 2009-7-7 12:43 ![]()
谢谢这位兄弟，我对这个参数是这样理解，不知对不对2 A8 ^3 i0 ~! S5 Y
从[Ramp]参数可以得到四个信息：tr（20%-80%）；压摆率；输出电压稳态值；buffer的输出阻抗信息。+ r. _3 [; f1 J6 A/ q8 H* u# p
buffer输出电压的稳态值等于输出阻抗和50ohm的分压，因为typ、min、max情况下的输出阻抗的不同，因此稳态值也不同，从而dV=（20%-80%）*稳态值也不同。
6 \: K8 |; P# d% I. e m这里的稳态值就是iBIS spec中的 Voltage swing。
, P% g" [/ A5 V& d9 z" O W2 D& m5 H& \! A& b- ?
下面是IBIS spec中[Ramp]的说明，* ^; v: t Z G
' m8 X! @9 d( r& f6 }7 }. j
Keyword: [Ramp]
8 O3 C/ Q9 i+ o( f. g) S: |$ }3 L=======================================================* |: d# n! L; a9 J1 y
| Required: Yes, except for inputs, terminators, Series and Series_switch7 V& ^+ \/ v; q4 a5 `
| model types
0 C I8 }+ y5 S| Description: Defines the rise and fall times of a buffer. The ramp rate
, p6 Z, d0 `" o1 F7 v| does not include packaging but does include the effects of the
1 f z5 X( u. ]: P0 l/ X* O+ T0 n| C_comp or C_comp_* parameters.
4 ?) I' G7 s1 T6 s/ \; [| Sub-Params: dV/dt_r, dV/dt_f, R_load/ y: R9 q0 W, E3 C1 ]7 A
| Usage Rules: The rise and fall time is defined as the time it takes the3 f2 K9 o' s5 K6 C& k) }# V. r5 E
| output to go from 20% to 80% of its final value. The ramp+ |& k2 i9 s" ^/ f2 ]0 ?
| rate is defined as:
$ U% R* y; f( d6 \* s Z! t|
* r" e% \6 n- w3 |0 A% H- B6 v| dV 20% to 80% voltage swing
) r! K+ E+ [( D( k| -- = ----------------------------------------' y; V) k! U1 Q6 z5 n
| dt Time it takes to swing the above voltage |
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发表于 2009-7-7 08:48
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