本帖最后由 criterion 于 2015-5-14 22:53 编辑
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小弟比较认为 应该要铺铜 ( ^: a L) {5 a. _# c4 D3 h7 i# D
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原因是 一般而言 其功率电感与稳压电容 这两者要共地 并用GND island 来避免Noise窜到其他的GND
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; A9 Y) W' n6 A+ \) R# {5 a, r且GND island要狂打GNDVia 连到Main GND 1 p, E) x4 c& q/ V6 u
" r* z1 o# l9 k% ? Y/ ]如果电感下方不铺铜 那就是GND island的区域会大幅缩减 3 T8 ~5 j( k, k" S
亦即能打的GND Via数目会大幅减少 + \ Z$ ~: r( U
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via有内阻 电阻是越并越小 换言之 GND Via数目大幅减少 意味着其表层的GND island阻抗不够低 " ]; y7 [8 M& C [- Y* Z% Z. r
6 j7 Y/ p+ v) Y4 O: t& n7 a6 {5 ?/ X如此一来 Noise可能会因邻近的GND阻抗较低 而Couple过去 这样就失去靠GND island加强隔离的用意了 4 M9 X: x/ d& [- n& w& Q4 i
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除此之外 也会因表层GND island热阻过大 使得热无法导到Main GND散掉 以至于热都积在表层 这样会有Thermal的issue - W4 n3 v: p; |& E# A. M; j
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! w$ G$ [% C3 E: |! q8 _8 t/ h当然Thermal issue会有许多问题 以功率电感而言 会使其转换效率下降
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所以由以上可知’ 若功率电感下方不铺铜 其实是B >Z 弊大于利 ; c0 J$ T o0 D" b
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或许有人说 那简单啊 要打GND Via是吧? 来!! 把GND island的区域 往其他方向延伸扩大不就好了? 尽情打吧 , |. n, C# ]% i/ K! X, U
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但这会有两个SideEffect
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1. 由前面图片可知 表层GND island的下方Layer 2 只能是GND 而且同样要GND island 不能走线 (怕表层GND island流窜的Noise 会干扰下方走线) 这意味着 你GND island越大 其他走线的Layout空间就越有限 不可能为了你一个DC-DC 搞得其他人都不要走线了
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4 i2 f, t6 O# y2. GND island是Noise的回流路径 所以GND island越大 意味着整体Loop area会变大 那这样EMI辐射干扰会很严重 你电感跟电容 都要尽可能靠近DC-DC 目的就是要缩小回路面积 但你GND island加大后 就失去这用意了 ; l1 }- T$ \) H
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而我确认以前量产的案子 其实也是都有铺铜 换言之 电感下方铺铜 或许会有危害 但危害应该没想象中大 (毕竟那些案子都量产了) - T- W+ g L% d9 r9 K8 R
结论 : 铺铜一票!!
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