本帖最后由 criterion 于 2015-5-14 22:53 编辑 6 J0 `' B9 e* u- L7 t& }& \
7 ?, Z6 W9 m- k# Y小弟比较认为 应该要铺铜 2 l1 u9 a _ M, h' ]
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原因是 一般而言 其功率电感与稳压电容 这两者要共地 并用GND island 来避免Noise窜到其他的GND
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且GND island要狂打GNDVia 连到Main GND : `5 u. D. m6 n1 B8 j, W
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如果电感下方不铺铜 那就是GND island的区域会大幅缩减 : u! k0 s& B+ H
亦即能打的GND Via数目会大幅减少 6 ?( J2 l, }% s0 K2 c: d& w$ u
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via有内阻 电阻是越并越小 换言之 GND Via数目大幅减少 意味着其表层的GND island阻抗不够低 $ q$ ]1 Z$ u- D. p6 w
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如此一来 Noise可能会因邻近的GND阻抗较低 而Couple过去 这样就失去靠GND island加强隔离的用意了 " K/ L" K. M! A4 y+ f
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! W( C$ Q5 ~8 ~* r除此之外 也会因表层GND island热阻过大 使得热无法导到Main GND散掉 以至于热都积在表层 这样会有Thermal的issue j# K% d$ y) Z; ~% R9 V
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当然Thermal issue会有许多问题 以功率电感而言 会使其转换效率下降 2 `7 |$ ^3 m; t) S
" r3 {0 w- z4 I. `- Z* b$ Z所以由以上可知’ 若功率电感下方不铺铜 其实是B >Z 弊大于利
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或许有人说 那简单啊 要打GND Via是吧? 来!! 把GND island的区域 往其他方向延伸扩大不就好了? 尽情打吧 , b0 s2 x/ i$ c, w1 r, X
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5 P6 B2 d# z+ `# o% [6 Z( ` K8 _但这会有两个SideEffect
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1. 由前面图片可知 表层GND island的下方Layer 2 只能是GND 而且同样要GND island 不能走线 (怕表层GND island流窜的Noise 会干扰下方走线) 这意味着 你GND island越大 其他走线的Layout空间就越有限 不可能为了你一个DC-DC 搞得其他人都不要走线了
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( q& |/ }" }& T- p0 a) Q/ S7 D2. GND island是Noise的回流路径 所以GND island越大 意味着整体Loop area会变大 那这样EMI辐射干扰会很严重 你电感跟电容 都要尽可能靠近DC-DC 目的就是要缩小回路面积 但你GND island加大后 就失去这用意了 + r& q1 x% j1 h5 t4 s. D
" z% P4 ]$ @1 E& x% |( g9 `而我确认以前量产的案子 其实也是都有铺铜 换言之 电感下方铺铜 或许会有危害 但危害应该没想象中大 (毕竟那些案子都量产了)
* \5 E: H4 z$ O: F" r& m结论 : 铺铜一票!!
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