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请教一些仿真的问题

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发表于 2008-11-4 16:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近刚开始学习PCB仿真,遇到很多不懂的地方,特来请教各位大虾~
# V4 E0 h; q- P6 o' P' m$ T% S6 i: c5 k
1.信号的过冲和下冲:
% B8 t7 `1 Q4 ~- T假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?, e' k/ Y0 |) C/ |, b$ r
下冲的要求是不是以不跨越阀值为标准?
8 g0 ]3 e5 G, ?: V  W
4 E3 S0 f( u1 n  Q" H: T/ O9 Q1 h2.时序问题:: Q- N" P$ o2 p
SDRAM的时钟信号一般是从ARM或FPGA等CPU芯片提供,而CPU芯片的时钟又是由晶振或钟振提供,那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?- m( y4 \! ~% P' g" u

+ |3 X; i. f' A/ m( _4 O: G5 ]% A用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?) ^4 @  _  J* b& E+ ~5 m' S
. c/ r6 M7 @" H2 f  [" W8 Y/ u" b; x
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗?
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发表于 2008-11-4 18:08 | 只看该作者
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?:
# v# y7 A5 b$ I电平*时间的这种约束的芯片比较少,通常可以按照这个来约束,一般DDR会这样说的。2 J# S# N8 }; N+ n5 k* Y! B4 o
4 G1 N; T9 e' L8 i
那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?  m/ g! P/ z+ Q' ]! M" o8 f- Z5 P9 I
:这个给SDRAM的时钟,通常是CPU倍频得到的,就是CPU的系统时钟过一个PLL得到的。
- {# P4 Q6 u$ S3 R. y6 w: c
0 Q4 A- {5 M7 _" p, _ 7 G& i7 g/ Z+ i9 w4 k' n8 D9 r
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?: 不能看出来,这个是做信号质量,不是时序分析。$ A) ?# f" g3 y8 F3 V: `
) F, k+ q. t: S
/ n5 o8 Q. F; A
驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?这个看你的时钟和数据的关系。4 N, o, L! R1 P! n

2 V7 |9 d% ]% q# E' t' A
2 I" S' {5 _! k" c  b数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗? :这个你要仔细看手册,就是的D触发器采样的基本原理。余量可以等于0.

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发表于 2008-11-5 20:34 | 只看该作者
hyperlynx所能得到的就是buffer delay。
! \6 }1 a  H9 |( k; N  m) iTco是由包含内部逻辑延时的。IBIS反映的只有buffer信息。) Z4 n' k3 R. ?$ y+ i
不仅hyperlynx不能仿真出Tco,其他SI仿真工具也不行
" I! W+ Y+ \9 G; o0 G8 J) o' r当然如果你有spice模型就可以得到Tco。而芯片厂商提供的Tco参数是通过实际测试校准得到的。
sagarmatha

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 楼主| 发表于 2008-11-6 09:27 | 只看该作者
谢谢两位斑竹的解答~
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