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Controller drivering 問題

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发表于 2015-9-29 22:18 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 dukekuo 于 2015-9-30 08:03 编辑 7 c& W- h, I- \3 a% m& X8 j% y
5 w0 K* R( y% ^) ]% u, e
請問各位先進在一般controller 所標示的
  D1 A' b2 A1 i' p, P' @: }+ r( t( F1 Q& m" s. f# t: w0 O
Integrated 0.5A ~ 1A Peak Gate Driver
1 v; x3 \- Y3 W  w) J+ n( L在上面的條件下通SMPS架構大概可以推到多少瓦特呢?
" n6 M7 W/ W) D, Z- w2 M; J# E. v2 y) d- f, }
有什麼公式可以去證明呢???還是經驗判斷??
, {% Z: R) V# W: }% v+ a$ e
# g1 L- v9 N$ q' h" G4 K
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发表于 2015-9-30 11:00 | 只看该作者
个人觉得,功率越大的MOSFET,GATE的输入电容越大。限制在输入电容。

点评

謝前輩提供寶貴經驗, 這也是考量之一.  详情 回复 发表于 2015-10-1 08:08

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 楼主| 发表于 2015-10-1 08:08 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-9-30 11:00
( E: p( g: U1 f; Q" }- v5 L9 I个人觉得,功率越大的MOSFET,GATE的输入电容越大。限制在输入电容。
  F' ^8 y5 y' w- C" `. t. x& @
謝前輩提供寶貴經驗, 這也是考量之一.
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