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你去华强北买电脑时 是否有人跟你说这是 用22nm,28nm 做的CPU, 老牛逼了。
3 \+ u7 {6 [) o) }2 j你看资讯时,是否有被动接收到 A、B、C 公司已经量产 xx、yy nm的芯片了,老牛逼了。. A* m+ N& J$ _
nm , 中文 纳米,晶圆制造行业的基础单位。
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" G! |( S. v% E先看看行业的相关概念
3 K+ z. d' O# h& E% r+ X什么OEM, ODM IDM, FABLESS,FOUDNRY 等,刚入会的人总觉得ODM 好牛比,其实每个行业都牛逼,关键是你把它做好来。4 T) P' H7 W: w) Q6 I7 J# B$ ]6 h- h5 R
+ a. |+ M$ {7 ]IDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星这种拥有自己的晶圆厂,集芯片设计、制造、封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商,一般还拥有下游整机生产。( _' M! f8 m# w. t* {
就是全部都自己做,啥都操碎了心,就像老妈。
6 P! ]7 M3 ?4 K8 W @6 XFabless(无厂半导体公司)指有能力设计芯片架构,但本身无厂,需要找代工厂代为生产的厂商,知名的有ARM、NVIDIA、高通、苹果和华为。
: e9 _; L+ a5 |就是做自己的idea, 让别人也做自己的idea,在很多少男心中,这是多么高达上的行业。) ? v6 R; H) k" @
Foundry(代工厂)指台积电和GlobalFoundries ,拥有工艺技术代工生产别家设计的芯片的厂商。我们常见到三星,台积电、中芯国际。$ h4 a+ U/ E1 X1 C/ l
就是干活的,把好的想法做出来的人,其实这才是最高达上的行业,高端制造业,没有这个行业,什么也做不了。肌肉型的男人才是最受女人欢喜的。3 O: R" _5 z/ J9 `) g& R
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制程
( y. C6 t! q3 S9 C- o在描述手机芯片性能的时候,消费者常听到的就是22nm、14nm、10nm这些数值,这是什么呢? ' e3 J" ^' I) q
深圳你去华强北买电脑,人家会告诉你,这个电脑好牛逼哦,采用22nm的技术做的CPU,好高级的。擦,我一农村来的,22nm?这么猛,卖了。
# _) ^+ y! b m9 x7 S乘此机会向各位蒙娃科普下。。。
' h% [" m/ P; P这是芯片市场上,一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升,带来的都是性能的增强和功耗的降低,而每一款旗舰手机的发布,: `+ W! V3 ~' P* P3 c* C
常常与芯片性能的突破离不开关系。
0 p( W( R- I7 b2 N d9 Q! Z, O7 S# y骁龙835用上了更先进的10nm制程, 在集成了超过30亿个晶体管的情况下,体积比骁龙820还要小了35%,整体功耗降低了40%,性能却大涨27%。0 z( {0 ^ F) n# G* q
深入来说,这几十纳米怎么计算出来的?我们从芯片的组成单位晶体管说起。2 h9 S3 j" f+ x# S2 M! G
得益于摩尔定律的预测,走到今天,比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果A10 Fusion芯片上,用的是台积电16nm的制造工艺,集成了大约33亿个晶体管。
8 a! ~- B; ? R& e8 R' G6 [. P2 O而一个晶体管结构大致如下:) j+ z! j* `5 g* L1 p
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图中的晶体管结构中,电流从Source(源极)流入Drain(漏级),Gate(栅极)相当于闸门,主要负责控制两端源极和漏级的通断。3 A- \( b z$ O. q, r9 s
电流会损耗,而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗,表现出来就是手机常见的发热和功耗,宽度越窄,功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长),就是XX nm工艺中的数值。
$ h2 }1 g s$ Z到这里才真正值得了啥是nm 了。' L: M" ~/ K+ a
对于芯片制造商而言,主要就要不断升级技术,力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近20nm时,栅极对电流控制能力急剧下降,会出现“电流泄露”问题。! S3 y @: I1 y2 E
为了在CPU上集成更多的晶体管,二氧化硅绝缘层会变得更薄,容易导致电流泄漏。
4 Y6 R* W( N( A; s9 u2 }* F一方面,电流泄露将直接增加芯片的功耗,为晶体管带来额外的发热量;另一方面,电流泄露导致电路错误,信号模糊。为了解决信号模糊问题,芯片又不得不提高核心电压,
+ l1 x9 \, x0 I# e功耗增加,陷入死循环。
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# M8 b2 [( U: y5 x3 W2 }谁能制造,谁领风骚。* V. U( \4 Y* S4 d* h* B
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