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光耦隔离输入

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发表于 2017-12-27 14:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DI1-DI6是数字量输入,不明白电路中为什么要加反相器74HCT14D,求高手解惑http://bbs.elecnest.cn/forum.php?mod=attachment&aid=MTM0NTg1fGFhMDY5ZTM0YTkyNzA4MzEwYWQzMjg5ZmM4MDY0OTRhfDE3MzEwNzIzMzE%3D&request=yes&_f=.png 、、、6 |, b3 j" H, {% G
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发表于 2017-12-27 21:47 | 只看该作者
4HCT14D是施密特触发器芯片,有滞回的功能,能够防止输入信号受到干扰或者跳变时,产生多个输出跳变。

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  发表于 2018-1-2 21:59

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发表于 2017-12-27 15:32 | 只看该作者
增加CPU驱动电流

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没有吧,CPU只是采它的信号  详情 回复 发表于 2017-12-28 09:31

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 楼主| 发表于 2017-12-28 09:31 | 只看该作者
chenlaipi 发表于 2017-12-27 15:32- m9 z, M7 ?% }- q; y! q
增加CPU驱动电流
5 a9 j; M$ F- X* @- s3 |. _
没有吧,CPU只是采它的信号
* v( d( ?* M, Q/ S5 j. z

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发表于 2017-12-28 10:08 | 只看该作者
隔离了,后级这边不存在保护,应该是稳定边缘,状态的,因为光耦后面是靠电阻拉的,还整个100nF边缘肯定更缓,整个波形更好,当然还有反向,单片机那边可能有正负要求也不排除。得看具体情况而定。还有就是这个信号不讲究,闲着蛋疼放个更心安。

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心疼钱的老板知道不打死你。  详情 回复 发表于 2018-1-3 10:47
学习了  详情 回复 发表于 2017-12-29 11:22

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 楼主| 发表于 2017-12-29 11:22 | 只看该作者
kevin890505 发表于 2017-12-28 10:08
$ L6 q7 L! O- _隔离了,后级这边不存在保护,应该是稳定边缘,状态的,因为光耦后面是靠电阻拉的,还整个100nF边缘肯定更 ...

5 W  h( E2 |, M0 h$ p学习了
7 l# c( ^/ a) s; {2 d

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发表于 2018-1-1 21:18 | 只看该作者
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发表于 2018-1-2 20:28 | 只看该作者
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发表于 2018-1-3 10:47 | 只看该作者
kevin890505 发表于 2017-12-28 10:08
1 h3 ^! J# H. v$ N; _- i隔离了,后级这边不存在保护,应该是稳定边缘,状态的,因为光耦后面是靠电阻拉的,还整个100nF边缘肯定更 ...
. h- e/ {- Q3 d# z5 p
心疼钱的老板知道不打死你。

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发表于 2018-1-11 11:42 | 只看该作者
以光耦本身最高才10M速率看,到不至于担心信号的嬗变。倒是单片机的io是高有效的,而光耦这里的信号输出低,所以,需要一个反相器。

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发表于 2018-1-15 12:00 | 只看该作者
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发表于 2018-4-26 23:39 | 只看该作者
估计设计的人怕光耦导通后电平不是0V,是PN结的压降电压0.6V左右,然后噪声余量只有0.8-0.6=0.2V了;
. t% [- t4 S& ^1 X7 V9 W加了14D芯片后,触发极性翻转,并且存在施密特触发,最后噪声余量也变为1.5V-0.6V=0.9V了。

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发表于 2018-4-26 23:40 | 只看该作者
只能说抗干扰性增加了,但是成本也大大增加。具体看设计者偏重哪个方面了。
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