Q 求助MOS管充电原理

tianpu0501 · 发表于 2015-5-29 12:09

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求助MOS管充电原理

jacklee_47pn · 发表于 2015-5-29 18:36

Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電

當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。
當DC_IN消失的時候，Q4導通，Q2+Q3 關閉。

tianpu0501 · 发表于 2015-6-2 13:59

jacklee_47pn 发表于 2015-5-29 18:36( j8 O7 ?' `& \- t. U; u3 r2 f7 A
Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電
3 s" H$ L: ?( v1 S& w' T. G- ~6 X' ^; k1 I
當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。

Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G<S才能导通两个S级连在一起，电流怎么流的？

jacklee_47pn · 发表于 2015-6-2 15:34

tianpu0501 发表于 2015-6-2 13:59, X+ t5 M* G; T6 P7 g
Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G

增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會產生寄生二極管，造成使用上有單方向漏電(或說是保護MOS管)。

當交換D和S的時候，在設定MOS管偏為壓導通的狀況下，Rds(ON)壓降會遠小於寄生二極管VF。在MOS管偏壓為截止的狀況下，會有漏電的存在(VF壓差) 。

tianpu0501 · 发表于 2015-6-2 18:12

jacklee_47pn 发表于 2015-6-2 15:34
增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會 ...

非常感谢！说得很详细。

liangkai520 · 发表于 2015-6-3 08:36

Q1呢

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