关于DDR信号辐射问题

wangjunchao401

对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的，还要考虑寄生参数的影响，在高速最怕的就是寄生电感，你的电源线如果不够粗的话，那么它的寄生电感将会很大，如果在某一时刻，你的总线全部处于驱动状态，那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流，这样，即使很小的寄生电感，也会带来很大的电压差，当然会有更大的辐射。

xiang

学习了
/ o' m! Y. h$ c4 O, Q  V

cccccc32

学习了！！！

lililu

学习了

kaka198510

看的不是很明白

Colin_SI/PI

我这里从SI/PI的角度分析下这个问题：
6 ^1 @# U: d8 N) ?. S* G; a133MHz刚好是时钟信号的频率，产生EMI的根源很可能是时钟信号，也可能是数据信号和地址信号
因为数据信号的频率是266MHz，地址是133MHz；
* k& f/ ^7 O! F9 u' ^1 |; P1 U产生原因可能有：
' A2 G0 c! ]+ ~; {) H) m1 A
+ ?0 Y; T$ ?4 w. z0 ]. \- u3 Y1.CPU的驱动能力过强，负载较轻导致信号过冲过大，高频分量增加，导致EMI；如很多芯片有不同驱动强度，这个
1 F  V6 g* _4 V# F% ~4 C: d: ?和负载大小，走线长度相关；

dq_full             Full-Strength IO Driver
2 L, ^8 i6 ]' ^5 ]7 Z, Y. udq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
2 f& _- r4 f/ f; p
2.整个链路的阻抗不匹配，如CPU的输出阻抗，PCB走线阻抗，DDR的输入阻抗，不一致，导致反射大，导致EMI；DDR的数据线上需要串接电阻进行端接；地址和时钟信号
8 R7 |/ i2 s- J' Y" A  C) v7 C4 J如果存在多负载也需要端接；

0 _  e& @" O8 N. H' ]3.DDR的电源完整性，如去耦不足，电源噪声大，影响信号质量；

1 s: k: u# A5 K) }5 {6 ]4.SSN，DDR的信号I/O同时翻转导致，信号之间的串扰也会导致EMI；
. f3 ?( A8 t1 U: R% [1 U
解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

奋斗者

专业分析，受益匪浅