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关于QSFP收发信号的处理

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发表于 2014-12-7 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 kevin890505 于 2014-12-7 11:31 编辑
" }/ z0 L4 c9 _
: K0 ?0 x8 Y% m9 X/ y+ g) I2 A第一次弄QSFP+,完全没信心,请问各位大神,这种10G的差分(4对收,4对发)处理上有什么要注意的:
' l3 Q5 v  c/ s6 a- H! u1,收/发的4对之间应该不用等长吧?7 K$ ]' B7 s( Z: \
2,对于高速的差分,从1mmBGA中出来,BGA下方应该有>2CM的走线.下图neck mode或者每根线各走一个通道,对于信号那种更好?
/ y/ m+ a. z' r4 F  x3,10G的信号,如果没有长距离的水平,垂直走线,大约小于5cm,用考虑十度走线么?2 _" B/ g* \& W6 |2 O
如果各位大神有其他意见,建议,跪求!!3 r% B. u# }: s! B  `
% ]) D/ ?# d* \4 D) |
还有关于电源处理,内核0.9V电流>30A,设计的是48A,这种大电流在处理时候有什么要注意的?3 j& n4 H8 C7 _' h
因为是长方形布局,电源在右侧偏下,芯片在左侧,中间偏上有2个DDR3颗粒(不一定会用),这一块地平面回流电流貌似非常大,将来会影响这2个DDR3么,准备跑2133M的。
" b/ w4 |# ^9 b  [. M7 Q
/ U/ Q7 p  z5 ?" v$ w% n9 @; m我是很有分享精神的,不过大家懂得起,实在不方便上图。ORZ。# l' N; h" i" J( Y6 h

QQ截图20141207112055.png (17.03 KB, 下载次数: 0)

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发表于 2014-12-9 23:34 | 只看该作者
我也来说一下,个人意见,仅供参考:7 a, x9 M+ Q% R% ?" D1 P
1. 要严格等长;不管是差分线对还是TX,RX对,等长就是了,虽然我们知道后者是无所谓,万一软件调不出来,第一件事就是问你这个:等长了吗?你就可以胸有成竹地说,所有的都等了。) H4 l$ n6 E2 h) ?
2. 不用说了,neck mode;! W2 O  y2 m9 p1 A
3. 同上,需要十度走线;
: a( y" |' F( M4. 除了多铺铜,最好顶底层用2OZ以上的铜皮,电源是最为关键,对数字部分,我一般看重的是电源和回路。
+ J, Q% s/ `6 j. R8 I7 m/ N5 o年底要发奖金,这个时候,一定要注意设计,如果因为一时痛快而被人抓了把柄,奖金分少了,就不好了。

点评

请教下,FR4采用10度走线是和材质有关,我们现在采用ROGERS,不知道还有没有这个问题还需要10度走线不? 大家都采用什么材质,有没有必要换ROGERS的板材, 还有个问题,PHY到光纤口的差分信号是不是50欧姆?有  详情 回复 发表于 2015-5-15 10:46

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 楼主| 发表于 2014-12-9 13:08 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 10:27
$ ~4 X5 g# b# G4 V0 s" u1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;6 [- W9 o* K# t# O. E' s
2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距, ...

4 ^. R0 g9 R# L& l  E! g多谢大神。关于内核电源处理,我目前使用4内层+1表层铜皮的方式。通流量绝对满足48A要求。
6 I4 J! w! S% b8 B而且电源走向没有经过DDR,但是电源到芯片相当于一根较小的U形铜皮,   DDR大概位置7 F% c- O" {& v9 N) y; q* j
刚好在U的中间偏上侧,虽然电源不影响DDR,但是我经过仿真发现直流回路在地平面: J( [' v" ?8 ~; [& \- E
上的电流密度,DDR下方明显要大许多,这个问题应该怎么处理?  单独掏空DDR和内核电5 b; r( x' Q7 a3 W8 U- N% U
源地中间形成一个隔离槽的话会影响DDR走线下方的参考地,所以纠结啊!!!或者不用管?
4 N4 F+ P7 [" e) u# G8 @

