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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表 2 a6 s+ q& U. G( z5 m
论点就错了,还讨论什么啊

8 `3 a3 Q, `% b' s+ E% }* t& A
7 \0 k# j( u; ^4 q/ e# E( otianya说的太对了,论点就有问题。 % ^$ n5 `, l2 b  |
并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了
sagarmatha

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发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;/ w& S4 R' F* X) s  Z
对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。
$ {8 j5 G8 `+ Q好久没关注IBIS forum了 % F$ k8 @* J9 R+ i3 ?
看来得过去学习下了
. l6 v! I# @6 [1 @, h) q- \0 s$ S. s感谢tianya
sagarmatha

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发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
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发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。
. q2 P% H: s8 e但是Overshoot就不好了。( ]' S* i' J3 p; X
IBIS对于数字电路的一般就够了。$ A  G, q- e+ X* Q: [
不用太去关心 适用频段。) I. U+ E* \4 }8 [8 x
呵呵

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发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表 : K1 Y  `' B( q/ C9 ]
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的
( @- Q( u: P3 O$ S2 _/ q
$ d, m# P" ~" K8 I
烦劳详细解释 ) \8 G& s" U. t

# N  J7 B( B1 y表格形式和带宽应该没有直接关系吧8 T4 o6 c0 E- W1 n) y! ^  \

7 z: T  d' R. Z% R倒是netlist会牵涉到带宽的问题
sagarmatha

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发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。
/ m- S  b% T1 r
( B7 B/ P$ x. r" f$ K  E由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作:
( Y, |/ t( `5 ?, ]/ S( J  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线) $ t( J, U9 c1 q8 s1 T) H/ J
  2.器件没有有源预加重电路
' X; C0 c3 m3 F! F& n2 z' O  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果) 7 E- Q- y- L! t- I8 ~9 Z! I  v
  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。 # F  _) ?) q' b. I+ M$ X/ u
  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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 楼主| 发表于 2008-12-5 09:12 | 只看该作者
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表
% H( Q" M  {; v2 VIBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。
" x" o. W( x& T$ i6 k* m4 m1 Z

$ S7 W4 ^" I% {( t6 t6 e2 c" JIBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。
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发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。
* w- R/ A3 U7 m% D所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;  E9 K9 v5 I% J0 T
而对于发送端模型,9 R9 p8 j7 }9 k) ?
一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。5 H8 D3 K1 q/ W$ s
另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。, Q$ G2 ]2 F. ?# |3 z9 W' F
) Q' i3 c& k* H8 l! B3 W/ p0 m& l
但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。* p0 W$ W: T2 K  Y! M

# Z+ n) |7 l9 d说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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