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发表于 2018-6-17 18:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样
& \0 m! x1 f0 s' {! a4 W3 g它们的共同点:
1 @* Z6 F3 U0 U9 T; L( w' G1,统一排地址:但地址不一样# S8 W% R' l) i9 `$ J& _
2,编程方法和的函数一样, t, ]* w1 m/ F' [* M- O; P
1,先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
9 K- E+ }2 a+ L2,Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32);写
( L" {' \0 C% C& D5 H- {$ E- r8 }其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32);
- A( F$ Y0 u4 {3 \3,HAL_FLASH_Lock();锁住写" L4 O$ z# j: v2 p5 g
3,擦出方法和函数一样
& ]$ u( w( P+ a, M6 g5 H/ NHAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
" v7 M0 Z6 A$ y! h* u4,读方法和函数一样" i: ^  n" p( D7 ~+ W  z! z1 ~) Y
Read_eeprom_int32(uint16_t addr)$ D7 E7 p" Q9 |
不同点:& Z2 S; W! |4 }0 X
地址不一样:' k5 h2 l- @2 C2 I8 }# a' [
EEPROM:0x08080000开始的2K字节
& H+ d0 L/ J! Q# aFLASH: 0x08000000开始的空间(大小型号决定), 其中你想用的FLASH空间。
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