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发表于 2014-12-8 08:32 | 只看该作者
大力支持LZ  奉献自己的经验

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发表于 2014-12-8 09:17 | 只看该作者
楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散热都没用,而且那整机功耗应该很吓人了

点评

应该是瞬态电流吧,这么大的电流  发表于 2014-12-8 09:53
这个很正常了,我看到还有60A的,据说还有100A级别的不过没看到过。只不过在自己设计中,第一次遇到这种级别的。而且这个30A是DATASHEET要求的。  发表于 2014-12-8 09:19

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 楼主| 发表于 2014-12-8 19:36 | 只看该作者
cvntao 发表于 2014-12-8 09:17* i1 \0 M/ ^( E+ _0 R2 _
楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散 ...

" W, V* j* Q5 X! V: a呃 我觉得这个虽然挺大的  但是芯片是分功能行业差异的    随便找个I7处理器  基本要求都是100A,150A级别的,比较一下,所以30A的稳态电流其实并不大。$ t0 m) `9 M  j+ H! _5 k$ H$ y2 f# U
更别说一些专用通信芯片,核心网,接入网专用的IC,内核五六十A都是小CASE的。或者高端的FPGA,内核几十A也是正常水平。' A6 Q& }7 c3 i9 J

: L9 h3 t- G+ s# M- C4 w

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 楼主| 发表于 2014-12-8 20:40 | 只看该作者
呼叫超级狗,跪求狗粮  

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楼主在哪里上班 方便私下留个联系方式么? 谢谢~!  发表于 2014-12-9 16:40

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发表于 2014-12-8 22:08 | 只看该作者
1. 关于高速信号,我认为一根走一个通道比较好,两个走在一起,一个阻抗不连续比较严重,第二个线太细损耗严重;

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发表于 2014-12-8 22:10 | 只看该作者
关于低压大电流,主要考虑两点,1,不要有瓶颈,2,板级频率范围内目标阻抗能满足设计要求

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发表于 2014-12-9 10:27 | 只看该作者
1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;& ?8 S( {" c! g8 e# T! z" T+ K
2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距,可以通过控制叠层,使其阻抗接近100欧;
  }  g  |& c# Z# T# i8 Q$ L3、如果可能,尽量走十度吧。
& {2 U1 T7 C( o3 b9 o6 R
1 q6 V7 ]- o& D5 a设计一个紧靠在0.9V的电源层一起的地层,两个层的铜厚加大,建议2oz,该电源平面不要到DDR区域去。
专业服务(价格面议):
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发表于 2014-12-9 15:28 | 只看该作者
我想,直流应该对DDR的影响不大
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发表于 2014-12-9 22:24 | 只看该作者
1.不需要等长. W; C5 M0 c# G: |+ @$ A! G6 M- W: V
2.neck mode
. R3 z/ E7 w/ B3。不需十度走线
* g4 d* x$ Y  i( O6 h4。可以在信号层多铺几个铜皮! V7 D* @5 a9 J/ q: ~
个人处理方法,仅供参考

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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:31 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 15:284 F+ \) F$ r# l6 x: R( C" ]3 z
我想,直流应该对DDR的影响不大
) K- ^; }( }0 [4 N
多谢大神帮忙。
& k  \. K- o7 i, o& q0 {; P

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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:32 | 只看该作者
jhh610528 发表于 2014-12-9 22:24
- [+ A; O/ t/ c9 T4 }7 p1.不需要等长
- x  C  y* [* P2 k- t6 L3 V. Q8 ?2.neck mode! H& b0 ]% O( @" i" y
3。不需十度走线
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发表于 2014-12-12 16:45 | 只看该作者
本帖最后由 panpan 于 2014-12-12 16:47 编辑 ( V8 |9 d- t4 ?9 }& n3 `
7 F" ~  G5 \+ K/ A
1,收发之间不需等长
7 e# C5 d2 T" {+ ^2,必须用neck mode3,什么是“十度走线”?& c, f$ d7 N  B" A# Q

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