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TTL——Transistor-Transistor Logic
& k7 j& @) L# B# Z& r$ ZHTTL——High-speed TTL
2 r" N. b& N1 S! G4 RLTTL——Low-power TTL
4 J: [" h: Q- |7 XSTTL——Schottky TTL
/ M3 k; C# I& `* J* f/ KLSTTL——Low-power Schottky TTL
3 Y2 F) G3 ~) z% w( {: T5 W% GASTTL——Advanced Schottky TTL
4 k( ^8 M2 m% M) R5 s7 Y7 kALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL 4 Q& [6 H4 t7 l: p8 C: L
FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL $ i4 v3 X$ E5 v4 I# B# B y& F
CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor 4 _" P$ L2 J7 O# I$ Q
HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容)
% I: Z% L- h8 @/ V: }* eAC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)(亦称ACL) ; S6 R9 c Z# _5 r- W1 O& b# ^
AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容) $ f5 }, @+ Z; c& ^ c1 }
FCT——FACT扩展系列,与TTL电平兼容
1 p% m7 H, ~7 j( D2 IFACT——Fairchild Advanced CMOS Technology 1,TTL电平:
; r7 B* ~. W! X4 j& F( c输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平
- y. y1 ?7 v, r. n' s/ v6 L是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是% y2 {" W# V/ P* R! n
0.4V。 7 @/ Z1 O- H$ T6 H; |/ K4 Z
2,CMOS电平: - [# C @# y/ q
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 ) m" A3 b6 a; B; b' b1 k
" ?- h# L4 _, t* }+ M2 C1 W3,电平转换电路:0 P* h' ]% l: u$ f" Y
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需 e: o% W5 U/ e4 Q# S1 _
要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈
% ]! W3 a" S3 a. a: K: X x* O
, n& s" K8 g/ v Q0 U4 B2 _8 x" B m4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能4 I R$ p, ^, m1 B( o0 l. P
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱, P+ D5 F1 F6 C; n* K
动门电路。 8 ]! {0 N6 k& B$ }# Y- o: b; b) I
/ L) i$ V; C6 g' O5 K+ o
5,TTL和COMS电路比较: % G( j2 o$ u0 l% |
1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 2 d/ m6 E( L; w: h8 x, D
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
3 E+ ~* M4 U- D% [ COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
$ w4 i$ I2 L8 I COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常
6 A, i% L+ y1 W- t现象。
1 _( p! F0 t% |1 x5 ?1 A+ K" O3 @1 e+ _3)COMS电路的锁定效应:
- g; s9 {2 S3 N$ U& Q1 e+ j COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大
' o: M! ?. `. m8 j. o0 Y: B。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易
: n. _2 v; E1 X2 Z* J* r( r @) M) r7 O烧毁芯片。
, b; \8 Y9 F5 ^, N2 a* G0 Y# ?) ~防御措施: : H! p/ e& ~5 h. Y- U
1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。 ' ]6 A1 Z! K& j& p3 m9 X+ X/ N
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
9 ?# _0 j% `1 l/ S+ N- H 3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
: V A) B0 _' `5 Y: G% R 4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电' V2 u6 q5 W$ R. h& }
源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS' E7 M B; g* n; Q, R. ~8 d
电路的电源。 8 h |, ~1 o. P' l) {8 y* @. Y
' H7 X: H3 [/ K
6,COMS电路的使用注意事项
/ r- ^" j1 ]) U/ u+ o" D, E2 Y 1)COMS电路是电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以
. F& @# J) ?0 M0 K) E' z,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
v! H8 h, `/ z% d4 |; g. q 2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的- q/ V9 |$ T" ^0 O" }# s, z1 W
电流限制在1mA之内。 . o- F) J& B7 @
3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。
7 {$ Z* u* {4 |5 M 4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是
0 T0 @* Y; o) n, @8 T外界电容上的电压。 : s( m$ O9 x' j/ L; ?
5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。
* D! U/ A- g d6 V2 d ` m! P% l) ? & {# u! \$ ~% v( E# ~* F
7,TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理): & g" a7 r5 ]* t, Z$ _
1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。! B& L) C* ~& ?5 T
; p; M; ^- H ^; h: |, u) l, s 2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。* J9 r# `( P6 c0 o" Q3 X) v
4 c' p' C7 U+ T5 e- _
0 ?4 c$ @7 _/ K2 R9 a* r8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。
* A4 \% o, O9 q' U( y" a& a" f+ F OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截 w3 x7 z6 ^1 E. k
止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也
/ \( t0 P1 F1 ^& B就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC门的输出就是开漏输出;OD
: d4 _, ~* x/ f; N门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了
+ M& i5 N+ r" K: h能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱
: p% S- B' r5 F动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
4 a. H7 R: [* e5 k9,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别? ! o/ [+ J+ D9 _" K I
TTL集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。因为% h( N. t. O. J
TTL就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。 |
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