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[硬件] 论坛推荐:电路设计漫谈之-电容与有容乃大

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发表于 2019-9-27 15:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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众所周知,电容是储存电压的器件。它的一个主要特性是隔直流通交流,也就是只有交变的电压加到电容上才能产生电流:I = CdV/dt。由于这里没有了电感公式的那个负号,电容也没了电感那种反抗精神J. 电容对于所有的电路设计是必不可少,不信你可以看看任何一个电路图,电容用的数量会大大超过电感。
6 h1 j6 H' Y4 }# L4 n* Z
& y7 n! O" ^: ^6 W* e4 Q1 e. F 电容的模型可以用一个水瓶来表示。水瓶内水的高度就是充电的电压,注入水瓶的水流速就是充电电流。如果想快速充满水瓶,就需要快速的水流。
' \: K. v+ G2 v+ o$ F' u* t# m: H  ?& [' U
一般分析电容瞬态特性最简单直观的方法是用频谱的方式。电容的容抗可以表示为1/jwC或者1/j*2*Pi*f*C. 这里f是工作频率。由于容抗跟频率成反比,那么在高频无限大的情况下其容抗为0. 一个step信号上升沿的频率分量也是很丰富的,越陡的话其高频分量越高。当上升沿为0时,则蕴含了无限高的频率分量。所以一个上升沿为0的step信号加到电容上,可以认为在上沿的瞬间电容是短路的。这个简单的模型可以用来分析大多数开关电路和电源滤波特性:方波上沿的频率分量无限大,无限大频率分量下的电容容抗为0.
; v1 x5 N* I! d3 }
0 t: I3 Z/ O8 u; N5 z4 J电容高频瞬间短路的特性对电路的上电设计有很大影响。我们有时看到将电气设备插到电源插座中时有火花产生,这就是瞬间上电对设备的输入电容充电引起。这是可以等效成一个快速上升沿的电压对电容充电,充电的瞬态电流瞬间极大:Is = C dV/dt。一般比较讲究的设备尤其电信网络设备会有inrush current控制或者叫soft start电路。其作用是在上电时由一个MOSFET控制电源慢慢开启,逐渐对设备的输入电容充电,用来减小这种瞬态电流的冲击。这跟感性负载在断电时产生瞬态高压相对应。: D. ]' A7 x8 C  k
  A# J5 p2 L$ @0 ^
8 i3 \2 N$ x$ \6 z; P

" U- v* w2 Z+ n. X1 a! X- h  Q Fig 1: 电源软启动电路% B) {6 s, O# C) N3 P' R  U! i$ B. p
3 t7 o9 \# V7 b+ `1 A
另外一个典型的例子是电容滤波。我们知道没有纯电容器件。实际的电容器件是有泄漏电流产生的寄生电阻ESR,以及管脚或者电容本身产生的寄生电感ESL。电容既然是滤波用的,它上边就有变化的电流流过, 我们希望对所有噪声频率电容的容抗都为0,但实际情况肯定不是这样。下图为一个典型的电容频域曲线:
( s, d' w" B2 d$ W6 F+ r
) I9 S/ c3 W# G) \0 j# A% Y
6 G& L5 s0 F1 `$ b. K( c7 n1 W& }$ N: J( b0 f
2 _! a8 u- D% W1 u
Fig 2: 电容的频域特性. @# @( {( j4 M* f$ `
! i  h& ]7 [9 s" \1 f1 w
图中可以看出由于寄生电感的存在,开始表现为容性的电容,经过谐振点后开始表现为感性。所以在高频端电容器件就不能当纯电容使用了!
% l& ?. X& n2 \ 电容的ESL主要是来自电容器件的封装。下表是一个典型SMD电容器件的寄生电容量级对照表。
+ m2 K& ]. z9 O& o9 e$ M6 v+ s7 N3 ~# e! W' [

" F  W! Z& B  }, @! c
5 X! V' v" q/ X$ P. V3 O8 V Fig 3:电容的ESL与封装的关系5 G' l% H1 A7 H: H; H8 n
; ]" f- n" A( M4 I" L3 |
可以看出封装越小的电容器件,其寄生电感越小。但有意思的是1206和0612两种封装的器件,器件尺寸一样后者只是封装的引脚在长边,但其寄生电感值显著的减小!
( v+ Y2 e4 J& t  j6 z; ?; F
' i4 L) x6 u$ i 对于电源滤波一般需要选择不同容量的电容,以便充分利用其在频域不同的谐振点,达到滤除不同频率噪声的目的。但一个容易忽略的因素是电容的封装。假设某个电路需要选取1uF,0.1uF, 0.01uF三种电容。如果都选取0805封装则等效的滤波频谱则如图4A黄色曲线所示。但如果我们把它们选取成不同的尽量小的封装,则由于优化了ESL的影响得到一个更加完美的滤波特性,图4B所示。减少寄生电感的另一措施就是老生常谈的滤波电容要靠近电源管脚。每个电源管脚至少接一个滤波电容。其作用都是为了减小ESL。
7 [. z- q. T" n; l7 t3 ?3 q& v* y) ?% W" e* j( Y% @
; r* ^# z" c$ H
# q! h  G* b. A4 E" p- m! X
Fig 4:不同封装电容组合后的频域特性
& j0 g+ w0 Y8 j' l6 v5 N4 ~- E* t; [6 F8 _, l9 g
电容器件除了寄生电感ESL外还有寄生电阻。滤波电容是为了吸收“噪声电流”In。这个噪声电流不但在寄生电感上产生噪声,也在寄生电阻ESR上产生电压噪声:) [; l: `6 S. N7 \/ f5 D) S
6 D# H+ E, j" C4 T1 y6 j) a: w
        Vn = ESL dIn/dt + In *ESR3 r0 G! B- [- B! ~0 I3 S  U

) n, Y: w: }  `+ a' H8 O0 }选取尽量小的ESR/ESL,尤其对于高频电路,比选择更大的电容更有效。
- [  z, t# H) h5 g% A' M
% P8 D, E4 S4 s+ |1 k 滤波电容另一个特点是起到瞬态供电的作用。大部分电路的负载是容性的。对于有着很宽数据总线的高速DRAM或者NP等电路,总线需要瞬间对大量负载电容充电,高速电路需要在尽量短的时间能完成0/1电平的建立。速度越快需要的充电电流越大( I = CdV/dt)。但这种瞬态电流不是由电源提供的!一个标称功耗几十A的大容量高速电路板,瞬间电流的需求可能达到几百A!这就是为什么大容量高速电路板设计完了,还要在几个区域均匀布上一些大电容的原因。这些电容起到“瞬态电流水库”的作用,在高速信号切换的瞬间提供上述公式所需的瞬态电流。那些布满每个电源管脚的小滤波电容,也在某种程度上起到小水塘的作用。
* p4 z) q; s# z3 Z5 O! Y$ m0 d& z2 c1 X

  U2 W7 C0 I4 v) T. R9 F# {
4 G4 e: A* b, a( B2 F' ~ Fig 5: 电容提供开关瞬态所需电流
( S+ c' `1 D, k
5 ~# O' u8 H2 ~' j. A+ y 说了这么多其实就是一个公式的影响和应用: I = C dV/dt。伟大的公式都是简单的,简单的公式不但美,其内涵的意义也是伟大的。当然最美的公式应该是 E = mC^2。
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